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15NM60ND-VB TO220 未分类

  • 型号: 15NM60ND-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥77.74
标准包装数量:1000

15P10P-VB TO252 未分类

  • 型号: 15P10P-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-15A,RDS(ON),120mΩ@10V,144mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252可用于工厂自动化系统中的驱动电机模块、传感器接口模块和工业机器人控制模块等
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-15A,RDS(ON),120mΩ@10V,144mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252可用于工厂自动化系统中的驱动电机模块、传感器接口模块和工业机器人控制模块等
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.4839 ¥2.5346
  • 2500+ ¥2.3759 ¥2.4244
合计:¥29.16
标准包装数量:2500

15N80K5-VB TO220F 未分类

  • 型号: 15N80K5-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,20A,RDS(ON),240mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F可用于工业中的变频器、电力调节器和电力因素校正器等,用于实现电力系统的控制和调节。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,20A,RDS(ON),240mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F可用于工业中的变频器、电力调节器和电力因素校正器等,用于实现电力系统的控制和调节。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 1000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥116.61
标准包装数量:1000

15NM65N-VB TO220 未分类

  • 型号: 15NM65N-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥77.74
标准包装数量:1000

135N08N-VB TO252 未分类

  • 型号: 135N08N-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款单N型场效应晶体管,具有80V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),以及3V的阈值电压(Vth)。在栅极-源极电压为10V时,具有5m??的导通电阻,最大漏极电流(ID)为75A。采用Trench技术制造,封装为TO252。适用于广泛的电子设备和系统,包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块,在这些领域中发挥着重要的作用。
    台积电流片,长电封测。一款单N型场效应晶体管,具有80V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),以及3V的阈值电压(Vth)。在栅极-源极电压为10V时,具有5m??的导通电阻,最大漏极电流(ID)为75A。采用Trench技术制造,封装为TO252。适用于广泛的电子设备和系统,包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块,在这些领域中发挥着重要的作用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.887 ¥3.9663
  • 100+ ¥3.5991 ¥3.6725
  • 500+ ¥3.3111 ¥3.3787
  • 2500+ ¥3.1672 ¥3.2318
合计:¥38.87
标准包装数量:2500

08N50C3-VB TO252 未分类

  • 型号: 08N50C3-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥2.9798 ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.8502 ¥2.9084
合计:¥34.98
标准包装数量:2500

50N06-VB TO220F 未分类

  • 型号: 50N06-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,70A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F高电压和适中的电流特性使其成为工业自动化设备中的理想选择,能够提供稳定可靠的开关控制功能,如工业电机控制和照明调节。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,70A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F高电压和适中的电流特性使其成为工业自动化设备中的理想选择,能够提供稳定可靠的开关控制功能,如工业电机控制和照明调节。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.5919 ¥2.6448
  • 1000+ ¥2.4839 ¥2.5346
合计:¥29.16
标准包装数量:1000

4P04L04-VB TO220 未分类

  • 型号: 4P04L04-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-80A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-80A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥3.1093 ¥3.1728
  • 1000+ ¥2.9798 ¥3.0406
合计:¥34.98
标准包装数量:1000

100N10F7-VB TO220 未分类

  • 型号: 100N10F7-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8029 ¥6.9417
  • 100+ ¥6.299 ¥6.4275
  • 500+ ¥5.795 ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.5431 ¥5.6562
合计:¥68.03
标准包装数量:1000

07N60C3-VB TO263 未分类

  • 型号: 07N60C3-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263用于太阳能光伏系统中的逆变器,将太阳能电能转换为交流电能,供给家庭和工业用电系统。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263用于太阳能光伏系统中的逆变器,将太阳能电能转换为交流电能,供给家庭和工业用电系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.3194 ¥4.4076
  • 800+ ¥4.1395 ¥4.224
合计:¥48.59
标准包装数量:800

180N10F3-VB TO220 未分类

  • 型号: 180N10F3-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8029 ¥6.9417
  • 100+ ¥6.299 ¥6.4275
  • 500+ ¥5.795 ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.5431 ¥5.6562
合计:¥68.03
标准包装数量:1000

