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DTP5N80SJ-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DTP5N80SJ-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
    TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8029 ¥6.9417
  • 100+ ¥6.299 ¥6.4275
  • 500+ ¥5.795 ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.5431 ¥5.6562
合计:¥68.03
标准包装数量:1000

BSS223PW-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS223PW-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SC-70-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n在电机控制系统中,该产品可用作电机驱动的开关管,用于控制电机的启停和速度调节。其高耐压性和低导通电阻特性使得电机驱动系统更加稳定和高效,适用于工业自动化、机器人等领域。\nP沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-3
    台积电流片,长电封测。\n在电机控制系统中,该产品可用作电机驱动的开关管,用于控制电机的启停和速度调节。其高耐压性和低导通电阻特性使得电机驱动系统更加稳定和高效,适用于工业自动化、机器人等领域。\nP沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-3
  • 库   存:400000
  • 起订量:70
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 70+ ¥0.389 ¥0.3969
  • 300+ ¥0.3602 ¥0.3675
  • 500+ ¥0.3457 ¥0.3528
  • 3000+ ¥0.3313 ¥0.3381
合计:¥27.23
标准包装数量:3000

IRFP250MPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP250MPBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO247;N—Channel沟道,200V;40A;RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
    TO247;N—Channel沟道,200V;40A;RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥12.2444 ¥12.4943
  • 100+ ¥11.3374 ¥11.5688
  • 500+ ¥10.4304 ¥10.6433
  • 900+ ¥9.9769 ¥10.1805
合计:¥122.44
标准包装数量:300

IPZ40N04S5L4R8-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPZ40N04S5L4R8-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: DFN8(3X3);2个N—Channel沟道,40V;40A;RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
    DFN8(3X3);2个N—Channel沟道,40V;40A;RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.1091 ¥3.1725
  • 100+ ¥2.8788 ¥2.9375
  • 500+ ¥2.6485 ¥2.7025
  • 5000+ ¥2.5333 ¥2.585
合计:¥31.09
标准包装数量:5000

HFD1N70-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HFD1N70-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO252
    N—Channel沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO252
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.3325 ¥2.3801
  • 100+ ¥2.1597 ¥2.2038
  • 500+ ¥2.0733 ¥2.1156
  • 2500+ ¥1.987 ¥2.0275
合计:¥34.99
标准包装数量:2500

2SK3462-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK3462-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,250V,4A,RDS(ON),800mΩ@10V,960mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V);TO252
    N—Channel沟道,250V,4A,RDS(ON),800mΩ@10V,960mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V);TO252
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.4839 ¥2.5346
  • 2500+ ¥2.3759 ¥2.4244
合计:¥29.16
标准包装数量:2500

IRF2903ZSTRLP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF2903ZSTRLP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: TO263;N—Channel沟道,30V;260A;RDS(ON)=1.9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
    TO263;N—Channel沟道,30V;260A;RDS(ON)=1.9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.887 ¥3.9663
  • 100+ ¥3.5991 ¥3.6725
  • 500+ ¥3.4551 ¥3.5256
  • 800+ ¥3.3111 ¥3.3787
合计:¥38.87
标准包装数量:800

SI2316BDS-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2316BDS-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:80
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 80+ ¥0.3493 ¥0.3564
  • 300+ ¥0.3234 ¥0.33
  • 500+ ¥0.3105 ¥0.3168
  • 3000+ ¥0.2975 ¥0.3036
合计:¥27.94
标准包装数量:3000

P6NK90ZFP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: P6NK90ZFP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: TO220F;N—Channel沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
    TO220F;N—Channel沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8029 ¥6.9417
  • 100+ ¥6.299 ¥6.4275
  • 500+ ¥5.795 ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.5431 ¥5.6562
合计:¥68.03
标准包装数量:1000

MTA40B03Q8-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTA40B03Q8-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n双P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n双通道功率场效应管,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。
    台积电流片,长电封测。\n双P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n双通道功率场效应管,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.36 ¥1.3878
  • 100+ ¥1.2593 ¥1.285
  • 500+ ¥1.2089 ¥1.2336
  • 4000+ ¥1.1586 ¥1.1822
合计:¥27.20
标准包装数量:4000

