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SM6024PSF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6024PSF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO220
    P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.5269 ¥2.5785
  • 100+ ¥2.3398 ¥2.3875
  • 500+ ¥2.2462 ¥2.292
  • 1000+ ¥2.1526 ¥2.1965
合计:¥37.90
标准包装数量:1000

SM4309PSK-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4309PSK-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-15A,RDS(ON),5mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-30V,-15A,RDS(ON),5mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.4839 ¥2.5346
  • 4000+ ¥2.3759 ¥2.4244
合计:¥29.16
标准包装数量:4000

SM4804DSKC-TRG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4804DSKC-TRG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.3614 ¥1.3892
  • 100+ ¥1.2606 ¥1.2863
  • 500+ ¥1.2101 ¥1.2348
  • 4000+ ¥1.1597 ¥1.1834
合计:¥27.23
标准包装数量:4000

SM6025NSKP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6025NSKP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: N—Channel沟道,60V,100A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    N—Channel沟道,60V,100A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 5000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥77.74
标准包装数量:5000

SM4603CSKC-TRG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4603CSKC-TRG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N+P—Channel沟道,±30V,10/-8A,RDS(ON),11/21mΩ@10V,13/28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.72 / 1.44Vth(V) 封装:SOP8
    N+P—Channel沟道,±30V,10/-8A,RDS(ON),11/21mΩ@10V,13/28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.72 / 1.44Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.5546 ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4394 ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3818 ¥1.41
  • 4000+ ¥1.3243 ¥1.3513
合计:¥31.09
标准包装数量:4000

SM8A03NSF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM8A03NSF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,800V,9A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
    N—Channel沟道,800V,9A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 1000+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥97.18
标准包装数量:1000

SM6A22NSUB-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6A22NSUB-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
    台积电流片,长电封测。\n适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.4839 ¥2.5346
  • 4000+ ¥2.3759 ¥2.4244
合计:¥29.16
标准包装数量:4000

SM7321ESKP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM7321ESKP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),4.3mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),4.3mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥2.9798 ¥3.0406
  • 5000+ ¥2.8502 ¥2.9084
合计:¥34.98
标准包装数量:5000

SM3322NHQA-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM3322NHQA-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。N沟道,30V,40A,RDS(ON),3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
    台积电流片,长电封测。\n适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。N沟道,30V,40A,RDS(ON),3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.5269 ¥2.5785
  • 100+ ¥2.3398 ¥2.3875
  • 500+ ¥2.1526 ¥2.1965
  • 5000+ ¥2.059 ¥2.101
合计:¥37.90
标准包装数量:5000

SM6F03NSFP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6F03NSFP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.138 ¥2.1816
  • 100+ ¥1.9796 ¥2.02
  • 500+ ¥1.9004 ¥1.9392
  • 1000+ ¥1.8212 ¥1.8584
合计:¥32.07
标准包装数量:1000

SM4040DSK-TRG&30V-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4040DSK-TRG&30V-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.3614 ¥1.3892
  • 100+ ¥1.2606 ¥1.2863
  • 500+ ¥1.2101 ¥1.2348
  • 4000+ ¥1.1597 ¥1.1834
合计:¥27.23
标准包装数量:4000

SM6026NSKP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6026NSKP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: N—Channel沟道,60V,100A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    N—Channel沟道,60V,100A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 5000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥77.74
标准包装数量:5000

SM4024NSKP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4024NSKP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: N—Channel沟道,40V,75A,RDS(ON),4.7mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    N—Channel沟道,40V,75A,RDS(ON),4.7mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥2.9798 ¥3.0406
  • 5000+ ¥2.8502 ¥2.9084
合计:¥34.98
标准包装数量:5000

SM4307PSKPC-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4307PSKPC-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-60A,RDS(ON),7.8mΩ@10V,9.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5~-2.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    P—Channel沟道,-30V,-60A,RDS(ON),7.8mΩ@10V,9.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5~-2.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.1091 ¥3.1725
  • 100+ ¥2.8788 ¥2.9375
  • 500+ ¥2.6485 ¥2.7025
  • 5000+ ¥2.5333 ¥2.585
合计:¥31.09
标准包装数量:5000

SM8003NF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM8003NF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.8008 ¥3.8784
  • 1000+ ¥3.6425 ¥3.7168
合计:¥42.76
标准包装数量:1000

SM6F23NSU-TRG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6F23NSU-TRG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) \n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
    台积电流片,长电封测。\n650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) \n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥2.9798 ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.8502 ¥2.9084
合计:¥34.98
标准包装数量:2500

SM4831NAK-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4831NAK-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.1656 ¥1.1894
  • 100+ ¥1.0793 ¥1.1013
  • 500+ ¥1.0361 ¥1.0572
  • 4000+ ¥0.9929 ¥1.0132
合计:¥29.14
标准包装数量:4000

SM4378NSKP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4378NSKP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.82Vth(V) 封装:QFN8(5X6)产品是一款单极性N 型 MOSFET,该产品适用于需要更高漏极电流和低导通电阻的应用场景
    台积电流片,长电封测。\n30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.82Vth(V) 封装:QFN8(5X6)产品是一款单极性N 型 MOSFET,该产品适用于需要更高漏极电流和低导通电阻的应用场景
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.3325 ¥2.3801
  • 100+ ¥2.1597 ¥2.2038
  • 500+ ¥1.987 ¥2.0275
  • 5000+ ¥1.9005 ¥1.9393
合计:¥34.99
标准包装数量:5000

SM4034NSKP-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4034NSKP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:QFN-8
  • 描述: N—Channel沟道,40V,123A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    N—Channel沟道,40V,123A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.8305 ¥5.9495
  • 100+ ¥5.3986 ¥5.5088
  • 500+ ¥4.9667 ¥5.0681
  • 5000+ ¥4.7507 ¥4.8477
合计:¥58.31
标准包装数量:5000

SM4310PSKC-TRG-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4310PSKC-TRG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8\n用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。
    台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8\n用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。
  • 库   存:400000
  • 起订量:25
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 25+ ¥1.2635 ¥1.2893
  • 100+ ¥1.1699 ¥1.1938
  • 500+ ¥1.1231 ¥1.146
  • 500+ ¥1.1231 ¥1.146
合计:¥31.59
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