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AO3411-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3411-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
    台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.5058
  • 50+ ¥0.476
  • 150+ ¥0.4248
  • 500+ ¥0.3183
  • 2500+ ¥0.3064
  • 7500+ ¥0.2975
合计:¥2.53
标准包装数量:2500

MDP1921TH-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDP1921TH-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.7603
  • 10+ ¥7.0675
  • 30+ ¥6.6717
  • 100+ ¥5.8757
  • 4000+ ¥5.654
  • 12000+ ¥5.5431
合计:¥7.76
标准包装数量:4000

VBE18R05S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBE18R05S
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO252
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.7305
  • 10+ ¥5.2188
  • 30+ ¥4.9266
  • 100+ ¥4.3388
  • 1000+ ¥4.1751
  • 3000+ ¥4.0932
合计:¥5.73
标准包装数量:1000

IPD90P04P4L04ATMA2-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD90P04P4L04ATMA2-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: TO252;P—Channel沟道;-40V;-90A;RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;
    TO252;P—Channel沟道;-40V;-90A;RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.7637 ¥7.2046
  • 10+ ¥5.249 ¥6.5613
  • 30+ ¥4.9551 ¥6.1939
  • 100+ ¥4.3639 ¥5.4549
  • 2500+ ¥4.1992 ¥5.249
  • 7500+ ¥4.1169 ¥5.1461
合计:¥5.76
标准包装数量:2500

IRLB4132PBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLB4132PBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: TO220;N—Channel沟道;30V;120A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.7V;
    TO220;N—Channel沟道;30V;120A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.7V;
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.3779 ¥4.2224
  • 10+ ¥3.1792 ¥3.974
  • 30+ ¥2.8374 ¥3.5468
  • 100+ ¥2.1261 ¥2.6576
  • 1000+ ¥2.0466 ¥2.5583
  • 3000+ ¥1.987 ¥2.4838
合计:¥3.38
标准包装数量:1000

SI4090DY-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4090DY-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: SOP8;N—Channel沟道,100V;9A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.9V;
    SOP8;N—Channel沟道,100V;9A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.9V;
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.3066 ¥5.3833
  • 10+ ¥4.0533 ¥5.0666
  • 30+ ¥3.6175 ¥4.5219
  • 100+ ¥2.7106 ¥3.3883
  • 4000+ ¥2.6093 ¥3.2616
  • 12000+ ¥2.5333 ¥3.1666
合计:¥4.31
标准包装数量:4000

IRFB7430PBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB7430PBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,210A,RDS(ON),3mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要中高功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其适中尺寸的封装和中高功率特性使其适用于需要高密度布局和中高功率输出的电子设备和系统。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,210A,RDS(ON),3mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要中高功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其适中尺寸的封装和中高功率特性使其适用于需要高密度布局和中高功率输出的电子设备和系统。
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.9534 ¥8.6917
  • 10+ ¥6.3326 ¥7.9157
  • 30+ ¥5.9779 ¥7.4724
  • 100+ ¥5.2647 ¥6.5809
  • 1000+ ¥5.066 ¥6.3325
  • 3000+ ¥4.9667 ¥6.2084
合计:¥6.95
标准包装数量:1000

NVMFS5C682NLAFT1G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVMFS5C682NLAFT1G-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: DFN8(5X6);N—Channel沟道;60V;50A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=2.5V;
    DFN8(5X6);N—Channel沟道;60V;50A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=2.5V;
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.8454 ¥6.0567
  • 10+ ¥4.5603 ¥5.7004
  • 30+ ¥4.0701 ¥5.0876
  • 100+ ¥3.0497 ¥3.8121
  • 5000+ ¥2.9357 ¥3.6696
  • 15000+ ¥2.8502 ¥3.5628
合计:¥4.85
标准包装数量:5000

IRFS38N20DTRLP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFS38N20DTRLP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: TO263;N—Channel沟道;200V;9A;RDS(ON)=400mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;
    TO263;N—Channel沟道;200V;9A;RDS(ON)=400mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;
  • 库   存:38
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.868
  • 10+ ¥8.0762
  • 30+ ¥7.624
  • 100+ ¥6.7144
  • 1000+ ¥6.461
  • 3000+ ¥6.3343
合计:¥8.87
标准包装数量:1000

