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VBL165R10 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBL165R10
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,具有1100m?的导通电阻,能够承受最大10A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术,封装为TO263。
    台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,具有1100m?的导通电阻,能够承受最大10A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术,封装为TO263。
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥4.936
  • 20+ ¥4.73
  • 50+ ¥4.525
  • 2000+ ¥4.319
合计:¥24.68
标准包装数量:1000

AP1333GU 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AP1333GU
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SC-70-3
  • 描述: P—Channel沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-3
    P—Channel沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-3
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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    1工作日
  • 5+ ¥0.2358 ¥0.2948
合计:¥1.18
标准包装数量:3000

AP4435GJ 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AP4435GJ
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-35A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.4Vth(V) 封装:TO-251
    P—Channel沟道,-30V,-35A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.4Vth(V) 封装:TO-251
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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    1工作日
  • 5+ ¥1.0032 ¥1.254
合计:¥5.02
标准包装数量:4000

IRFR110TR 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR110TR
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V);TO252
    N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V);TO252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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    1-3工作日
  • 5+ ¥1.063 ¥1.3287
合计:¥5.32
标准包装数量:2500

IRL3803SPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL3803SPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: N—Channel沟道,30V,170A,RDS(ON),3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263
    N—Channel沟道,30V,170A,RDS(ON),3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:100
  • 起订量:5
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    1工作日
  • 5+ ¥1.7706 ¥2.2132
合计:¥8.85
标准包装数量:800

SPN4346S8RGB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPN4346S8RGB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7076 ¥0.8845
合计:¥3.54
标准包装数量:4000

VBE165R05S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBE165R05S
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    1-3工作日
  • 5+ ¥1.9611 ¥2.4514
合计:¥9.81
标准包装数量:2500

VBFB1806 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBFB1806
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: N—Channel沟道,80V,80A,RDS(ON),6.6mΩ@10V,7.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO251
    N—Channel沟道,80V,80A,RDS(ON),6.6mΩ@10V,7.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO251
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.5966 ¥3.2458
合计:¥12.98
标准包装数量:4000

VBE18R02S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBE18R02S
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1-3工作日
  • 5+ ¥2.951 ¥3.6887
合计:¥14.76
标准包装数量:2500

VBA3108N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBA3108N
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,100V,3.5A,RDS(ON),80mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,100V,3.5A,RDS(ON),80mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1-3工作日
  • 5+ ¥2.3608 ¥2.951
合计:¥11.80
标准包装数量:4000

VBL1204N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBL1204N
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=200V;ID =45A;RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,可用于设计各种功率范围的电源模块,如工业电源、UPS 电源等。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=200V;ID =45A;RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,可用于设计各种功率范围的电源模块,如工业电源、UPS 电源等。
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥4.7205 ¥5.9006
合计:¥23.60
标准包装数量:1000

VBFB1303 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBFB1303
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,100A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.76Vth(V) 封装:TO251\n该产品是单N沟道MOSFET,具有高性能、低损耗和稳定性的特点,适用于各种高功率和高频率控制的场合,能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,100A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.76Vth(V) 封装:TO251\n该产品是单N沟道MOSFET,具有高性能、低损耗和稳定性的特点,适用于各种高功率和高频率控制的场合,能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.0032 ¥1.254
合计:¥5.02
标准包装数量:4000

FQB33N10TM 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQB33N10TM
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: N—Channel沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
    N—Channel沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.1238 ¥2.6548
合计:¥10.62
标准包装数量:800

VB1210 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB1210
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N—Channel沟道,20V,12A,RDS(ON),9mΩ@10V,10mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOT23-3
    N—Channel沟道,20V,12A,RDS(ON),9mΩ@10V,10mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1-3工作日
  • 5+ ¥0.7076 ¥0.8845
合计:¥3.54
标准包装数量:3000

VBA1101M 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBA1101M
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,100V,4.2A,RDS(ON),124mΩ@10V,128mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,100V,4.2A,RDS(ON),124mΩ@10V,128mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:3640
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.9445 ¥1.1806
合计:¥4.72
标准包装数量:4000

STP90N55F4 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STP90N55F4
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO-220AB
    N—Channel沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO-220AB
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.3608 ¥2.951
合计:¥11.80
标准包装数量:1000

FP044 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FP044
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: N—Channel沟道,60V,150A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO247
    N—Channel沟道,60V,150A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO247
  • 库   存:50
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥7.0813 ¥8.8516
合计:¥35.41
标准包装数量:300

STS2301 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STS2301
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
    P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:847
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.1411 ¥0.1764
合计:¥0.71
标准包装数量:3000

FQU11P06TU 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQU11P06TU
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-25A,RDS(ON),66mΩ@10V,80mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.43Vth(V) 封装:TO251
    P—Channel沟道,-60V,-25A,RDS(ON),66mΩ@10V,80mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.43Vth(V) 封装:TO251
  • 库   存:90
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.063 ¥1.3287
合计:¥5.32
标准包装数量:4000

FQT3P20 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQT3P20
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-223
  • 描述: P—Channel沟道,-200V,-0.4A,RDS(ON),1400mΩ@10V,1680mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOT223-3
    P—Channel沟道,-200V,-0.4A,RDS(ON),1400mΩ@10V,1680mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOT223-3
  • 库   存:40
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.063 ¥1.3287
合计:¥11.80
标准包装数量:2500
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