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18N60M2-VB TO220 未分类

  • 型号: 18N60M2-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

20NF20-VB TO252 未分类

  • 型号: 20NF20-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,25A,RDS(ON),54mΩ@10V,112mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252可以应用于汽车电子模块,如车载电源控制模块、发动机管理系统等,提供可靠的电力控制和管理功能。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,25A,RDS(ON),54mΩ@10V,112mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252可以应用于汽车电子模块,如车载电源控制模块、发动机管理系统等,提供可靠的电力控制和管理功能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥6.8029 ¥6.9417
  • 100+ ¥6.299 ¥6.4275
  • 500+ ¥5.795 ¥5.9133
  • 2500+ ¥5.5431 ¥5.6562
合计:¥34.01
标准包装数量:2500

NVMFWS3D0P04M8LT1-VB 未分类

  • 型号: NVMFWS3D0P04M8LT1-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-150A,RDS(ON),3mΩ@10V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-150A,RDS(ON),3mΩ@10V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥5.292 ¥5.4
  • 100+ ¥4.9 ¥5
  • 500+ ¥4.508 ¥4.6
  • 5000+ ¥4.312 ¥4.4
合计:¥26.46
标准包装数量:5000

200N6F3-VB TO263 未分类

  • 型号: 200N6F3-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥5.8305 ¥5.9495
  • 100+ ¥5.3986 ¥5.5088
  • 500+ ¥5.1826 ¥5.2884
  • 800+ ¥4.9667 ¥5.0681
合计:¥29.15
标准包装数量:800

18NF25-VB TO263 未分类

  • 型号: 18NF25-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,250V,16A,RDS(ON),230mΩ@10V,276mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可用作电源开关的主要功率开关,用于控制电源的输出电压和电流。
    台积电流片,长电封测。N沟道,250V,16A,RDS(ON),230mΩ@10V,276mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可用作电源开关的主要功率开关,用于控制电源的输出电压和电流。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3738 ¥4.4631
  • 100+ ¥4.0499 ¥4.1325
  • 500+ ¥3.8879 ¥3.9672
  • 800+ ¥3.7259 ¥3.8019
合计:¥43.74
标准包装数量:800

K1717-VB SOT89-3 未分类

  • 型号: K1717-VB SOT89-3
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3适用于各种功率电路应用。其具有高额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于要求较高电压和电流的电路设计。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3适用于各种功率电路应用。其具有高额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于要求较高电压和电流的电路设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥0.8746 ¥0.8924
  • 100+ ¥0.8098 ¥0.8263
  • 500+ ¥0.7773 ¥0.7932
  • 1000+ ¥0.745 ¥0.7602
合计:¥30.61
标准包装数量:1000

P3010LS-VB TO252 未分类

  • 型号: P3010LS-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252可以用作开关电源中的功率开关器件
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252可以用作开关电源中的功率开关器件
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.138 ¥2.1816
  • 100+ ¥1.9796 ¥2.02
  • 500+ ¥1.9004 ¥1.9392
  • 2500+ ¥1.8212 ¥1.8584
合计:¥32.07
标准包装数量:2500

AONS62614-VB 未分类

  • 型号: AONS62614-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
    台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3738 ¥4.4631
  • 100+ ¥4.0499 ¥4.1325
  • 500+ ¥3.7259 ¥3.8019
  • 5000+ ¥3.5639 ¥3.6366
合计:¥43.74
标准包装数量:5000

AONS62602-VB 未分类

  • 型号: AONS62602-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
    台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.1395 ¥4.224
  • 5000+ ¥3.9595 ¥4.0403
合计:¥48.59
标准包装数量:5000

7N80K5-VB TO252 未分类

  • 型号: 7N80K5-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,7A,RDS(ON),850mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和控制等功能模块。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,7A,RDS(ON),850mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和控制等功能模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥5.8305 ¥5.9495
  • 100+ ¥5.3986 ¥5.5088
  • 500+ ¥4.9667 ¥5.0681
  • 2500+ ¥4.7507 ¥4.8477
合计:¥29.15
标准包装数量:2500

80N10F7-VB TO220F 未分类

  • 型号: 80N10F7-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于各种电子设备的功率控制和调节。其稳定的性能和高效的能量转换使其成为多种领域和模块中的重要组成部分。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于各种电子设备的功率控制和调节。其稳定的性能和高效的能量转换使其成为多种领域和模块中的重要组成部分。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.3194 ¥4.4076
  • 1000+ ¥4.1395 ¥4.224
合计:¥48.59
标准包装数量:1000

DMTH61M8SPSQ-VB 未分类

  • 型号: DMTH61M8SPSQ-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
    台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.1395 ¥4.224
  • 5000+ ¥3.9595 ¥4.0403
合计:¥48.59
标准包装数量:5000

6R600C6-VB TO252 未分类

  • 型号: 6R600C6-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥2.9798 ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.8502 ¥2.9084
合计:¥34.98
标准包装数量:2500

D7NM50N-VB TO251 未分类

  • 型号: D7NM50N-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi的一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,适合用于各种功率电子应用中。650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
    台积电流片,长电封测。VBsemi的一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,适合用于各种功率电子应用中。650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.4705 ¥4.5617
  • 100+ ¥4.1393 ¥4.2238
  • 500+ ¥3.8082 ¥3.8859
  • 4000+ ¥3.6426 ¥3.7169
合计:¥44.71
标准包装数量:4000

DMTH61M8LPS-VB 未分类

  • 型号: DMTH61M8LPS-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
    台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.1395 ¥4.224
  • 5000+ ¥3.9595 ¥4.0403
合计:¥48.59
标准包装数量:5000

65F6190-VB TO263 未分类

  • 型号: 65F6190-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 800+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥58.30
标准包装数量:800

D4NK60Z-VB TO252 未分类

  • 型号: D4NK60Z-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.749 ¥1.7847
  • 100+ ¥1.6195 ¥1.6525
  • 500+ ¥1.5547 ¥1.5864
  • 2500+ ¥1.4899 ¥1.5203
合计:¥34.98
标准包装数量:2500

6R600E6-VB TO252 未分类

  • 型号: 6R600E6-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥2.9798 ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.8502 ¥2.9084
合计:¥34.98
标准包装数量:2500

7N60-VB TO251 未分类

  • 型号: 7N60-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi的一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,适合用于各种功率电子应用中。650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
    台积电流片,长电封测。VBsemi的一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,适合用于各种功率电子应用中。650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
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B4NK60Z-VB TO263 未分类

  • 型号: B4NK60Z-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263作为LED驱动电路中的功率开关,该产品可用于工业照明和商业照明领域,如街道灯和办公室照明系统。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263作为LED驱动电路中的功率开关,该产品可用于工业照明和商业照明领域,如街道灯和办公室照明系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
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