BSC037N08NS5-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC037N08NS5-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: DFN8(5X6);N—Channel沟道;80V;140A;RDS(ON)=2.65mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
    DFN8(5X6);N—Channel沟道;80V;140A;RDS(ON)=2.65mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.9854 ¥7.4818
  • 10+ ¥5.451 ¥6.8138
  • 30+ ¥5.1458 ¥6.4322
  • 100+ ¥4.5318 ¥5.6648
  • 5000+ ¥4.3608 ¥5.451
  • 15000+ ¥4.2753 ¥5.3441
合计:¥5.99
标准包装数量:5000

BSL606SNH6327XTSA1-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSL606SNH6327XTSA1-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-6
  • 描述: SOT23-6;N—Channel沟道;60V;7A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=35mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.7V;
    SOT23-6;N—Channel沟道;60V;7A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=35mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.7V;
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4083 ¥1.7604
  • 50+ ¥1.3254 ¥1.6568
  • 150+ ¥1.183 ¥1.4787
  • 500+ ¥0.8864 ¥1.108
  • 3000+ ¥0.8533 ¥1.0666
  • 9000+ ¥0.8284 ¥1.0355
合计:¥7.04
标准包装数量:3000

HGTG20N60B3D-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HGTG20N60B3D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;
    TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥12.2788
  • 10+ ¥11.1825
  • 30+ ¥10.5563
  • 100+ ¥9.2968
  • 300+ ¥8.946
  • 900+ ¥8.7706
合计:¥12.28
标准包装数量:300

IRLS4030TRLPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLS4030TRLPBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: TO263;N—Channel沟道;VDS=100V;ID =180A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;
    TO263;N—Channel沟道;VDS=100V;ID =180A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.4882 ¥9.3602
  • 10+ ¥6.8196 ¥8.5245
  • 30+ ¥6.4377 ¥8.0471
  • 100+ ¥5.6696 ¥7.087
  • 1000+ ¥5.4557 ¥6.8196
  • 3000+ ¥5.3487 ¥6.6859
合计:¥7.49
标准包装数量:1000

IRG4PC50UDPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRG4PC50UDPBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;
    TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.2323
  • 10+ ¥9.3187
  • 30+ ¥8.7969
  • 100+ ¥7.7473
  • 300+ ¥7.455
  • 900+ ¥7.3088
合计:¥10.23
标准包装数量:300

BSC600N25NS3 G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC600N25NS3 G-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: DFN8(5X6);N—Channel沟道;250V;35A;RDS(ON)=42mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
    DFN8(5X6);N—Channel沟道;250V;35A;RDS(ON)=42mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥8.7464 ¥8.9249
  • 100+ ¥8.0985 ¥8.2638
  • 500+ ¥7.4506 ¥7.6027
  • 5000+ ¥7.1267 ¥7.2721
合计:¥87.46
标准包装数量:5000

FQB5N90TM-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQB5N90TM-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: N-沟道,±30,VSingle,D2PAK,TO-263-3,TO-263AB,950V,2.4Ω@10V,6A
    N-沟道,±30,VSingle,D2PAK,TO-263-3,TO-263AB,950V,2.4Ω@10V,6A
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥15.753 ¥16.0745
  • 100+ ¥14.5861 ¥14.8838
  • 500+ ¥13.4192 ¥13.6931
  • 1000+ ¥12.8357 ¥13.0977
合计:¥157.53
标准包装数量:1000

IXFH80N10Q-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IXFH80N10Q-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO247;N—Channel沟道,100V;80A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
    TO247;N—Channel沟道,100V;80A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 900+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥97.18
标准包装数量:300

IRLZ14SPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLZ14SPBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.7215 ¥2.777
  • 100+ ¥2.5199 ¥2.5713
  • 500+ ¥2.419 ¥2.4684
  • 1000+ ¥2.3183 ¥2.3656
合计:¥27.22
标准包装数量:1000

IRFB7545-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB7545-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥3.1093 ¥3.1728
  • 1000+ ¥2.9798 ¥3.0406
合计:¥34.98
标准包装数量:1000

FDS9431A-NL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDS9431A-NL-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-20V,-8A,RDS(ON),16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V,15Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOP8\n生产的单路功率型沟道型MOSFET,适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计,在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。
    台积电流片,长电封测。\nP沟道,-20V,-8A,RDS(ON),16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V,15Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOP8\n生产的单路功率型沟道型MOSFET,适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计,在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。
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