IRFI720GPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFI720GPBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.138 ¥2.1816
  • 100+ ¥1.9796 ¥2.02
  • 500+ ¥1.9004 ¥1.9392
  • 1000+ ¥1.8212 ¥1.8584
合计:¥32.07
标准包装数量:1000

FQB6N80-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQB6N80-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: TO263;N—Channel沟道,800V;7A;RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
    TO263;N—Channel沟道,800V;7A;RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 1000+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥97.18
标准包装数量:1000

IRF3315STRLPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF3315STRLPBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: N—Channel沟道,150V,55A,RDS(ON),35mΩ@10V,20Vgs(±V);4.7Vth(V) 封装:TO263
    N—Channel沟道,150V,55A,RDS(ON),35mΩ@10V,20Vgs(±V);4.7Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥77.74
标准包装数量:1000

2SK3529-01-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK3529-01-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
    TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8029 ¥6.9417
  • 100+ ¥6.299 ¥6.4275
  • 500+ ¥5.795 ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.5431 ¥5.6562
合计:¥68.03
标准包装数量:1000

IXFH150N20T-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IXFH150N20T-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: N—Channel沟道,200V,110A,RDS(ON)0.010mΩ@10V,20Vgs(±V);Vth=3.5V;TO247
    N—Channel沟道,200V,110A,RDS(ON)0.010mΩ@10V,20Vgs(±V);Vth=3.5V;TO247
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥14.3254
  • 10+ ¥13.0463
  • 30+ ¥12.3157
  • 100+ ¥10.8463
  • 300+ ¥10.437
  • 900+ ¥10.2324
合计:¥14.33
标准包装数量:300

SIHFBG20-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHFBG20-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: TO220 P—Channel沟道;VDS=1500V;ID=3A;RDS(ON)=6000mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=2-4V;
    TO220 P—Channel沟道;VDS=1500V;ID=3A;RDS(ON)=6000mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=2-4V;
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥14.6177
  • 10+ ¥13.3125
  • 30+ ¥12.567
  • 100+ ¥11.0677
  • 1000+ ¥10.65
  • 3000+ ¥10.4412
合计:¥14.62
标准包装数量:1000

IXTP3N120-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IXTP3N120-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: TO220 P—Channel沟道;VDS=1500V;ID=3A;RDS(ON)=6000mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=2-4V;
    TO220 P—Channel沟道;VDS=1500V;ID=3A;RDS(ON)=6000mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=2-4V;
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥14.3254
  • 10+ ¥13.0463
  • 30+ ¥12.3157
  • 100+ ¥10.8463
  • 1000+ ¥10.437
  • 3000+ ¥10.2324
合计:¥14.33
标准包装数量:1000

STP5NK100Z-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STP5NK100Z-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: TO220 P—Channel沟道;VDS=1500V;ID=3A;RDS(ON)=6000mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=2-4V;
    TO220 P—Channel沟道;VDS=1500V;ID=3A;RDS(ON)=6000mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=2-4V;
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥12.8932
  • 10+ ¥11.742
  • 30+ ¥11.0844
  • 100+ ¥9.762
  • 1000+ ¥9.3936
  • 3000+ ¥9.2094
合计:¥12.89
标准包装数量:1000

IXTH130N20T-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IXTH130N20T-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: N—Channel沟道,200V,110A,RDS(ON)0.010mΩ@10V,20Vgs(±V);Vth=3.5V;TO247
    N—Channel沟道,200V,110A,RDS(ON)0.010mΩ@10V,20Vgs(±V);Vth=3.5V;TO247
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥14.3254
  • 10+ ¥13.0463
  • 30+ ¥12.3157
  • 100+ ¥10.8463
  • 300+ ¥10.437
  • 900+ ¥10.2324
合计:¥14.33
标准包装数量:300

FDA59N25-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDA59N25-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-3P
  • 描述: N—Channel沟道,250V,60A,RDS(ON)0.040mΩ@10V,±30Vgs(±V);Vth=2-4V;封装TO3P
    N—Channel沟道,250V,60A,RDS(ON)0.040mΩ@10V,±30Vgs(±V);Vth=2-4V;封装TO3P
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6周
  • 5+ ¥12.5579 ¥12.8142
  • 100+ ¥11.6277 ¥11.865
  • 500+ ¥10.6975 ¥10.9158
  • 500+ ¥10.6975 ¥10.9158
合计:¥62.79
标准包装数量:300
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