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NTTFS4H05NTWG-VB 未分类

  • 型号: NTTFS4H05NTWG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
    台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.5546 ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4394 ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3243 ¥1.3513
  • 5000+ ¥1.2667 ¥1.2925
合计:¥31.09
标准包装数量:5000

25N10F7-VB TO220F 未分类

  • 型号: 25N10F7-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,50A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F由于其高漏极电流和高工作电压,适用于开关电源、DC-DC变换器和逆变器模块,提供高效的功率转换。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,50A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F由于其高漏极电流和高工作电压,适用于开关电源、DC-DC变换器和逆变器模块,提供高效的功率转换。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.7215 ¥2.777
  • 100+ ¥2.5199 ¥2.5713
  • 500+ ¥2.419 ¥2.4684
  • 1000+ ¥2.3183 ¥2.3656
合计:¥27.22
标准包装数量:1000

IXFP14N85X-VB 未分类

  • 型号: IXFP14N85X-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,20A,RDS(ON),219mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247在可再生能源领域,该器件可用于太阳能逆变器中的功率开关模块,将太阳能转换为可用的交流电能,推动清洁能源发展。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,20A,RDS(ON),219mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247在可再生能源领域,该器件可用于太阳能逆变器中的功率开关模块,将太阳能转换为可用的交流电能,推动清洁能源发展。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥17.9399 ¥18.306
  • 100+ ¥16.611 ¥16.95
  • 500+ ¥15.2821 ¥15.594
  • 900+ ¥14.6177 ¥14.916
合计:¥89.70
标准包装数量:300

2305A-VB SOT89-3 未分类

  • 型号: 2305A-VB SOT89-3
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT89-3适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT89-3适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥0.8746 ¥0.8924
  • 100+ ¥0.8098 ¥0.8263
  • 500+ ¥0.7773 ¥0.7932
  • 1000+ ¥0.745 ¥0.7602
合计:¥30.61
标准包装数量:1000

15N80K5-VB TO220F 未分类

  • 型号: 15N80K5-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,20A,RDS(ON),240mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F可用于工业中的变频器、电力调节器和电力因素校正器等,用于实现电力系统的控制和调节。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,20A,RDS(ON),240mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F可用于工业中的变频器、电力调节器和电力因素校正器等,用于实现电力系统的控制和调节。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 1000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥58.30
标准包装数量:1000

13N80K5-VB TO220F 未分类

  • 型号: 13N80K5-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,15A,RDS(ON),380mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F适用于LED照明系统中的驱动电路,用于调节LED灯的亮度和色温。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,15A,RDS(ON),380mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F适用于LED照明系统中的驱动电路,用于调节LED灯的亮度和色温。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 1000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥58.30
标准包装数量:1000

100N08N-VB TO220F 未分类

  • 型号: 100N08N-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于各种电子设备的功率控制和调节。其稳定的性能和高效的能量转换使其成为多种领域和模块中的重要组成部分。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于各种电子设备的功率控制和调节。其稳定的性能和高效的能量转换使其成为多种领域和模块中的重要组成部分。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.3194 ¥4.4076
  • 1000+ ¥4.1395 ¥4.224
合计:¥48.59
标准包装数量:1000

110N20N-VB TO220 未分类

  • 型号: 110N20N-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,88A,RDS(ON),9.9mΩ@10V,11.88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220该型号为单晶N沟道场效应管,其Trench技术和低漏极电阻确保了高效的电流控制和稳定的功率输出,适用于汽车系统的电源管理和电动驱动控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,88A,RDS(ON),9.9mΩ@10V,11.88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220该型号为单晶N沟道场效应管,其Trench技术和低漏极电阻确保了高效的电流控制和稳定的功率输出,适用于汽车系统的电源管理和电动驱动控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 1000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥58.30
标准包装数量:1000

10NM60ND-VB TO252 未分类

  • 型号: 10NM60ND-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥2.9798 ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.8502 ¥2.9084
合计:¥34.98
标准包装数量:2500

