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VBQA3102N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBQA3102N
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-5
  • 描述: N—Channel沟道,100V,35A,RDS(ON),0.018Ω@10V,0.022Ω@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:DFN5X6
    N—Channel沟道,100V,35A,RDS(ON),0.018Ω@10V,0.022Ω@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:DFN5X6
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.887 ¥3.9663
  • 100+ ¥3.5991 ¥3.6725
  • 500+ ¥3.3111 ¥3.3787
  • 5000+ ¥3.1672 ¥3.2318
合计:¥38.87
标准包装数量:5000

VBL2101N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBL2101N
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: TO263;P—Channel沟道,-100V;-100A;RDS(ON)=0.011Ω@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=-2.5V;
    TO263;P—Channel沟道,-100V;-100A;RDS(ON)=0.011Ω@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=-2.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 800+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥116.61
标准包装数量:800

VBA3303 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBA3303
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,21A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,30V,21A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.138 ¥2.1816
  • 100+ ¥1.9796 ¥2.02
  • 500+ ¥1.8212 ¥1.8584
  • 4000+ ¥1.742 ¥1.7776
合计:¥32.07
标准包装数量:4000

VB3222A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VB3222A
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-6
  • 描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-6
    N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-6
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥0.7779 ¥0.7938
  • 100+ ¥0.7203 ¥0.735
  • 500+ ¥0.6915 ¥0.7056
  • 3000+ ¥0.6627 ¥0.6762
合计:¥27.23
标准包装数量:3000

VBZM15N65S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZM15N65S
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥77.74
标准包装数量:1000

VBJ2208M 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBJ2208M
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-223
  • 描述: SOT-223;P—Channel沟道,-200V;-4A;RDS(ON)=0.8mΩ@VGS=10V,VGS=±30V ;Vth=-2.5V-4.5V;
    SOT-223;P—Channel沟道,-200V;-4A;RDS(ON)=0.8mΩ@VGS=10V,VGS=±30V ;Vth=-2.5V-4.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.0526 ¥5.1557
  • 100+ ¥4.6783 ¥4.7738
  • 500+ ¥4.3041 ¥4.3919
  • 2500+ ¥4.1169 ¥4.2009
合计:¥50.53
标准包装数量:2500

VBZL20N65S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZL20N65S
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
    N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 800+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥116.61
标准包装数量:800

VBZE7N60S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZE7N60S
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,600V,7A,RDS(ON),650mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,600V,7A,RDS(ON),650mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥2.9798 ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.8502 ¥2.9084
合计:¥34.98
标准包装数量:2500

VBGP1103 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBGP1103
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO-247;N—Channel沟道,100V;180A;RDS(ON)=0.003mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5-4.5V;
    TO-247;N—Channel沟道,100V;180A;RDS(ON)=0.003mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5-4.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥15.5479 ¥15.8652
  • 100+ ¥14.3962 ¥14.69
  • 500+ ¥13.2445 ¥13.5148
  • 900+ ¥12.6687 ¥12.9272
合计:¥155.48
标准包装数量:300

VBZM20N65S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZM20N65S
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 1000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥116.61
标准包装数量:1000

VBZMB10N60 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZMB10N60
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,600V,10A,RDS(ON),1000mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F
    N—Channel沟道,600V,10A,RDS(ON),1000mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.8008 ¥3.8784
  • 1000+ ¥3.6425 ¥3.7168
合计:¥42.76
标准包装数量:1000

VBQA1206N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBQA1206N
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: DFN8(5X6);N—Channel沟道,200V;25A;RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
    DFN8(5X6);N—Channel沟道,200V;25A;RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 5000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥77.74
标准包装数量:5000

IRF7904TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7904TRPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,6.8/10A,RDS(ON),18mΩ@10V,21.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SO-8
    N—Channel沟道,30V,6.8/10A,RDS(ON),18mΩ@10V,21.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SO-8
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9435 ¥1.9832
  • 100+ ¥1.7996 ¥1.8363
  • 500+ ¥1.6556 ¥1.6894
  • 4000+ ¥1.5836 ¥1.6159
合计:¥29.15
标准包装数量:4000

VBGQT1102 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBGQT1102
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: TOLL;N—Channel沟道,100V,200A,RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;
    TOLL;N—Channel沟道,100V,200A,RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-10工作日
  • 10+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 1000+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥97.18
标准包装数量:1000

VBZF7N65S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZF7N65S
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: N—Channel沟道,650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
    N—Channel沟道,650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.4705 ¥4.5617
  • 100+ ¥4.1393 ¥4.2238
  • 500+ ¥3.8082 ¥3.8859
  • 4000+ ¥3.6426 ¥3.7169
合计:¥44.71
标准包装数量:4000

VBZMB2N60 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZMB2N60
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,600V,2.4A,RDS(ON),3200mΩ@10V,4000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F
    N—Channel沟道,600V,2.4A,RDS(ON),3200mΩ@10V,4000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.138 ¥2.1816
  • 100+ ¥1.9796 ¥2.02
  • 500+ ¥1.9004 ¥1.9392
  • 1000+ ¥1.8212 ¥1.8584
合计:¥32.07
标准包装数量:1000

SM4305PSKPC-TRG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4305PSKPC-TRG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-60A,RDS(ON),7.8mΩ@10V,9.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5~-2.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    P—Channel沟道,-30V,-60A,RDS(ON),7.8mΩ@10V,9.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5~-2.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.3066 ¥5.3833
  • 10+ ¥4.0533 ¥5.0666
  • 30+ ¥3.6175 ¥4.5219
  • 100+ ¥2.7106 ¥3.3883
  • 5000+ ¥2.6093 ¥3.2616
  • 15000+ ¥2.5333 ¥3.1666
合计:¥4.31
标准包装数量:5000

SM4850NSKC-TRG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4850NSKC-TRG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,60V,7.6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.54Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,60V,7.6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.54Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.5546 ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4394 ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3818 ¥1.41
  • 4000+ ¥1.3243 ¥1.3513
合计:¥31.09
标准包装数量:4000

SM7320ESQG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM7320ESQG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),4.3mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),4.3mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥2.9798 ¥3.0406
  • 5000+ ¥2.8502 ¥2.9084
合计:¥34.98
标准包装数量:5000

SM4029NSK-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4029NSK-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOP8\n适用于低功率控制和驱动应用,包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOP8\n适用于低功率控制和驱动应用,包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.5546 ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4394 ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3818 ¥1.41
  • 500+ ¥1.3818 ¥1.41
合计:¥31.09
标准包装数量:4000
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