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QM3004D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: QM3004D
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8192 ¥1.024
合计:¥4.10
标准包装数量:2500

IRLU110P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLU110P
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: N—Channel沟道,100V,10A,RDS(ON),220mΩ@10V,264mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251
    N—Channel沟道,100V,10A,RDS(ON),220mΩ@10V,264mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8192 ¥1.024
合计:¥4.10
标准包装数量:4000

IRF7316TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7316TRPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:87
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8192 ¥1.024
合计:¥4.10
标准包装数量:4000

IRF9530NS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9530NS
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2~-4Vth(V) 封装:TO263
    P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2~-4Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:153
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4032 ¥1.754
合计:¥7.02
标准包装数量:800

IRFR9120TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR9120TRPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),188mΩ@10V,195mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.77Vth(V) 封装:TO252
    P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),188mΩ@10V,195mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.77Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:45
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.1688 ¥1.461
合计:¥5.84
标准包装数量:2500

IRF7313TR 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7313TR
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SO-8
  • 描述: N—Channel沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.73Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.73Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7008 ¥0.876
合计:¥3.50
标准包装数量:4000

ME15N10 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ME15N10
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:190
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.0528 ¥1.316
合计:¥5.26
标准包装数量:2500

SI4840BDY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4840BDY
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: N—Channel沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:140
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.9352 ¥1.169
合计:¥4.68
标准包装数量:4000

30P06 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 30P06
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252
    P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252
  • 库   存:85
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.8696 ¥2.337
合计:¥9.35
标准包装数量:2500

FQT7N10L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQT7N10L
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N—Channel沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT223-3
    N—Channel沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT223-3
  • 库   存:120
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.9352 ¥1.169
合计:¥4.68
标准包装数量:2500

NTD24N06LG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD24N06LG
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.0528 ¥1.316
合计:¥5.26
标准包装数量:2500

FDS6898AZ-NL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDS6898AZ-NL
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N—Channel沟道,20V,10A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8
    N—Channel沟道,20V,10A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8776 ¥1.097
合计:¥4.39
标准包装数量:4000

IRFR3910TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR3910TRPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:190
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.0528 ¥1.316
合计:¥5.26
标准包装数量:2500

STD5N52U 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STD5N52U
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.1688 ¥1.461
合计:¥5.84
标准包装数量:2500

STD30NF06L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STD30NF06L
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.0528 ¥1.316
合计:¥5.26
标准包装数量:2500

STD10NF06 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STD10NF06
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8192 ¥1.024
合计:¥4.10
标准包装数量:2500

RU40L10H 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RU40L10H
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P—Channel沟道,-40V,-8A,RDS(ON),17mΩ@10V,21mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.75Vth(V) 封装:SOP8
    P—Channel沟道,-40V,-8A,RDS(ON),17mΩ@10V,21mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.75Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.1688 ¥1.461
合计:¥5.84
标准包装数量:4000

P06P03LDG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: P06P03LDG
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: P—Channel沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
    P—Channel沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:200
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8192 ¥1.024
合计:¥4.10
标准包装数量:2500

NDS9952A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NDS9952A
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SO-8
  • 描述: N+P—Channel沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V) 封装:SOP8
    N+P—Channel沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V) 封装:SOP8
  • 库   存:100
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8192 ¥1.024
合计:¥4.10
标准包装数量:4000

IRFR420ATRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR420ATRPBF
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
    N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
  • 库   存:400
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8192 ¥1.024
合计:¥5.84
标准包装数量:2500
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