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4P0409-VB TO220 未分类

  • 型号: 4P0409-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-80A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-80A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥3.5694
  • 100+ ¥3.305
  • 500+ ¥3.1728
  • 1000+ ¥3.0406
合计:¥35.69
标准包装数量:1000

045N10N-VB TO220 未分类

  • 型号: 045N10N-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
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  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥6.9417
  • 100+ ¥6.4275
  • 500+ ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.6562
合计:¥69.42
标准包装数量:1000

5R250P-VB TO263 未分类

  • 型号: 5R250P-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
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  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥11.8989
  • 100+ ¥11.0175
  • 500+ ¥10.1361
  • 800+ ¥9.6954
合计:¥118.99
标准包装数量:800

4N06H1-VB TO263 未分类

  • 型号: 4N06H1-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263具有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263具有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥6.3464
  • 100+ ¥5.8763
  • 500+ ¥5.6412
  • 800+ ¥5.4062
合计:¥63.46
标准包装数量:800

05CN10N-VB TO263 未分类

  • 型号: 05CN10N-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥6.941
  • 100+ ¥6.4269
  • 500+ ¥6.1698
  • 800+ ¥5.9127
合计:¥69.41
标准包装数量:800

10NM60N-VB TO252 未分类

  • 型号: 10NM60N-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥3.5694
  • 100+ ¥3.305
  • 500+ ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.9084
合计:¥35.69
标准包装数量:2500

1203M-VB TO251 未分类

  • 型号: 1203M-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,320mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO251具有较高的额定电压和漏极电流,适用于各种电源模块,如直流稳压器和开关电源。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,320mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO251具有较高的额定电压和漏极电流,适用于各种电源模块,如直流稳压器和开关电源。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 15+ ¥1.8833
  • 100+ ¥1.7438
  • 500+ ¥1.6043
  • 4000+ ¥1.5345
合计:¥28.25
标准包装数量:4000

126N10N-VB TO220F 未分类

  • 型号: 126N10N-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于各种电子设备的功率控制和调节。其稳定的性能和高效的能量转换使其成为多种领域和模块中的重要组成部分。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于各种电子设备的功率控制和调节。其稳定的性能和高效的能量转换使其成为多种领域和模块中的重要组成部分。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥4.9586
  • 100+ ¥4.5913
  • 500+ ¥4.4076
  • 1000+ ¥4.224
合计:¥49.59
标准包装数量:1000

08P06P-VB TO263 未分类

  • 型号: 08P06P-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-20A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO263适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电路保护、电机控制、电源逆变和汽车电子等,为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-20A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO263适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电路保护、电机控制、电源逆变和汽车电子等,为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥2.9754
  • 100+ ¥2.755
  • 500+ ¥2.6448
  • 800+ ¥2.5346
合计:¥29.75
标准包装数量:800

12CN10N-VB TO252 未分类

  • 型号: 12CN10N-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252适用于电源管理模块中的开关稳压器、DC-DC转换器和电池管理系统等应用。其低漏极-源极电阻可实现高效的能源转换和稳定的电源输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252适用于电源管理模块中的开关稳压器、DC-DC转换器和电池管理系统等应用。其低漏极-源极电阻可实现高效的能源转换和稳定的电源输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥3.5694
  • 100+ ¥3.305
  • 500+ ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.9084
合计:¥35.69
标准包装数量:2500

DMPH33M8SPSWQ-VB 未分类

  • 型号: DMPH33M8SPSWQ-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种电源管理、功率控制和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。-30V,-100A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    台积电流片,长电封测。VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种电源管理、功率控制和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。-30V,-100A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥5.5526
  • 100+ ¥5.1413
  • 500+ ¥4.73
  • 5000+ ¥4.5243
合计:¥55.53
标准包装数量:5000

DMP4006SPSW-VB 未分类

  • 型号: DMP4006SPSW-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-150A,RDS(ON),3mΩ@10V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-150A,RDS(ON),3mΩ@10V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥5.9495
  • 100+ ¥5.5088
  • 500+ ¥5.0681
  • 5000+ ¥4.8477
合计:¥59.50
标准包装数量:5000

6R199P-VB TO263 未分类

  • 型号: 6R199P-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥11.8989
  • 100+ ¥11.0175
  • 500+ ¥10.1361
  • 800+ ¥9.6954
合计:¥118.99
标准包装数量:800

65C6190-VB TO220 未分类

  • 型号: 65C6190-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 5+ ¥10.9836
  • 100+ ¥10.17
  • 500+ ¥9.3564
  • 1000+ ¥8.9496
合计:¥54.92
标准包装数量:1000

D2NK70Z-VB TO251 未分类

  • 型号: D2NK70Z-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。可以用作充电控制器的开关器件,实现充电电流的控制和电池充电管理,保障充电过程的安全和稳定。N沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO251
    台积电流片,长电封测。可以用作充电控制器的开关器件,实现充电电流的控制和电池充电管理,保障充电过程的安全和稳定。N沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO251
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 15+ ¥2.1816
  • 100+ ¥2.02
  • 500+ ¥1.8584
  • 4000+ ¥1.7776
合计:¥32.72
标准包装数量:4000

D3NK60Z-VB TO252 未分类

  • 型号: D3NK60Z-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 15+ ¥1.9832
  • 100+ ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6894
合计:¥29.75
标准包装数量:2500

40P03GJ-VB TO252 未分类

  • 型号: 40P03GJ-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-40A,RDS(ON),18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:TO252适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-40A,RDS(ON),18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:TO252适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 20+ ¥1.7861
  • 100+ ¥1.6538
  • 500+ ¥1.5876
  • 2500+ ¥1.5215
合计:¥35.72
标准包装数量:2500

80N10F7-VB TO252 未分类

  • 型号: 80N10F7-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252适用于电源管理模块中的开关稳压器、DC-DC转换器和电池管理系统等应用。其低漏极-源极电阻可实现高效的能源转换和稳定的电源输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252适用于电源管理模块中的开关稳压器、DC-DC转换器和电池管理系统等应用。其低漏极-源极电阻可实现高效的能源转换和稳定的电源输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥3.5694
  • 100+ ¥3.305
  • 500+ ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.9084
合计:¥35.69
标准包装数量:2500

50N10-VB TO263 未分类

  • 型号: 50N10-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥4.3632
  • 100+ ¥4.04
  • 500+ ¥3.8784
  • 800+ ¥3.7168
合计:¥43.63
标准包装数量:800

042P03L-VB TO252 未分类

  • 型号: 042P03L-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252可以用作开关电源中的功率开关器件
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252可以用作开关电源中的功率开关器件
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