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BSZ018NE2LS-VB 未分类

  • 型号: BSZ018NE2LS-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
    台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.5546 ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4394 ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3243 ¥1.3513
  • 5000+ ¥1.2667 ¥1.2925
合计:¥31.09
标准包装数量:5000

BSZ036NE2LS-VB 未分类

  • 型号: BSZ036NE2LS-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
    台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.5546 ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4394 ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3243 ¥1.3513
  • 5000+ ¥1.2667 ¥1.2925
合计:¥31.09
标准包装数量:5000

SI7155DP-VB 未分类

  • 型号: SI7155DP-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-150A,RDS(ON),3mΩ@10V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-150A,RDS(ON),3mΩ@10V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.3541
  • 100+ ¥4.9575
  • 500+ ¥4.5609
  • 5000+ ¥4.3626
合计:¥53.54
标准包装数量:5000

VBQA2403 未分类

  • 型号: VBQA2403
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-150A,RDS(ON),3mΩ@10V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-150A,RDS(ON),3mΩ@10V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.8305 ¥5.9495
  • 100+ ¥5.3986 ¥5.5088
  • 500+ ¥4.9667 ¥5.0681
  • 5000+ ¥4.7507 ¥4.8477
合计:¥58.31
标准包装数量:5000

6679-VB TO252 未分类

  • 型号: 6679-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252可以用作开关电源中的功率开关器件
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252可以用作开关电源中的功率开关器件
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.138 ¥2.1816
  • 100+ ¥1.9796 ¥2.02
  • 500+ ¥1.9004 ¥1.9392
  • 2500+ ¥1.8212 ¥1.8584
合计:¥32.07
标准包装数量:2500

6R600C6-VB TO263 未分类

  • 型号: 6R600C6-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263用于太阳能光伏系统中的逆变器,将太阳能电能转换为交流电能,供给家庭和工业用电系统。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263用于太阳能光伏系统中的逆变器,将太阳能电能转换为交流电能,供给家庭和工业用电系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.3194 ¥4.4076
  • 800+ ¥4.1395 ¥4.224
合计:¥48.59
标准包装数量:800

DMPH33M8SPSWQ-VB 未分类

  • 型号: DMPH33M8SPSWQ-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种电源管理、功率控制和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。-30V,-100A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    台积电流片,长电封测。VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种电源管理、功率控制和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。-30V,-100A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.4415 ¥5.5526
  • 100+ ¥5.0385 ¥5.1413
  • 500+ ¥4.6354 ¥4.73
  • 5000+ ¥4.4338 ¥4.5243
合计:¥54.42
标准包装数量:5000

D1NK80Z-VB TO251 未分类

  • 型号: D1NK80Z-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251作为高压MOSFET器件,可用于LED照明系统中的功率调节和开关,提高系统的能效和稳定性。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251作为高压MOSFET器件,可用于LED照明系统中的功率调节和开关,提高系统的能效和稳定性。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.6649 ¥4.7601
  • 100+ ¥4.3194 ¥4.4075
  • 500+ ¥3.9738 ¥4.0549
  • 4000+ ¥3.801 ¥3.8786
合计:¥46.65
标准包装数量:4000

DMP4006SPSW-VB 未分类

  • 型号: DMP4006SPSW-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-150A,RDS(ON),3mΩ@10V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-150A,RDS(ON),3mΩ@10V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.8305 ¥5.9495
  • 100+ ¥5.3986 ¥5.5088
  • 500+ ¥4.9667 ¥5.0681
  • 5000+ ¥4.7507 ¥4.8477
合计:¥58.31
标准包装数量:5000

AONS21303C-VB 未分类

  • 型号: AONS21303C-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种电源管理、功率控制和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。-30V,-100A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    台积电流片,长电封测。VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种电源管理、功率控制和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。-30V,-100A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8977 ¥4.9977
  • 100+ ¥4.535 ¥4.6275
  • 500+ ¥4.1722 ¥4.2573
  • 5000+ ¥3.9908 ¥4.0722
合计:¥48.98
标准包装数量:5000

6679S-VB TO263 未分类

  • 型号: 6679S-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。-30V,-75A,RDS(ON),8mΩ@10V,9.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO263一款单P型MOSFET,适用于各种电源和功率控制应用,包括但不限于开关电源、驱动器、电机控制、汽车电子系统和LED照明等领域的模块设计。
    台积电流片,长电封测。-30V,-75A,RDS(ON),8mΩ@10V,9.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO263一款单P型MOSFET,适用于各种电源和功率控制应用,包括但不限于开关电源、驱动器、电机控制、汽车电子系统和LED照明等领域的模块设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.5919 ¥2.6448
  • 800+ ¥2.4839 ¥2.5346
合计:¥29.16
标准包装数量:800

