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FDD14AN06LA0 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD14AN06LA0
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:85
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4024 ¥1.753
合计:¥7.01
标准包装数量:2500

ST2341S23R 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ST2341S23R
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:SOT23-3
    P—Channel沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.2104 ¥0.263
合计:¥1.05
标准包装数量:3000

VBZA4800 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZA4800
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.5848 ¥0.731
合计:¥2.92
标准包装数量:4000

STP30NF10 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STP30NF10
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: N—Channel沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO-220AB
    N—Channel沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO-220AB
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.636 ¥2.045
合计:¥8.18
标准包装数量:1000

AM40P06-135P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AM40P06-135P
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO-220
    P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO-220
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.52 ¥1.9
合计:¥7.60
标准包装数量:1000

STD12NF06T4T4 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STD12NF06T4T4
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8184 ¥1.023
合计:¥4.09
标准包装数量:2500

HAF2015RJ 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HAF2015RJ
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.2856 ¥1.607
合计:¥6.43
标准包装数量:4000

NTD5406NT4G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD5406NT4G
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:95
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4024 ¥1.753
合计:¥7.01
标准包装数量:2500

AP1333GU 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AP1333GU
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SC-70-3
  • 描述: P—Channel沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-3
    P—Channel沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-3
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.2336 ¥0.292
合计:¥1.17
标准包装数量:3000

VBZMB20N65 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZMB20N65
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
    台积电流片,长电封测。\nVBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥3.5056 ¥4.382
合计:¥17.53
标准包装数量:1000

AOT430 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOT430
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: N—Channel沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO-220AB
    N—Channel沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO-220AB
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.5712 ¥3.214
合计:¥12.86
标准包装数量:1000

STD12N06T4 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STD12N06T4
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO-252
    N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO-252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8184 ¥1.023
合计:¥4.09
标准包装数量:2500

APM4538KC-TRL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: APM4538KC-TRL
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N+P—Channel沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V) 封装:SOP8
    N+P—Channel沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8192 ¥1.024
合计:¥4.10
标准包装数量:4000

VBMB165R20 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBMB165R20
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
    台积电流片,长电封测。\nVBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
  • 库   存:20
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥3.5056 ¥4.382
合计:¥17.53
标准包装数量:1000

VBZL50N06 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZL50N06
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263\n由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263\n由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.1032 ¥2.629
合计:¥10.52
标准包装数量:800

APM4910KC-TRL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: APM4910KC-TRL
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,6.8/10A,RDS(ON),18mΩ@10V,21.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,30V,6.8/10A,RDS(ON),18mΩ@10V,21.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.1688 ¥1.461
合计:¥5.84
标准包装数量:4000

STF6N60M2 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STF6N60M2
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO-220F
    N—Channel沟道,650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO-220F
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.1032 ¥2.629
合计:¥10.52
标准包装数量:1000

FR9024N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FR9024N
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
    P—Channel沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.2856 ¥1.607
合计:¥6.43
标准包装数量:2500

MTB11N03Q8 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTB11N03Q8
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: SOP8;N—Channel沟道,30V;13A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.45V;
    SOP8;N—Channel沟道,30V;13A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.45V;
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7008 ¥0.876
合计:¥3.50
标准包装数量:3000

RU6050R 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RU6050R
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7008 ¥0.876
合计:¥8.77
标准包装数量:1000
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