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PHD12NQ15T-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PHD12NQ15T-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,150V,25A,RDS(ON),70mΩ@10V,87mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,150V,25A,RDS(ON),70mΩ@10V,87mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.7215 ¥2.777
  • 100+ ¥2.5199 ¥2.5713
  • 500+ ¥2.3183 ¥2.3656
  • 2500+ ¥2.2174 ¥2.2627
合计:¥27.22
标准包装数量:2500

PHD16N03T,118-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PHD16N03T,118-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.3614 ¥1.3892
  • 100+ ¥1.2606 ¥1.2863
  • 500+ ¥1.2101 ¥1.2348
  • 2500+ ¥1.1597 ¥1.1834
合计:¥27.23
标准包装数量:2500

PHB11N06LT-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PHB11N06LT-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.7215 ¥2.777
  • 100+ ¥2.5199 ¥2.5713
  • 500+ ¥2.419 ¥2.4684
  • 800+ ¥2.3183 ¥2.3656
合计:¥27.22
标准包装数量:800

PHK12NQ03L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PHK12NQ03L-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,20V,11A,RDS(ON),11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V,15Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,20V,11A,RDS(ON),11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V,15Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.1656 ¥1.1894
  • 100+ ¥1.0793 ¥1.1013
  • 500+ ¥1.0361 ¥1.0572
  • 4000+ ¥0.9929 ¥1.0132
合计:¥29.14
标准包装数量:4000

PHB55N03LT-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PHB55N03LT-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263\n适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263\n适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.5269 ¥2.5785
  • 100+ ¥2.3398 ¥2.3875
  • 500+ ¥2.2462 ¥2.292
  • 800+ ¥2.1526 ¥2.1965
合计:¥37.90
标准包装数量:800

PHN1015-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PHN1015-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.1656 ¥1.1894
  • 100+ ¥1.0793 ¥1.1013
  • 500+ ¥1.0361 ¥1.0572
  • 4000+ ¥0.9929 ¥1.0132
合计:¥29.14
标准包装数量:4000

PA610ATF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PA610ATF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.3325 ¥2.3801
  • 100+ ¥2.1597 ¥2.2038
  • 500+ ¥2.0733 ¥2.1156
  • 1000+ ¥1.987 ¥2.0275
合计:¥34.99
标准包装数量:1000

PHKD13N03LT-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PHKD13N03LT-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.3614 ¥1.3892
  • 100+ ¥1.2606 ¥1.2863
  • 500+ ¥1.2101 ¥1.2348
  • 4000+ ¥1.1597 ¥1.1834
合计:¥27.23
标准包装数量:4000

P80NF55-06FP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: P80NF55-06FP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,60V,120A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
    N—Channel沟道,60V,120A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.8008 ¥3.8784
  • 1000+ ¥3.6425 ¥3.7168
合计:¥42.76
标准包装数量:1000

SM6127NSKP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6127NSKP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: N—Channel沟道,60V,90A,RDS(ON),6mΩ@10V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    N—Channel沟道,60V,90A,RDS(ON),6mΩ@10V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.5433
  • 10+ ¥5.0484
  • 30+ ¥4.7657
  • 100+ ¥4.1971
  • 5000+ ¥4.0387
  • 15000+ ¥3.9595
合计:¥5.54
标准包装数量:5000

SM4337NSKP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4337NSKP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V) 一款单N沟道场效应管,适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。封装采用DFN8(5X6),适用于小型电路设计,有利于节省空间。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V) 一款单N沟道场效应管,适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。封装采用DFN8(5X6),适用于小型电路设计,有利于节省空间。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.4839 ¥2.5346
  • 5000+ ¥2.3759 ¥2.4244
合计:¥29.16
标准包装数量:5000

SM4383NSKP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4383NSKP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V) 一款单N沟道场效应管,适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。封装采用DFN8(5X6),适用于小型电路设计,有利于节省空间。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V) 一款单N沟道场效应管,适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。封装采用DFN8(5X6),适用于小型电路设计,有利于节省空间。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.4839 ¥2.5346
  • 5000+ ¥2.3759 ¥2.4244
合计:¥29.16
标准包装数量:5000

SM8205AO-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM8205AO-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TSSOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n一款共源极N+N MOSFET,适用于20V的最大漏极-源极电压和±20V的最大栅极-源极电压,特别适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。阈值电压为0.5~1.5V,漏极电流可达6.6A,采用Trench技术制造。封装为TSSOP8。
    台积电流片,长电封测。\n一款共源极N+N MOSFET,适用于20V的最大漏极-源极电压和±20V的最大栅极-源极电压,特别适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。阈值电压为0.5~1.5V,漏极电流可达6.6A,采用Trench技术制造。封装为TSSOP8。
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥0.9725 ¥0.9923
  • 100+ ¥0.9004 ¥0.9188
  • 500+ ¥0.8644 ¥0.882
  • 4000+ ¥0.8284 ¥0.8453
合计:¥29.18
标准包装数量:4000

SM9989DSO-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM9989DSO-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TSSOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,8.6A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TSSOP8
    N—Channel沟道,30V,8.6A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TSSOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.2635 ¥1.2893
  • 100+ ¥1.1699 ¥1.1938
  • 500+ ¥1.1231 ¥1.146
  • 3000+ ¥1.0763 ¥1.0983
合计:¥31.59
标准包装数量:3000

SM6A25NSFP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6A25NSFP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
    台积电流片,长电封测。\nVBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.8305 ¥5.9495
  • 100+ ¥5.3986 ¥5.5088
  • 500+ ¥5.1826 ¥5.2884
  • 1000+ ¥4.9667 ¥5.0681
合计:¥58.31
标准包装数量:1000

SM6104PSF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6104PSF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),60mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.8Vth(V) 封装:TO220
    P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),60mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.8Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.5919 ¥2.6448
  • 1000+ ¥2.4839 ¥2.5346
合计:¥29.16
标准包装数量:1000

SM4044CSU4-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4044CSU4-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252-5
  • 描述: N+P—Channel沟道,±40V,50/-50A,RDS(ON),15mΩ@10V,18.75mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1Vth(V) 封装:TO252-5
    N+P—Channel沟道,±40V,50/-50A,RDS(ON),15mΩ@10V,18.75mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1Vth(V) 封装:TO252-5
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.3325 ¥2.3801
  • 100+ ¥2.1597 ¥2.2038
  • 500+ ¥2.0733 ¥2.1156
  • 2500+ ¥1.987 ¥2.0275
合计:¥34.99
标准包装数量:2500

SM6125NSKP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6125NSKP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: N—Channel沟道,60V,100A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    N—Channel沟道,60V,100A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 5000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥77.74
标准包装数量:5000

SM6032NSG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6032NSG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: N—Channel沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
    N—Channel沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.2195 ¥6.3464
  • 100+ ¥5.7588 ¥5.8763
  • 500+ ¥5.5284 ¥5.6412
  • 800+ ¥5.2981 ¥5.4062
合计:¥62.20
标准包装数量:800

SM6F22NSF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6F22NSF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,10A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220具有较低的导通电阻。适用于各种要求高功率开关和电源管理的场合。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,10A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220具有较低的导通电阻。适用于各种要求高功率开关和电源管理的场合。
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