T1443-VB TO251 未分类

  • 型号: T1443-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,10A,RDS(ON),220mΩ@10V,264mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251适用于汽车电子、工业控制、电源转换器、家用电器等多种领域和模块,可为各种电子设备提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,10A,RDS(ON),220mΩ@10V,264mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251适用于汽车电子、工业控制、电源转换器、家用电器等多种领域和模块,可为各种电子设备提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.3614 ¥1.3892
  • 100+ ¥1.2606 ¥1.2863
  • 500+ ¥1.2101 ¥1.2348
  • 4000+ ¥1.1597 ¥1.1834
合计:¥27.23
标准包装数量:4000

D2NK70Z-VB TO251 未分类

  • 型号: D2NK70Z-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。可以用作充电控制器的开关器件,实现充电电流的控制和电池充电管理,保障充电过程的安全和稳定。N沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO251
    台积电流片,长电封测。可以用作充电控制器的开关器件,实现充电电流的控制和电池充电管理,保障充电过程的安全和稳定。N沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO251
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.138 ¥2.1816
  • 100+ ¥1.9796 ¥2.02
  • 500+ ¥1.8212 ¥1.8584
  • 4000+ ¥1.742 ¥1.7776
合计:¥32.07
标准包装数量:4000

D3NK60Z-VB TO252 未分类

  • 型号: D3NK60Z-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9435 ¥1.9832
  • 100+ ¥1.7996 ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7275 ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6556 ¥1.6894
合计:¥29.15
标准包装数量:2500

T1345-VB TO252 未分类

  • 型号: T1345-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-15A,RDS(ON),120mΩ@10V,144mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252可用于工厂自动化系统中的驱动电机模块、传感器接口模块和工业机器人控制模块等
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-15A,RDS(ON),120mΩ@10V,144mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252可用于工厂自动化系统中的驱动电机模块、传感器接口模块和工业机器人控制模块等
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.4839 ¥2.5346
  • 2500+ ¥2.3759 ¥2.4244
合计:¥29.16
标准包装数量:2500

60N55F3-VB TO220F 未分类

  • 型号: 60N55F3-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款单通道N沟道场效应管,具有高电压、高电流和低导通电阻的特点。适用于要求高功率和高效能的电子应用领域。60V,120A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
    台积电流片,长电封测。一款单通道N沟道场效应管,具有高电压、高电流和低导通电阻的特点。适用于要求高功率和高效能的电子应用领域。60V,120A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.8008 ¥3.8784
  • 1000+ ¥3.6425 ¥3.7168
合计:¥42.76
标准包装数量:1000

D2NK70Z-VB TO252 未分类

  • 型号: D2NK70Z-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO252可用于工业自动化设备中的电源模块,如变频器、电力传输和UPS系统,提供可靠的功率转换和控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO252可用于工业自动化设备中的电源模块,如变频器、电力传输和UPS系统,提供可靠的功率转换和控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.3325 ¥2.3801
  • 100+ ¥2.1597 ¥2.2038
  • 500+ ¥2.0733 ¥2.1156
  • 2500+ ¥1.987 ¥2.0275
合计:¥34.99
标准包装数量:2500

19NF20-VB TO263 未分类

  • 型号: 19NF20-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,40A,RDS(ON),48mΩ@10V,20Vgs(±V);3.3Vth(V) 封装:TO263适用于工业控制领域中的功率开关模块,如PLC(可编程逻辑控制器)和传感器控制器,以确保设备的可靠性和稳定性。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,40A,RDS(ON),48mΩ@10V,20Vgs(±V);3.3Vth(V) 封装:TO263适用于工业控制领域中的功率开关模块,如PLC(可编程逻辑控制器)和传感器控制器,以确保设备的可靠性和稳定性。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8029 ¥6.9417
  • 100+ ¥6.299 ¥6.4275
  • 500+ ¥6.047 ¥6.1704
  • 800+ ¥5.795 ¥5.9133
合计:¥68.03
标准包装数量:800

18P06P-VB TO252 未分类

  • 型号: 18P06P-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-22A,RDS(ON),48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:TO252在直流电机控制模块中,适用于电机驱动和速度调节,确保直流电机的稳定运行,并提高其效率和性能。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-22A,RDS(ON),48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:TO252在直流电机控制模块中,适用于电机驱动和速度调节,确保直流电机的稳定运行,并提高其效率和性能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.3325 ¥2.3801
  • 100+ ¥2.1597 ¥2.2038
  • 500+ ¥2.0733 ¥2.1156
  • 2500+ ¥1.987 ¥2.0275
合计:¥34.99
标准包装数量:2500

2329S-VB TO220 未分类

  • 型号: 2329S-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-18A,RDS(ON),167mΩ@10V,178mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO220可用于开关电源、直流电源和电池管理系统中,提高系统的效率和稳定性。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-18A,RDS(ON),167mΩ@10V,178mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO220可用于开关电源、直流电源和电池管理系统中,提高系统的效率和稳定性。
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