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SQD40N06-14 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQD40N06-14
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道 60V 35A 25mΩ@10V TO-252
    N沟道 60V 35A 25mΩ@10V TO-252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4162 ¥1.7703
合计:¥7.08
标准包装数量:2500

IRLI3803P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLI3803P
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,30V,140A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F
    N—Channel沟道,30V,140A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.6522 ¥2.0652
合计:¥8.26
标准包装数量:1000

VBMB16R08 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBMB16R08
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,600V,8A,RDS(ON),880mΩ@10V,20Vgs(±V);3.55Vth(V) 封装:TO-220F
    N—Channel沟道,600V,8A,RDS(ON),880mΩ@10V,20Vgs(±V);3.55Vth(V) 封装:TO-220F
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.7706 ¥2.2132
合计:¥8.85
标准包装数量:1000

SI2301ADS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2301ADS-T1-GE3
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
    P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:1000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.1411 ¥0.1764
合计:¥0.71
标准包装数量:3000

FDC6308P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDC6308P
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-6
  • 描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-1.2~-2.2Vth(V) 封装:SOT23-6
    P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-1.2~-2.2Vth(V) 封装:SOT23-6
  • 库   存:1000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.4728 ¥0.591
合计:¥2.36
标准包装数量:3000

SIR418DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR418DP-T1-GE3
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: N—Channel沟道,40V,75A,RDS(ON),4.7mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    N—Channel沟道,40V,75A,RDS(ON),4.7mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:2481
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.1238 ¥2.6548
合计:¥10.62
标准包装数量:5000

ISL9N306AD3ST 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ISL9N306AD3ST
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8271 ¥1.0339
合计:¥4.14
标准包装数量:2500

AOD420 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD420
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8271 ¥1.0339
合计:¥4.14
标准包装数量:2500

DMG2305UX 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMG2305UX
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:SOT23-3
    P—Channel沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:1000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.2122 ¥0.2652
合计:¥1.06
标准包装数量:3000

IRF7465TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7465TRPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,200V,3A,RDS(ON),300mΩ@10V,360mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,200V,3A,RDS(ON),300mΩ@10V,360mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:20
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.1804 ¥1.4755
合计:¥5.90
标准包装数量:4000

IRLR3114ZTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR3114ZTRPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4162 ¥1.7703
合计:¥7.08
标准包装数量:2500

IRL7833PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL7833PBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,30V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,30V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.5347 ¥1.9184
合计:¥7.67
标准包装数量:1000

NTGS3446T1G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTGS3446T1G
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-6
  • 描述: N—Channel沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6
    N—Channel沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.4728 ¥0.591
合计:¥2.36
标准包装数量:3000

IRF8910TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF8910TRPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,20V,10A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,20V,10A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:88
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8858 ¥1.1073
合计:¥4.43
标准包装数量:4000

IRLTS6342TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLTS6342TRPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-6
  • 描述: N—Channel沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6
    N—Channel沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6
  • 库   存:98
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.4728 ¥0.591
合计:¥2.36
标准包装数量:3000

IRLMS1902TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLMS1902TRPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-6
  • 描述: N—Channel沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6
    N—Channel沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.4728 ¥0.591
合计:¥2.36
标准包装数量:3000

IRLB8721PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLB8721PBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4162 ¥1.7703
合计:¥7.08
标准包装数量:1000

VBM2625 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBM2625
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),19mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.96Vth(V) 封装:TO220
    P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),19mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.96Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:25
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥3.0684 ¥3.8355
合计:¥15.34
标准包装数量:1000

IRF9Z24NSTRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9Z24NSTRLPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO263
    P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.1238 ¥2.6548
合计:¥10.62
标准包装数量:800

IRFB23N15DPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB23N15DPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,150V,20A,RDS(ON),75mΩ@10V,76mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,150V,20A,RDS(ON),75mΩ@10V,76mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:80
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.1238 ¥2.6548
合计:¥16.52
标准包装数量:1000
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