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20N60-VB TO263 未分类

  • 型号: 20N60-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.8989
  • 100+ ¥11.0175
  • 500+ ¥10.1361
  • 800+ ¥9.6954
合计:¥118.99
标准包装数量:800

20N65M5-VB TO220 未分类

  • 型号: 20N65M5-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥10.9836
  • 100+ ¥10.17
  • 500+ ¥9.3564
  • 1000+ ¥8.9496
合计:¥54.92
标准包装数量:1000

2329S-VB -VB SOT23-3 未分类

  • 型号: 2329S-VB -VB SOT23-3
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-1.5A,RDS(ON),500mΩ@10V,560mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2.5Vth(V) 封装:SOT23-3适用于移动设备、传感器接口和医疗电子等多个领域和模块,为各类应用提供稳定可靠的电源和控制解决方案。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-1.5A,RDS(ON),500mΩ@10V,560mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2.5Vth(V) 封装:SOT23-3适用于移动设备、传感器接口和医疗电子等多个领域和模块,为各类应用提供稳定可靠的电源和控制解决方案。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥0.7938
  • 100+ ¥0.735
  • 500+ ¥0.7056
  • 3000+ ¥0.6762
合计:¥27.78
标准包装数量:3000

26CN10N-VB TO263 未分类

  • 型号: 26CN10N-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3632
  • 100+ ¥4.04
  • 500+ ¥3.8784
  • 800+ ¥3.7168
合计:¥43.63
标准包装数量:800

FDB075N15A-F085C-VB 未分类

  • 型号: FDB075N15A-F085C-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。该产品适用于单N型晶体管,具有150V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3.5V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为5.6m?。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为TO263。由于该晶体管具有高漏极-源极电压和电流特性,适用于LED照明驱动器中的功率开关电路,实现LED灯的高效驱动和稳定工作。
    台积电流片,长电封测。该产品适用于单N型晶体管,具有150V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3.5V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为5.6m?。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为TO263。由于该晶体管具有高漏极-源极电压和电流特性,适用于LED照明驱动器中的功率开关电路,实现LED灯的高效驱动和稳定工作。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.9326
  • 100+ ¥7.345
  • 500+ ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.4636
合计:¥79.33
标准包装数量:1000

5N60-VB TO252 未分类

  • 型号: 5N60-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9832
  • 100+ ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6894
合计:¥29.75
标准包装数量:2500

4N0403-VB TO252 未分类

  • 型号: 4N0403-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,40V,130A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.3Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电机驱动模块、电源转换模块、电动工具控制模块等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,40V,130A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.3Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电机驱动模块、电源转换模块、电动工具控制模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.9495
  • 100+ ¥5.5088
  • 500+ ¥5.0681
  • 2500+ ¥4.8477
合计:¥59.50
标准包装数量:2500

3NM60N-VB TO252 未分类

  • 型号: 3NM60N-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9832
  • 100+ ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6894
合计:¥29.75
标准包装数量:2500

50N10-VB TO263 未分类

  • 型号: 50N10-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3632
  • 100+ ¥4.04
  • 500+ ¥3.8784
  • 800+ ¥3.7168
合计:¥43.63
标准包装数量:800

5R250P-VB TO263 未分类

  • 型号: 5R250P-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.8989
  • 100+ ¥11.0175
  • 500+ ¥10.1361
  • 800+ ¥9.6954
合计:¥118.99
标准包装数量:800

40NF20-VB TO220F 未分类

  • 型号: 40NF20-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。在工业电力、电动车充电、太阳能和高压LED照明等领域的广泛应用,以及在这些应用中所扮演的角色。N沟道,200V,45A,RDS(ON),38mΩ@10V,43mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F
    台积电流片,长电封测。在工业电力、电动车充电、太阳能和高压LED照明等领域的广泛应用,以及在这些应用中所扮演的角色。N沟道,200V,45A,RDS(ON),38mΩ@10V,43mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥9.9158
  • 100+ ¥9.1813
  • 500+ ¥8.4468
  • 1000+ ¥8.0795
合计:¥99.16
标准包装数量:1000

3PN0603-VB TO263 未分类

  • 型号: 3PN0603-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263具有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263具有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.3464
  • 100+ ¥5.8763
  • 500+ ¥5.6412
  • 800+ ¥5.4062
合计:¥63.46
标准包装数量:800

4N06H1-VB TO263 未分类

  • 型号: 4N06H1-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263具有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263具有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.3464
  • 100+ ¥5.8763
  • 500+ ¥5.6412
  • 800+ ¥5.4062
合计:¥63.46
标准包装数量:800

4N60-VB TO252 未分类

  • 型号: 4N60-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9832
  • 100+ ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6894
合计:¥29.75
标准包装数量:2500

40N06-VB QFN8(5X6) 未分类

  • 型号: 40N06-VB QFN8(5X6)
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,30A,RDS(ON),15mΩ@10V,18mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)是一款多功能的功率半导体器件,适用于各种领域的电源和控制应用,具有出色的性能和可靠性,可满足不同应用的需求。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,30A,RDS(ON),15mΩ@10V,18mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)是一款多功能的功率半导体器件,适用于各种领域的电源和控制应用,具有出色的性能和可靠性,可满足不同应用的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.9663
  • 100+ ¥3.6725
  • 500+ ¥3.3787
  • 5000+ ¥3.2318
合计:¥39.66
标准包装数量:5000

3N80K5-VB TO252 未分类

  • 型号: 3N80K5-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252该MOSFET可用于电动车充电器中的开关电源模块,以支持高电压和高电流的充电需求,并提高充电效率。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252该MOSFET可用于电动车充电器中的开关电源模块,以支持高电压和高电流的充电需求,并提高充电效率。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.9586
  • 100+ ¥4.5913
  • 500+ ¥4.224
  • 2500+ ¥4.0403
合计:¥49.59
标准包装数量:2500

5N52U-VB TO252 未分类

  • 型号: 5N52U-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9832
  • 100+ ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6894
合计:¥29.75
标准包装数量:2500

4P04L04-VB TO252 未分类

  • 型号: 4P04L04-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),4.8mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252具有多种特性和应用领域,包括电源管理、汽车电子和电机驱动等,是一款功能强大且多用途的器件,可广泛应用于各种电子设备和系统中。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),4.8mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252具有多种特性和应用领域,包括电源管理、汽车电子和电机驱动等,是一款功能强大且多用途的器件,可广泛应用于各种电子设备和系统中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3632
  • 100+ ¥4.04
  • 500+ ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.5552
合计:¥43.63
标准包装数量:2500

4P04L08-VB TO252 未分类

  • 型号: 4P04L08-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),4.8mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252具有多种特性和应用领域,包括电源管理、汽车电子和电机驱动等,是一款功能强大且多用途的器件,可广泛应用于各种电子设备和系统中。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),4.8mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252具有多种特性和应用领域,包括电源管理、汽车电子和电机驱动等,是一款功能强大且多用途的器件,可广泛应用于各种电子设备和系统中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3632
  • 100+ ¥4.04
  • 500+ ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.5552
合计:¥43.63
标准包装数量:2500

4P0409-VB TO220 未分类

  • 型号: 4P0409-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-80A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-80A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
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