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VBP16R87S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBP16R87S
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: N—Channel沟道,600V,87A,RDS(ON),0.026Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247
    N—Channel沟道,600V,87A,RDS(ON),0.026Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥57.6639
  • 100+ ¥53.3925
  • 500+ ¥49.1211
  • 900+ ¥46.9854
合计:¥288.32
标准包装数量:300

VBZF7N65S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZF7N65S
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: N—Channel沟道,650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
    N—Channel沟道,650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.5617
  • 100+ ¥4.2238
  • 500+ ¥3.8859
  • 4000+ ¥3.7169
合计:¥45.62
标准包装数量:4000

K13A50D-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: K13A50D-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.9495
  • 100+ ¥5.5088
  • 500+ ¥5.2884
  • 1000+ ¥5.0681
合计:¥59.50
标准包装数量:1000

NTMS4177PR-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMS4177PR-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.42Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.42Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.4283
  • 100+ ¥1.3225
  • 500+ ¥1.2696
  • 4000+ ¥1.2167
合计:¥28.57
标准包装数量:4000

QM3016AD-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: QM3016AD-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
    台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.1816
  • 100+ ¥2.02
  • 500+ ¥1.9392
  • 2500+ ¥1.8584
合计:¥32.72
标准包装数量:2500

RFP15P06-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RFP15P06-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO220
    P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.5785
  • 100+ ¥2.3875
  • 500+ ¥2.292
  • 1000+ ¥2.1965
合计:¥38.68
标准包装数量:1000

VBA2152M 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBA2152M
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P—Channel沟道,-150V,-2A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V);SOP8
    P—Channel沟道,-150V,-2A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V);SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.9495
  • 100+ ¥5.5088
  • 500+ ¥5.0681
  • 4000+ ¥4.8477
合计:¥59.50
标准包装数量:4000

SGD04N60-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SGD04N60-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9832
  • 100+ ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6894
合计:¥29.75
标准包装数量:2500

MTD9D0P03H8-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTD9D0P03H8-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-5
  • 描述: DFN8(5X6);P—Channel沟道,-30V;-60A;RDS(ON)=7.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.5~-2.5V;
    DFN8(5X6);P—Channel沟道,-30V;-60A;RDS(ON)=7.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.5~-2.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.1725
  • 100+ ¥2.9375
  • 500+ ¥2.7025
  • 5000+ ¥2.585
合计:¥31.73
标准包装数量:5000

N3005L-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: N3005L-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
    台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.1816
  • 100+ ¥2.02
  • 500+ ¥1.9392
  • 2500+ ¥1.8584
合计:¥32.72
标准包装数量:2500

NDB708-NL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NDB708-NL-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
    台积电流片,长电封测。\n推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.9586
  • 100+ ¥4.5913
  • 500+ ¥4.4076
  • 800+ ¥4.224
合计:¥49.59
标准包装数量:800

SI4416DY-NL-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4416DY-NL-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.1894
  • 100+ ¥1.1013
  • 500+ ¥1.0572
  • 4000+ ¥1.0132
合计:¥29.74
标准包装数量:4000

RQJ0204XGDQATL-E-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RQJ0204XGDQATL-E-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
    台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:115
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 115+ ¥0.2376
  • 300+ ¥0.22
  • 500+ ¥0.2112
  • 3000+ ¥0.2024
合计:¥27.32
标准包装数量:3000

K3716-Z-E1-AZ-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: K3716-Z-E1-AZ-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.3801
  • 100+ ¥2.2038
  • 500+ ¥2.1156
  • 2500+ ¥2.0275
合计:¥35.70
标准包装数量:2500

K3377-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: K3377-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,25A,RDS(ON),32mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.4Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中大功率场效应管的应用场景,例如电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,25A,RDS(ON),32mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.4Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中大功率场效应管的应用场景,例如电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4688
  • 500+ ¥1.41
  • 4000+ ¥1.3513
合计:¥31.73
标准包装数量:4000

IRL8113STRLPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL8113STRLPBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,170A,RDS(ON),3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263 可用作电机驱动器的功率开关管,用于控制工业机器人、输送带等设备的启停和转速,提高生产线的自动化程度和生产效率。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,170A,RDS(ON),3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263 可用作电机驱动器的功率开关管,用于控制工业机器人、输送带等设备的启停和转速,提高生产线的自动化程度和生产效率。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9754
  • 100+ ¥2.755
  • 500+ ¥2.6448
  • 800+ ¥2.5346
合计:¥29.75
标准包装数量:800

P0260ATF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: P0260ATF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
    台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9832
  • 100+ ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7628
  • 1000+ ¥1.6894
合计:¥29.75
标准包装数量:1000

IRL1404ZPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL1404ZPBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220用于各类工业级电源设备的电源开关控制模块,如变频器、逆变器等,提供稳定、高效的电能转换和控制功能。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220用于各类工业级电源设备的电源开关控制模块,如变频器、逆变器等,提供稳定、高效的电能转换和控制功能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.3541
  • 100+ ¥4.9575
  • 500+ ¥4.7592
  • 1000+ ¥4.5609
合计:¥53.54
标准包装数量:1000

SI2300BDS-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2300BDS-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
    台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
  • 库   存:400000
  • 起订量:115
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 115+ ¥0.2376
  • 300+ ¥0.22
  • 500+ ¥0.2112
  • 3000+ ¥0.2024
合计:¥27.32
标准包装数量:3000

NTP52N10G-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTP52N10G-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);3.7Vth(V) 封装:TO220适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);3.7Vth(V) 封装:TO220适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.5694
  • 100+ ¥3.305
  • 500+ ¥3.1728
  • 500+ ¥3.1728
合计:¥35.69
标准包装数量:1000
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