IRFS7430PBF-VB 未分类

  • 型号: IRFS7430PBF-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),1.4mΩ@10V,1.68mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,250A,RDS(ON),1.4mΩ@10V,1.68mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥6.2195 ¥6.3464
  • 100+ ¥5.7588 ¥5.8763
  • 500+ ¥5.5284 ¥5.6412
  • 800+ ¥5.2981 ¥5.4062
合计:¥31.10
标准包装数量:800

VST004N15HS-G-VB 未分类

  • 型号: VST004N15HS-G-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;150V;140A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
    台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;150V;140A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

VB165R01 未分类

  • 型号: VB165R01
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-650V,-0.8A,RDS(ON),8mΩ@10V,±20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:SOT23-3
    台积电流片,长电封测。P沟道,-650V,-0.8A,RDS(ON),8mΩ@10V,±20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:SOT23-3
  • 库   存:400000
  • 起订量:30
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 30+ ¥0.9328 ¥0.9518
  • 100+ ¥0.8637 ¥0.8813
  • 500+ ¥0.8291 ¥0.846
  • 3000+ ¥0.7946 ¥0.8108
合计:¥27.98
标准包装数量:3000

NTBGS6D5N15MC-VB 未分类

  • 型号: NTBGS6D5N15MC-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TO263 N-Channel沟道150V160A 0.005豪欧20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TO263 N-Channel沟道150V160A 0.005豪欧20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

TK9R6E15Q5-VB 未分类

  • 型号: TK9R6E15Q5-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;150V;140A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;可以广泛应用于电机驱动器,包括直流电机驱动器、步进电机驱动器等。
    台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;150V;140A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;可以广泛应用于电机驱动器,包括直流电机驱动器、步进电机驱动器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

NTBGS4D1N15MC-VB 未分类

  • 型号: NTBGS4D1N15MC-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TO263 N-Channel沟道150V160A 0.005豪欧20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TO263 N-Channel沟道150V160A 0.005豪欧20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6周
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

IPB060N15N5-VB 未分类

  • 型号: IPB060N15N5-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TO263 N-Channel沟道150V160A 0.005豪欧20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TO263 N-Channel沟道150V160A 0.005豪欧20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

VBL2303 未分类

  • 型号: VBL2303
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;P沟道;-40V;-110A;RDS(ON)=4.1mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=8.28mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;
    台积电流片,长电封测。TO263;P沟道;-40V;-110A;RDS(ON)=4.1mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=8.28mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.3194 ¥4.4076
  • 1000+ ¥4.1395 ¥4.224
合计:¥48.59
标准包装数量:1000

FDB075N15A-F085C-VB 未分类

  • 型号: FDB075N15A-F085C-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。该产品适用于单N型晶体管,具有150V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3.5V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为5.6m??。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为TO263。由于该晶体管具有高漏极-源极电压和电流特性,适用于LED照明驱动器中的功率开关电路,实现LED灯的高效驱动和稳定工作。
    台积电流片,长电封测。该产品适用于单N型晶体管,具有150V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3.5V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为5.6m??。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为TO263。由于该晶体管具有高漏极-源极电压和电流特性,适用于LED照明驱动器中的功率开关电路,实现LED灯的高效驱动和稳定工作。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

AOB66518L-VB 未分类

  • 型号: AOB66518L-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。该产品适用于单N型晶体管,具有150V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3.5V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为5.6m??。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为TO263。由于该晶体管具有高漏极-源极电压和电流特性,适用于LED照明驱动器中的功率开关电路,实现LED灯的高效驱动和稳定工作。
    台积电流片,长电封测。该产品适用于单N型晶体管,具有150V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3.5V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为5.6m??。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为TO263。由于该晶体管具有高漏极-源极电压和电流特性,适用于LED照明驱动器中的功率开关电路,实现LED灯的高效驱动和稳定工作。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

AP6NA3R5H-VB 未分类

  • 型号: AP6NA3R5H-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
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