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6R165P-VB TO263 未分类

  • 型号: 6R165P-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 800+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥116.61
标准包装数量:800

6R600E6-VB TO252 未分类

  • 型号: 6R600E6-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥2.9798 ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.8502 ¥2.9084
合计:¥34.98
标准包装数量:2500

D7NM50N-VB TO251 未分类

  • 型号: D7NM50N-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi的一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,适合用于各种功率电子应用中。650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
    台积电流片,长电封测。VBsemi的一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,适合用于各种功率电子应用中。650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.4705 ¥4.5617
  • 100+ ¥4.1393 ¥4.2238
  • 500+ ¥3.8082 ¥3.8859
  • 4000+ ¥3.6426 ¥3.7169
合计:¥44.71
标准包装数量:4000

D11NM60N-VB TO252 未分类

  • 型号: D11NM60N-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥2.9798 ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.8502 ¥2.9084
合计:¥34.98
标准包装数量:2500

6R250P-VB TO263 未分类

  • 型号: 6R250P-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 800+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥116.61
标准包装数量:800

90N15F4-VB TO263 未分类

  • 型号: 90N15F4-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。150V,90A,RDS(ON),11mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263一款单N型功率场效应管,具有高性能和可靠性,适用于多种电力应用。高电压和大电流能力使其成为电动车电机控制模块中的理想选择,用于驱动电动车电机并实现精准的速度和扭矩控制。
    台积电流片,长电封测。150V,90A,RDS(ON),11mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263一款单N型功率场效应管,具有高性能和可靠性,适用于多种电力应用。高电压和大电流能力使其成为电动车电机控制模块中的理想选择,用于驱动电动车电机并实现精准的速度和扭矩控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.9102 ¥7.0512
  • 800+ ¥6.6223 ¥6.7574
合计:¥77.74
标准包装数量:800

40NF20-VB TO220 未分类

  • 型号: 40NF20-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,50A,RDS(ON),36mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220具有较高的漏极电流和额定漏极-源极电压,适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。该器件具有优异的功率特性和高效的能量转换能力,也可适用于功率开关模块。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,50A,RDS(ON),36mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220具有较高的漏极电流和额定漏极-源极电压,适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。该器件具有优异的功率特性和高效的能量转换能力,也可适用于功率开关模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥77.74
标准包装数量:1000

AP9446YT-VB 未分类

  • 型号: AP9446YT-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
    台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.5546 ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4394 ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3243 ¥1.3513
  • 5000+ ¥1.2667 ¥1.2925
合计:¥31.09
标准包装数量:5000

3PN0604-VB TO263 未分类

  • 型号: 3PN0604-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.8305 ¥5.9495
  • 100+ ¥5.3986 ¥5.5088
  • 500+ ¥5.1826 ¥5.2884
  • 800+ ¥4.9667 ¥5.0681
合计:¥58.31
标准包装数量:800

BSC019N06NS-VB 未分类

  • 型号: BSC019N06NS-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
    台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3738 ¥4.4631
  • 100+ ¥4.0499 ¥4.1325
  • 500+ ¥3.7259 ¥3.8019
  • 5000+ ¥3.5639 ¥3.6366
合计:¥43.74
标准包装数量:5000

9R340C-VB TO220F 未分类

  • 型号: 9R340C-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,900V,20A,RDS(ON),270mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220F可用于工业控制模块中的开关控制和电源管理,例如电机驱动、温度控制等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,900V,20A,RDS(ON),270mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220F可用于工业控制模块中的开关控制和电源管理,例如电机驱动、温度控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-10工作日
  • 10+ ¥23.3218 ¥23.7978
  • 100+ ¥21.5943 ¥22.035
  • 500+ ¥19.8668 ¥20.2722
  • 1000+ ¥19.003 ¥19.3908
合计:¥233.22
标准包装数量:1000

3N40K3-VB TO252 未分类

  • 型号: 3N40K3-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9435 ¥1.9832
  • 100+ ¥1.7996 ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7275 ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6556 ¥1.6894
合计:¥29.15
标准包装数量:2500

AP6NA1R7LCMT-VB 未分类

  • 型号: AP6NA1R7LCMT-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
    台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.1395 ¥4.224
  • 5000+ ¥3.9595 ¥4.0403
合计:¥48.59
标准包装数量:5000

AP6N2R0QCMT-VB 未分类

  • 型号: AP6N2R0QCMT-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
    台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.1395 ¥4.224
  • 5000+ ¥3.9595 ¥4.0403
合计:¥48.59
标准包装数量:5000

3PN06L04-VB TO263 未分类

  • 型号: 3PN06L04-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.8305 ¥5.9495
  • 100+ ¥5.3986 ¥5.5088
  • 500+ ¥5.1826 ¥5.2884
  • 800+ ¥4.9667 ¥5.0681
合计:¥58.31
标准包装数量:800

80N10F7-VB TO220F 未分类

  • 型号: 80N10F7-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于各种电子设备的功率控制和调节。其稳定的性能和高效的能量转换使其成为多种领域和模块中的重要组成部分。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于各种电子设备的功率控制和调节。其稳定的性能和高效的能量转换使其成为多种领域和模块中的重要组成部分。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.3194 ¥4.4076
  • 1000+ ¥4.1395 ¥4.224
合计:¥48.59
标准包装数量:1000

AP6NA2R3MT-VB 未分类

  • 型号: AP6NA2R3MT-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
    台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.1395 ¥4.224
  • 5000+ ¥3.9595 ¥4.0403
合计:¥48.59
标准包装数量:5000

FDMC2D8N025S-VB 未分类

  • 型号: FDMC2D8N025S-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
    台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.5546 ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4394 ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3243 ¥1.3513
  • 5000+ ¥1.2667 ¥1.2925
合计:¥31.09
标准包装数量:5000

FDH055N15A-VB 未分类

  • 型号: FDH055N15A-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;150V;180A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;150V;180A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
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VBGL1201N 未分类

  • 型号: VBGL1201N
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。该产品采用的SGT技术,能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,具备的高性能和可靠性能够满足工业环境中的高功率、高频率和高温要求,提高工业生产效率和控制精度。SGT technology Power MOSFET TO263;N沟道,200V,100A,RDS(ON),0.011Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
    台积电流片,长电封测。该产品采用的SGT技术,能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,具备的高性能和可靠性能够满足工业环境中的高功率、高频率和高温要求,提高工业生产效率和控制精度。SGT technology Power MOSFET TO263;N沟道,200V,100A,RDS(ON),0.011Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥15.5479 ¥15.8652
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