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SIHFBF30S-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIHFBF30S-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: N—Channel沟道,900V,7A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO263
    N—Channel沟道,900V,7A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO263
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-10工作日
  • 10+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 1000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥116.61
标准包装数量:1000

VS6016HS-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VS6016HS-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,60V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,60V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.749 ¥1.7847
  • 100+ ¥1.6195 ¥1.6525
  • 500+ ¥1.4899 ¥1.5203
  • 4000+ ¥1.4251 ¥1.4542
合计:¥26.24
标准包装数量:4000

SI7846DP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7846DP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: DFN8(5X6);N—Channel沟道,150V;35A;RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
    DFN8(5X6);N—Channel沟道,150V;35A;RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.996 ¥7.1388
  • 100+ ¥6.4778 ¥6.61
  • 500+ ¥5.9596 ¥6.0812
  • 5000+ ¥5.7005 ¥5.8168
合计:¥69.96
标准包装数量:5000

WFF10N65-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: WFF10N65-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
    台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.8008 ¥3.8784
  • 1000+ ¥3.6425 ¥3.7168
合计:¥42.76
标准包装数量:1000

VBQF1695 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBQF1695
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: DFN8(3X3);2个N—Channel沟道,60V;6A;RDS(ON)=113mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
    DFN8(3X3);2个N—Channel沟道,60V;6A;RDS(ON)=113mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.3325 ¥2.3801
  • 100+ ¥2.1597 ¥2.2038
  • 500+ ¥1.987 ¥2.0275
  • 5000+ ¥1.9005 ¥1.9393
合计:¥34.99
标准包装数量:5000

MTB1D7N03E3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTB1D7N03E3-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: TO220;N—Channel沟道,30V;180A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.7V;
    TO220;N—Channel沟道,30V;180A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.7V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.5269 ¥2.5785
  • 100+ ¥2.3398 ¥2.3875
  • 500+ ¥2.2462 ¥2.292
  • 1000+ ¥2.1526 ¥2.1965
合计:¥37.90
标准包装数量:1000

SI7326DN-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7326DN-T1-GE3-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于电源模块、电动车电机控制器、光伏逆变器等领域,可用于开关电源、电动车、光伏发电系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。\nN沟道,30V,40A,RDS(ON),11mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.3Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
    台积电流片,长电封测。\n适用于电源模块、电动车电机控制器、光伏逆变器等领域,可用于开关电源、电动车、光伏发电系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。\nN沟道,30V,40A,RDS(ON),11mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.3Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.749 ¥1.7847
  • 100+ ¥1.6195 ¥1.6525
  • 500+ ¥1.4899 ¥1.5203
  • 5000+ ¥1.4251 ¥1.4542
合计:¥34.98
标准包装数量:5000

ZXMP4A16KTC-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMP4A16KTC-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:'TO252 用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
    台积电流片,长电封测。\n-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:'TO252 用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.3325 ¥2.3801
  • 100+ ¥2.1597 ¥2.2038
  • 500+ ¥2.0733 ¥2.1156
  • 2500+ ¥1.987 ¥2.0275
合计:¥34.99
标准包装数量:2500

ZXMN7A11KTC-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMN7A11KTC-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.36 ¥1.3878
  • 100+ ¥1.2593 ¥1.285
  • 500+ ¥1.2089 ¥1.2336
  • 2500+ ¥1.1586 ¥1.1822
合计:¥27.20
标准包装数量:2500

MTE040N15RV8-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTE040N15RV8-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: DFN8(3X3);2个N—Channel沟道,150V;21A;RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
    DFN8(3X3);2个N—Channel沟道,150V;21A;RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.4415 ¥5.5526
  • 100+ ¥5.0385 ¥5.1413
  • 500+ ¥4.6354 ¥4.73
  • 5000+ ¥4.4338 ¥4.5243
合计:¥54.42
标准包装数量:5000

W243-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: W243-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.3614 ¥1.3892
  • 100+ ¥1.2606 ¥1.2863
  • 500+ ¥1.2101 ¥1.2348
  • 4000+ ¥1.1597 ¥1.1834
合计:¥27.23
标准包装数量:4000

SI7904BDN-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7904BDN-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-8
  • 描述: DFN8(3X3);2个N—Channel沟道,20V;9.4A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.5~1.5V;
    DFN8(3X3);2个N—Channel沟道,20V;9.4A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.5~1.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.4839 ¥2.5346
  • 5000+ ¥2.3759 ¥2.4244
合计:¥29.16
标准包装数量:5000

VBM2311 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBM2311
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: TO220;P—Channel沟道,-30V;-65A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.8V;
    TO220;P—Channel沟道,-30V;-65A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.8V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.5269 ¥2.5785
  • 100+ ¥2.3398 ¥2.3875
  • 500+ ¥2.2462 ¥2.292
  • 1000+ ¥2.1526 ¥2.1965
合计:¥37.90
标准包装数量:1000

MTD5D0P03H8-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTD5D0P03H8-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:DFN-5
  • 描述: DFN8(5X6);P—Channel沟道,-30V;-120A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.74V;
    DFN8(5X6);P—Channel沟道,-30V;-120A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.74V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.0526 ¥5.1557
  • 100+ ¥4.6783 ¥4.7738
  • 500+ ¥4.3041 ¥4.3919
  • 5000+ ¥4.1169 ¥4.2009
合计:¥50.53
标准包装数量:5000

STL20NM20N-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STL20NM20N-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: DFN8(5X6);N—Channel沟道,200V;25A;RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
    DFN8(5X6);N—Channel沟道,200V;25A;RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 5000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥77.74
标准包装数量:5000

XP131A1330SR-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: XP131A1330SR-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.1656 ¥1.1894
  • 100+ ¥1.0793 ¥1.1013
  • 500+ ¥1.0361 ¥1.0572
  • 4000+ ¥0.9929 ¥1.0132
合计:¥29.14
标准包装数量:4000

WPM2026-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: WPM2026-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
    台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:115
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 115+ ¥0.2328 ¥0.2376
  • 300+ ¥0.2156 ¥0.22
  • 500+ ¥0.207 ¥0.2112
  • 3000+ ¥0.1984 ¥0.2024
合计:¥26.77
标准包装数量:3000

NCE60R1K2I-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NCE60R1K2I-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
    台积电流片,长电封测。\n适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.4839 ¥2.5346
  • 4000+ ¥2.3759 ¥2.4244
合计:¥29.16
标准包装数量:4000

VBZP11N70S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: VBZP11N70S
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO247;N—Channel沟道,700V;11A;RDS(ON)=450mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
    TO247;N—Channel沟道,700V;11A;RDS(ON)=450mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥8.7464 ¥8.9249
  • 100+ ¥8.0985 ¥8.2638
  • 500+ ¥7.4506 ¥7.6027
  • 900+ ¥7.1267 ¥7.2721
合计:¥87.46
标准包装数量:300

STW70N10F4-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STW70N10F4-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO247;N—Channel沟道,100V;80A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
    TO247;N—Channel沟道,100V;80A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
合计:¥97.18
标准包装数量:300
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