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ISL9N306AD3S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ISL9N306AD3S
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8192 ¥1.024
合计:¥4.10
标准包装数量:2500

APM3040NDC 场效应管(MOSFET)

  • 型号: APM3040NDC
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N—Channel沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOT89-3
    N—Channel沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOT89-3
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.5264 ¥0.658
合计:¥2.63
标准包装数量:1000

SM9435PSKC-TRG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM9435PSKC-TRG
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.5848 ¥0.731
合计:¥2.92
标准包装数量:4000

RRH100P03 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RRH100P03
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.42Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.42Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.9352 ¥1.169
合计:¥4.68
标准包装数量:4000

PHD78NQ03L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PHD78NQ03L
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.9936 ¥1.242
合计:¥4.97
标准包装数量:2500

TPCA8036 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TPCA8036
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    N—Channel沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.7536 ¥2.192
合计:¥8.77
标准包装数量:3000

STD17NF03L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STD17NF03L
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO-252
    N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO-252
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8192 ¥1.024
合计:¥4.10
标准包装数量:2500

PMK35EP 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PMK35EP
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.76 ¥0.95
合计:¥3.80
标准包装数量:4000

SI2312BDS-T1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2312BDS-T1
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
    N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:82
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.14 ¥0.175
合计:¥0.70
标准包装数量:3000

AM2358N-T1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AM2358N-T1
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: N—Channel沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
    N—Channel沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.468 ¥0.585
合计:¥2.34
标准包装数量:3000

MMDF3P03HDR 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MMDF3P03HDR
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SO-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.3376 ¥2.922
合计:¥11.69
标准包装数量:4000

VBM165R02 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBM165R02
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和适中的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和适中的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.1688 ¥1.461
合计:¥5.84
标准包装数量:1000

FSS210 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FSS210
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SO-8
  • 描述: N—Channel沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.9352 ¥1.169
合计:¥4.68
标准包装数量:4000

AP2310GG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AP2310GG
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
    N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.5264 ¥0.658
合计:¥2.63
标准包装数量:1000

MTP12N10L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTP12N10L
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.1688 ¥1.461
合计:¥5.84
标准包装数量:1000

IRF640P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF640P
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: N—Channel沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.1032 ¥2.629
合计:¥10.52
标准包装数量:1000

SI4559DY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4559DY
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SO-8
  • 描述: N+P—Channel沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8
    N+P—Channel沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4024 ¥1.753
合计:¥7.01
标准包装数量:4000

VBM15R08 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBM15R08
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,500V,8A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.4Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,500V,8A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.4Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.1032 ¥2.629
合计:¥10.52
标准包装数量:1000

IRFZ48NP 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFZ48NP
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: N—Channel沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.0528 ¥1.316
合计:¥5.26
标准包装数量:1000

IRLU3103P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLU3103P
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251
    N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.0528 ¥1.316
合计:¥4.10
标准包装数量:4000
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