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NTGD4161P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTGD4161P
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-6
  • 描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-1.2~-2.2Vth(V) 封装:SOT23-6
    P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-1.2~-2.2Vth(V) 封装:SOT23-6
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.4728 ¥0.591
合计:¥2.36
标准包装数量:3000

NTR4171PT3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTR4171PT3G
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:SOT23-3
    P—Channel沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:1000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.2122 ¥0.2652
合计:¥1.06
标准包装数量:3000

NTZD3155CT1G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTZD3155CT1G
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SC-75-6
  • 描述: N+P—Channel沟道,±20V,0.6/-0.3A,RDS(ON),270/660mΩ@4.5V,410/840mΩ@2.5V,12Vgs(±V);±0.7~±2Vth(V) 封装:SC75-6
    N+P—Channel沟道,±20V,0.6/-0.3A,RDS(ON),270/660mΩ@4.5V,410/840mΩ@2.5V,12Vgs(±V);±0.7~±2Vth(V) 封装:SC75-6
  • 库   存:183
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.4728 ¥0.591
合计:¥2.36
标准包装数量:3000

WPM3004-8/TR 场效应管(MOSFET)

  • 型号: WPM3004-8/TR
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:550
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.5902 ¥0.7377
合计:¥2.95
标准包装数量:4000

NTD4804NT4G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD4804NT4G
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:100
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥1.939
  • 50+ ¥1.858
  • 100+ ¥1.777
  • 5000+ ¥1.696
合计:¥19.39
标准包装数量:2500

NTMS4177PR 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMS4177PR
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SO-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.42Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.42Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.9445 ¥1.1806
合计:¥4.72
标准包装数量:4000

NTD6416ANT4G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD6416ANT4G
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,100V,25A,RDS(ON),55mΩ@10V,57mΩ@4.5V,73mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,100V,25A,RDS(ON),55mΩ@10V,57mΩ@4.5V,73mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:1100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.5347 ¥1.9184
合计:¥7.67
标准包装数量:2500

ZXMN6A11Z 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMN6A11Z
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
    N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.5315 ¥0.6644
合计:¥2.66
标准包装数量:1000

ZXMN3F30FH 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMN3F30FH
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V) 封装:SOT23-3
    N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.2122 ¥0.2652
合计:¥1.06
标准包装数量:3000

NTTFS4928NTAG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTTFS4928NTAG
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,40A,RDS(ON),3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
    N—Channel沟道,30V,40A,RDS(ON),3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.5347 ¥1.9184
合计:¥7.67
标准包装数量:5000

ZXMC6A09DN8TC 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMC6A09DN8TC
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N+P—Channel沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8
    N+P—Channel沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥2.116
  • 50+ ¥2.028
  • 100+ ¥1.94
  • 4000+ ¥1.852
合计:¥21.16
标准包装数量:4000

STC4606 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STC4606
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N+P—Channel沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V) 封装:SOP8
    N+P—Channel沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8271 ¥1.0339
合计:¥4.14
标准包装数量:4000

STD12NF06T4T4 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STD12NF06T4T4
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8261 ¥1.0326
合计:¥4.13
标准包装数量:2500

STC5NF20V 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STC5NF20V
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TSSOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,20V,4.8/4.8A,RDS(ON),20/22mΩ@4.5V,24/27mΩ@2.5V,15Vgs(±V);0.6~2Vth(V) 封装:TSSOP-8
    N—Channel沟道,20V,4.8/4.8A,RDS(ON),20/22mΩ@4.5V,24/27mΩ@2.5V,15Vgs(±V);0.6~2Vth(V) 封装:TSSOP-8
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.5902 ¥0.7377
合计:¥2.95
标准包装数量:3000

STD120N4LF6 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STD120N4LF6
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:47
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4162 ¥1.7703
合计:¥7.08
标准包装数量:2500

NTD24N06LG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD24N06LG
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.063 ¥1.3287
合计:¥5.32
标准包装数量:2500

NP55N055SUG-E1-AY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NP55N055SUG-E1-AY
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:20
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥2.116
  • 50+ ¥2.028
  • 100+ ¥1.94
  • 5000+ ¥1.852
合计:¥21.16
标准包装数量:2500

SM9435PSKC-TRG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM9435PSKC-TRG
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.5902 ¥0.7377
合计:¥2.95
标准包装数量:4000

NTLJD4116NT1G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTLJD4116NT1G
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,5A,RDS(ON),33mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.4Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
    N—Channel沟道,30V,5A,RDS(ON),33mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.4Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.7706 ¥2.2132
合计:¥8.85
标准包装数量:5000

CEA6426 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CEA6426
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
    N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
  • 库   存:743
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.7706 ¥2.2132
合计:¥2.66
标准包装数量:1000
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