4P0405-VB TO220 未分类

  • 型号: 4P0405-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-80A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-80A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥3.1093 ¥3.1728
  • 1000+ ¥2.9798 ¥3.0406
合计:¥34.98
标准包装数量:1000

50N06-VB TO251 未分类

  • 型号: 50N06-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,50A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.94Vth(V) 封装:TO251适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用,为相关领域提供了可靠的解决方案。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,50A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.94Vth(V) 封装:TO251适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用,为相关领域提供了可靠的解决方案。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.138 ¥2.1816
  • 100+ ¥1.9796 ¥2.02
  • 500+ ¥1.8212 ¥1.8584
  • 4000+ ¥1.742 ¥1.7776
合计:¥32.07
标准包装数量:4000

STL140N6F7-VB 未分类

  • 型号: STL140N6F7-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道;60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;
    台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道;60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3738 ¥4.4631
  • 100+ ¥4.0499 ¥4.1325
  • 500+ ¥3.7259 ¥3.8019
  • 5000+ ¥3.5639 ¥3.6366
合计:¥43.74
标准包装数量:5000

K1717-VB SOT89-3 未分类

  • 型号: K1717-VB SOT89-3
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3适用于各种功率电路应用。其具有高额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于要求较高电压和电流的电路设计。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3适用于各种功率电路应用。其具有高额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于要求较高电压和电流的电路设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥0.8746 ¥0.8924
  • 100+ ¥0.8098 ¥0.8263
  • 500+ ¥0.7773 ¥0.7932
  • 1000+ ¥0.745 ¥0.7602
合计:¥30.61
标准包装数量:1000

FI630G-VB TO220F 未分类

  • 型号: FI630G-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款高性能、可靠性强的单通道N型MOSFET,适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。N沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
    台积电流片,长电封测。一款高性能、可靠性强的单通道N型MOSFET,适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。N沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.5919 ¥2.6448
  • 1000+ ¥2.4839 ¥2.5346
合计:¥29.16
标准包装数量:1000

IXFP14N85X-VB 未分类

  • 型号: IXFP14N85X-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,20A,RDS(ON),219mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247在可再生能源领域,该器件可用于太阳能逆变器中的功率开关模块,将太阳能转换为可用的交流电能,推动清洁能源发展。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,20A,RDS(ON),219mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247在可再生能源领域,该器件可用于太阳能逆变器中的功率开关模块,将太阳能转换为可用的交流电能,推动清洁能源发展。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥17.9399 ¥18.306
  • 100+ ¥16.611 ¥16.95
  • 500+ ¥15.2821 ¥15.594
  • 900+ ¥14.6177 ¥14.916
合计:¥89.70
标准包装数量:300

RS1E220AT-VB 未分类

  • 型号: RS1E220AT-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种电源管理、功率控制和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。-30V,-100A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    台积电流片,长电封测。VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种电源管理、功率控制和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。-30V,-100A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.4415 ¥5.5526
  • 100+ ¥5.0385 ¥5.1413
  • 500+ ¥4.6354 ¥4.73
  • 5000+ ¥4.4338 ¥4.5243
合计:¥54.42
标准包装数量:5000

J472-01L-VB TO251 未分类

  • 型号: J472-01L-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-15A,RDS(ON),45mΩ@10V,60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:TO251适用于电源管理、LED照明、电动工具和工业自动化等领域,能够提供稳定的功率输出和高效的能量转换。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-15A,RDS(ON),45mΩ@10V,60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:TO251适用于电源管理、LED照明、电动工具和工业自动化等领域,能够提供稳定的功率输出和高效的能量转换。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.5546 ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4394 ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3818 ¥1.41
  • 4000+ ¥1.3243 ¥1.3513
合计:¥31.09
标准包装数量:4000

SIR180DP-VB 未分类

  • 型号: SIR180DP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
    台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.9586
  • 100+ ¥4.5913
  • 500+ ¥4.224
  • 500+ ¥4.224
合计:¥49.59
标准包装数量:5000
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