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2SJ562 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SJ562
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-89-3
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT-89-3
    P—Channel沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT-89-3
  • 库   存:397
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.1466
  • 50+ ¥1.0792
  • 150+ ¥0.9632
  • 500+ ¥0.7217
  • 1000+ ¥0.6947
  • 3000+ ¥0.6745
合计:¥5.73
标准包装数量:1000

SM4025PSU 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4025PSU
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO252
    P—Channel沟道,-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.0582 ¥3.8228
  • 10+ ¥2.8784 ¥3.598
  • 30+ ¥2.569 ¥3.2112
  • 100+ ¥1.9249 ¥2.4061
  • 2500+ ¥1.853 ¥2.3162
  • 7500+ ¥1.799 ¥2.2487
合计:¥3.06
标准包装数量:2500

MMBT7002 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MMBT7002
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
    N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:994
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.255 ¥0.3188
  • 50+ ¥0.24 ¥0.3
  • 150+ ¥0.2142 ¥0.2678
  • 500+ ¥0.1605 ¥0.2006
  • 3000+ ¥0.1545 ¥0.1931
  • 9000+ ¥0.15 ¥0.1875
合计:¥1.28
标准包装数量:3000

RU40120R 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RU40120R
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,40V,110A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,40V,110A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:90
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.0766 ¥5.0957
  • 10+ ¥3.8367 ¥4.7959
  • 30+ ¥3.4243 ¥4.2804
  • 100+ ¥2.5658 ¥3.2073
  • 1000+ ¥2.4699 ¥3.0874
  • 3000+ ¥2.3979 ¥2.9974
合计:¥4.08
标准包装数量:1000

AP9579GP-HF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AP9579GP-HF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),19mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.96Vth(V) 封装:TO220
    P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),19mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.96Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:50
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.4557 ¥6.8196
  • 10+ ¥4.9686 ¥6.2107
  • 30+ ¥4.6903 ¥5.8629
  • 100+ ¥4.1307 ¥5.1634
  • 1000+ ¥3.9749 ¥4.9686
  • 3000+ ¥3.897 ¥4.8712
合计:¥5.46
标准包装数量:1000

FDD4685 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD4685
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO-252
    P—Channel沟道,-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO-252
  • 库   存:45
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.0582 ¥3.8228
  • 10+ ¥2.8784 ¥3.598
  • 30+ ¥2.569 ¥3.2112
  • 100+ ¥1.9249 ¥2.4061
  • 2500+ ¥1.853 ¥2.3162
  • 7500+ ¥1.799 ¥2.2487
合计:¥3.06
标准包装数量:2500

SI7145DP-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7145DP-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: DFN8(5X6);P—Channel沟道,-30V;-100A;RDS(ON)=2.9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.3V;
    DFN8(5X6);P—Channel沟道,-30V;-100A;RDS(ON)=2.9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.3V;
  • 库   存:30
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.8757 ¥7.3446
  • 10+ ¥5.3511 ¥6.6889
  • 30+ ¥5.0514 ¥6.3143
  • 100+ ¥4.4487 ¥5.5609
  • 5000+ ¥4.2809 ¥5.3511
  • 15000+ ¥4.197 ¥5.2462
合计:¥5.88
标准包装数量:5000

NTF2955T1G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTF2955T1G
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-223
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-6.5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT-223
    P—Channel沟道,-60V,-6.5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT-223
  • 库   存:620
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.5482 ¥3.1853
  • 10+ ¥2.3984 ¥2.998
  • 30+ ¥2.1406 ¥2.6757
  • 100+ ¥1.6039 ¥2.0049
  • 2500+ ¥1.5439 ¥1.9299
  • 7500+ ¥1.499 ¥1.8737
合计:¥2.55
标准包装数量:2500

NDS335N-NL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NDS335N-NL
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
    N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:178
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.3053 ¥0.3816
  • 50+ ¥0.2874 ¥0.3592
  • 150+ ¥0.2565 ¥0.3206
  • 500+ ¥0.1922 ¥0.2402
  • 3000+ ¥0.185 ¥0.2312
  • 9000+ ¥0.1796 ¥0.2245
合计:¥1.53
标准包装数量:3000

SI4848DY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4848DY-T1-E3
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:80
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.636 ¥2.045
合计:¥8.18
标准包装数量:4000

STN3PF06 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STN3PF06
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-223
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-6.5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT223
    P—Channel沟道,-60V,-6.5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT223
  • 库   存:55
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.1688 ¥1.461
合计:¥5.84
标准包装数量:2500

NDS351AN-NL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NDS351AN-NL
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V) 封装:SOT23-3
    N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:596
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.2104 ¥0.263
合计:¥1.05
标准包装数量:3000

TJ30S06M3L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TJ30S06M3L
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO252
    P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:85
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.8696 ¥2.337
合计:¥9.35
标准包装数量:2500

SI4463CDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4463CDY-T1-GE3
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SO-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-11A,RDS(ON),11mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-30V,-11A,RDS(ON),11mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.5483
  • 10+ ¥2.3984
  • 30+ ¥2.1405
  • 100+ ¥1.6039
  • 4000+ ¥1.5439
  • 12000+ ¥1.499
合计:¥2.55
标准包装数量:4000

IRLML6401GTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML6401GTRPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
    P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:1812
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.14 ¥0.175
合计:¥0.70
标准包装数量:3000

SM2309PSAC-TRG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM2309PSAC-TRG
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:SOT23-3
    P—Channel沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:410
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.2104 ¥0.263
合计:¥1.05
标准包装数量:3000

EM6J1T2R-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: EM6J1T2R-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SC-75-6
  • 描述: P—Channel沟道,-20V,-0.5A,RDS(ON),500mΩ@4.5V,530mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.4Vth(V) 封装:SC75-6
    P—Channel沟道,-20V,-0.5A,RDS(ON),500mΩ@4.5V,530mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.4Vth(V) 封装:SC75-6
  • 库   存:400000
  • 起订量:40
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 40+ ¥0.6939
  • 100+ ¥0.6425
  • 500+ ¥0.6168
  • 3000+ ¥0.5911
合计:¥27.76
标准包装数量:3000

ELM34413AA-N-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ELM34413AA-N-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.42Vth(V) 封装:SOP8适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
    台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.42Vth(V) 封装:SOP8适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 20+ ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4688
  • 500+ ¥1.41
  • 4000+ ¥1.3513
合计:¥31.73
标准包装数量:4000

EMA30N03A-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: EMA30N03A-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 20+ ¥1.3892
  • 100+ ¥1.2863
  • 500+ ¥1.2348
  • 2500+ ¥1.1834
合计:¥27.78
标准包装数量:2500

F1405ZS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: F1405ZS-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: N—Channel沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263
    N—Channel沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥5.3541
  • 100+ ¥4.9575
  • 500+ ¥4.7592
  • 500+ ¥4.7592
合计:¥53.54
标准包装数量:800
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