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APM2305BAC-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: APM2305BAC-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
    台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
  • 库   存:400000
  • 起订量:80
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 80+ ¥0.3564
  • 300+ ¥0.33
  • 500+ ¥0.3168
  • 3000+ ¥0.3036
合计:¥28.51
标准包装数量:3000

B12NM50-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: B12NM50-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: N—Channel沟道,650V,18A,RDS(ON),430mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
    N—Channel沟道,650V,18A,RDS(ON),430mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.8989
  • 100+ ¥11.0175
  • 500+ ¥10.1361
  • 800+ ¥9.6954
合计:¥118.99
标准包装数量:800

AP9575GJ-HF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AP9575GJ-HF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-25A,RDS(ON),66mΩ@10V,80mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.43Vth(V) 封装:TO251适用于电源管理、电动车辆、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块,为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。
    台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-25A,RDS(ON),66mΩ@10V,80mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.43Vth(V) 封装:TO251适用于电源管理、电动车辆、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块,为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.7861
  • 100+ ¥1.6538
  • 500+ ¥1.5215
  • 4000+ ¥1.4553
合计:¥35.72
标准包装数量:4000

IRFB3006GPBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB3006GPBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,60V,270A,RDS(ON),2.1mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,60V,270A,RDS(ON),2.1mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.3464
  • 100+ ¥5.8763
  • 500+ ¥5.6412
  • 1000+ ¥5.4062
合计:¥63.46
标准包装数量:1000

RJK1002DPN-E0-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RJK1002DPN-E0-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: N—Channel沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    N—Channel沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.9417
  • 100+ ¥6.4275
  • 500+ ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.6562
合计:¥69.42
标准包装数量:1000

AP4420GJ-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AP4420GJ-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: P—Channel沟道,-40V,-55A,RDS(ON),10mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:TO251
    P—Channel沟道,-40V,-55A,RDS(ON),10mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:TO251
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.1816
  • 100+ ¥2.02
  • 500+ ¥1.8584
  • 4000+ ¥1.7776
合计:¥32.72
标准包装数量:4000

B434-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: B434-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),8.4mΩ@4.5V,10mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.8~2.0Vth(V) 封装:TO263\n适用于各种电源和功率控制应用,特别是在需要高效能和低导通电阻的场合,包括电源模块、电机驱动模块、电动车充放电模块以及LED驱动模块等。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),8.4mΩ@4.5V,10mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.8~2.0Vth(V) 封装:TO263\n适用于各种电源和功率控制应用,特别是在需要高效能和低导通电阻的场合,包括电源模块、电机驱动模块、电动车充放电模块以及LED驱动模块等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.7861
  • 100+ ¥1.6538
  • 500+ ¥1.5876
  • 800+ ¥1.5215
合计:¥35.72
标准包装数量:800

APM2509NU-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: APM2509NU-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.3892
  • 100+ ¥1.2863
  • 500+ ¥1.2348
  • 2500+ ¥1.1834
合计:¥27.78
标准包装数量:2500

P8008BDA-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: P8008BDA-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
    台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.7861
  • 100+ ¥1.6538
  • 500+ ¥1.5876
  • 2500+ ¥1.5215
合计:¥35.72
标准包装数量:2500

2SK4013-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2SK4013-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
    N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.5337
  • 100+ ¥5.1238
  • 500+ ¥4.9188
  • 1000+ ¥4.7139
合计:¥55.34
标准包装数量:1000

AOB418-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOB418-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,170A,RDS(ON),3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263 可用作电机驱动器的功率开关管,用于控制工业机器人、输送带等设备的启停和转速,提高生产线的自动化程度和生产效率。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,170A,RDS(ON),3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263 可用作电机驱动器的功率开关管,用于控制工业机器人、输送带等设备的启停和转速,提高生产线的自动化程度和生产效率。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9754
  • 100+ ¥2.755
  • 500+ ¥2.6448
  • 800+ ¥2.5346
合计:¥29.75
标准包装数量:800

FU3802-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FU3802-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-251
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,100A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.76Vth(V) 封装:TO251\n该产品是单N沟道MOSFET,具有高性能、低损耗和稳定性的特点,适用于各种高功率和高频率控制的场合,能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,100A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.76Vth(V) 封装:TO251\n该产品是单N沟道MOSFET,具有高性能、低损耗和稳定性的特点,适用于各种高功率和高频率控制的场合,能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.6862
  • 100+ ¥1.5613
  • 500+ ¥1.4988
  • 4000+ ¥1.4364
合计:¥33.72
标准包装数量:4000

FQP10N20C-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQP10N20C-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,310mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220适用于各种低功耗和中功率应用。其适中的漏极-源极电压、低阈值电压和适度的导通电阻使其在多种场合下都具备良好的性能。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,310mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220适用于各种低功耗和中功率应用。其适中的漏极-源极电压、低阈值电压和适度的导通电阻使其在多种场合下都具备良好的性能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.5785
  • 100+ ¥2.3875
  • 500+ ¥2.292
  • 1000+ ¥2.1965
合计:¥38.68
标准包装数量:1000

FS4510-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FS4510-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263\n可用作变频器电路中的开关器件,用于控制交流电机的速度和转向。其高性能和可靠性使其适用于工业设备的变频驱动,如风机、水泵等,提高了工业生产过程中的能效和自动化水平。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263\n可用作变频器电路中的开关器件,用于控制交流电机的速度和转向。其高性能和可靠性使其适用于工业设备的变频驱动,如风机、水泵等,提高了工业生产过程中的能效和自动化水平。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3632
  • 100+ ¥4.04
  • 500+ ¥3.8784
  • 800+ ¥3.7168
合计:¥43.63
标准包装数量:800

IRLZ14S-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLZ14S-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.777
  • 100+ ¥2.5713
  • 500+ ¥2.4684
  • 800+ ¥2.3656
合计:¥27.77
标准包装数量:800

GTT8205S-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GTT8205S-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TSOP-6
  • 描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.5Vth(V) 封装:SOT23-6
    N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.5Vth(V) 封装:SOT23-6
  • 库   存:400000
  • 起订量:55
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 55+ ¥0.4955
  • 300+ ¥0.4588
  • 500+ ¥0.4404
  • 3000+ ¥0.4221
合计:¥27.25
标准包装数量:3000

HUF75344S3S-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HUF75344S3S-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.9663
  • 100+ ¥3.6725
  • 500+ ¥3.5256
  • 800+ ¥3.3787
合计:¥39.66
标准包装数量:800

IRF2204PBF-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF2204PBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220用于各类工业级电源设备的电源开关控制模块,如变频器、逆变器等,提供稳定、高效的电能转换和控制功能。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220用于各类工业级电源设备的电源开关控制模块,如变频器、逆变器等,提供稳定、高效的电能转换和控制功能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.3541
  • 100+ ¥4.9575
  • 500+ ¥4.7592
  • 1000+ ¥4.5609
合计:¥53.54
标准包装数量:1000

NCE60R900-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NCE60R900-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和相对低的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
    台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和相对低的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3632
  • 100+ ¥4.04
  • 500+ ¥3.8784
  • 1000+ ¥3.7168
合计:¥43.63
标准包装数量:1000

K3563_06-VB 场效应管(MOSFET)

  • 型号: K3563_06-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
    台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
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