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SM3424NHQA-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM3424NHQA-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。N沟道,30V,40A,RDS(ON),3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
    台积电流片,长电封测。\n适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。N沟道,30V,40A,RDS(ON),3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.5269 ¥2.5785
  • 100+ ¥2.3398 ¥2.3875
  • 500+ ¥2.1526 ¥2.1965
  • 5000+ ¥2.059 ¥2.101
合计:¥37.90
标准包装数量:5000

SM4374NSKP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4374NSKP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V) 一款单N沟道场效应管,适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。封装采用DFN8(5X6),适用于小型电路设计,有利于节省空间。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V) 一款单N沟道场效应管,适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。封装采用DFN8(5X6),适用于小型电路设计,有利于节省空间。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.4839 ¥2.5346
  • 5000+ ¥2.3759 ¥2.4244
合计:¥29.16
标准包装数量:5000

SM6016NSU-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6016NSU-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.7504 ¥1.7861
  • 100+ ¥1.6207 ¥1.6538
  • 500+ ¥1.5558 ¥1.5876
  • 2500+ ¥1.4911 ¥1.5215
合计:¥35.01
标准包装数量:2500

SM6A17NSFP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6A17NSFP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 1000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥116.61
标准包装数量:1000

SM4803DSKC-TRG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4803DSKC-TRG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,13.5A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,30V,13.5A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9435 ¥1.9832
  • 100+ ¥1.7996 ¥1.8363
  • 500+ ¥1.6556 ¥1.6894
  • 4000+ ¥1.5836 ¥1.6159
合计:¥29.15
标准包装数量:4000

SM6F25NSF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6F25NSF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,18A,RDS(ON),430mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220由于其较高的漏极-源极电压和导通电流能力,适用于工业电源模块中的开关电源和逆变器。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,18A,RDS(ON),430mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220由于其较高的漏极-源极电压和导通电流能力,适用于工业电源模块中的开关电源和逆变器。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.8305 ¥5.9495
  • 100+ ¥5.3986 ¥5.5088
  • 500+ ¥5.1826 ¥5.2884
  • 1000+ ¥4.9667 ¥5.0681
合计:¥58.31
标准包装数量:1000

SM6012NSUC-TRG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6012NSUC-TRG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.3325 ¥2.3801
  • 100+ ¥2.1597 ¥2.2038
  • 500+ ¥2.0733 ¥2.1156
  • 2500+ ¥1.987 ¥2.0275
合计:¥34.99
标准包装数量:2500

SM4301PSKC-TRG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4301PSKC-TRG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-15A,RDS(ON),5mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-30V,-15A,RDS(ON),5mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.4839 ¥2.5346
  • 4000+ ¥2.3759 ¥2.4244
合计:¥29.16
标准包装数量:4000

SM4600CSKC-TRG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4600CSKC-TRG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N+P—Channel沟道,±30V,10/-8A,RDS(ON),11/21mΩ@10V,13/28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.72 / 1.44Vth(V) 封装:SOP8
    N+P—Channel沟道,±30V,10/-8A,RDS(ON),11/21mΩ@10V,13/28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.72 / 1.44Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.5546 ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4394 ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3818 ¥1.41
  • 4000+ ¥1.3243 ¥1.3513
合计:¥31.09
标准包装数量:4000

SM9926DSK-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM9926DSK-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOP8适用于需要高性能开关的电路和模块,电源逆变器模块、电动车辆控制模块、工业自动化模块、LED 照明模块。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOP8适用于需要高性能开关的电路和模块,电源逆变器模块、电动车辆控制模块、工业自动化模块、LED 照明模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.1656 ¥1.1894
  • 100+ ¥1.0793 ¥1.1013
  • 500+ ¥1.0361 ¥1.0572
  • 4000+ ¥0.9929 ¥1.0132
合计:¥29.14
标准包装数量:4000

SM4831NAKC-TRG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4831NAKC-TRG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.1656 ¥1.1894
  • 100+ ¥1.0793 ¥1.1013
  • 500+ ¥1.0361 ¥1.0572
  • 4000+ ¥0.9929 ¥1.0132
合计:¥29.14
标准包装数量:4000

SM3317NSQA-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM3317NSQA-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于电源模块、电动车电机控制器、光伏逆变器等领域,可用于开关电源、电动车、光伏发电系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。\nN沟道,30V,40A,RDS(ON),11mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.3Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
    台积电流片,长电封测。\n适用于电源模块、电动车电机控制器、光伏逆变器等领域,可用于开关电源、电动车、光伏发电系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。\nN沟道,30V,40A,RDS(ON),11mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.3Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9435 ¥1.9832
  • 100+ ¥1.7996 ¥1.8363
  • 500+ ¥1.6556 ¥1.6894
  • 5000+ ¥1.5836 ¥1.6159
合计:¥29.15
标准包装数量:5000

PHN1018-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PHN1018-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.1656 ¥1.1894
  • 100+ ¥1.0793 ¥1.1013
  • 500+ ¥1.0361 ¥1.0572
  • 4000+ ¥0.9929 ¥1.0132
合计:¥29.14
标准包装数量:4000

P8006EDG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: P8006EDG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
    台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.138 ¥2.1816
  • 100+ ¥1.9796 ¥2.02
  • 500+ ¥1.9004 ¥1.9392
  • 2500+ ¥1.8212 ¥1.8584
合计:¥32.07
标准包装数量:2500

PHK5NQ15T-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PHK5NQ15T-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.7215 ¥2.777
  • 100+ ¥2.5199 ¥2.5713
  • 500+ ¥2.3183 ¥2.3656
  • 4000+ ¥2.2174 ¥2.2627
合计:¥27.22
标准包装数量:4000

SMG2304A-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SMG2304A-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:80
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 80+ ¥0.3493 ¥0.3564
  • 300+ ¥0.3234 ¥0.33
  • 500+ ¥0.3105 ¥0.3168
  • 3000+ ¥0.2975 ¥0.3036
合计:¥27.94
标准包装数量:3000

P9NK50Z-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: P9NK50Z-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
    台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.887 ¥3.9663
  • 100+ ¥3.5991 ¥3.6725
  • 500+ ¥3.4551 ¥3.5256
  • 1000+ ¥3.3111 ¥3.3787
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

P80NF10-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: P80NF10-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.887 ¥3.9663
  • 100+ ¥3.5991 ¥3.6725
  • 500+ ¥3.4551 ¥3.5256
  • 1000+ ¥3.3111 ¥3.3787
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

PHP1025-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PHP1025-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P—Channel沟道,-12V,-13A,RDS(ON),7mΩ@4.5V,8.4mΩ@2.5V,8Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-12V,-13A,RDS(ON),7mΩ@4.5V,8.4mΩ@2.5V,8Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.3614 ¥1.3892
  • 100+ ¥1.2606 ¥1.2863
  • 500+ ¥1.2101 ¥1.2348
  • 4000+ ¥1.1597 ¥1.1834
合计:¥27.23
标准包装数量:4000

PA606BMG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PA606BMG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。\nN沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
    台积电流片,长电封测。\n产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。\nN沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥0.7779 ¥0.7938
  • 100+ ¥0.7203 ¥0.735
  • 500+ ¥0.6915 ¥0.7056
  • 500+ ¥0.6915 ¥0.7056
合计:¥27.23
标准包装数量:3000
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