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04CN10N-VB TO220 未分类

  • 型号: 04CN10N-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.9417
  • 100+ ¥6.4275
  • 500+ ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.6562
合计:¥69.42
标准包装数量:1000

100N10F7-VB TO220 未分类

  • 型号: 100N10F7-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.9417
  • 100+ ¥6.4275
  • 500+ ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.6562
合计:¥69.42
标准包装数量:1000

10NM50N-VB TO252 未分类

  • 型号: 10NM50N-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.5694
  • 100+ ¥3.305
  • 500+ ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.9084
合计:¥35.69
标准包装数量:2500

0410S-VB -VB SOT89-3 未分类

  • 型号: 0410S-VB -VB SOT89-3
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,3.1A,RDS(ON),126mΩ@10V,139mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT89-3适用于低功耗电子设备、医疗器械、LED照明控制、智能家居等多种领域和模块,可为各种电子设备提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,3.1A,RDS(ON),126mΩ@10V,139mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT89-3适用于低功耗电子设备、医疗器械、LED照明控制、智能家居等多种领域和模块,可为各种电子设备提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥0.8924
  • 100+ ¥0.8263
  • 500+ ¥0.7932
  • 1000+ ¥0.7602
合计:¥31.23
标准包装数量:1000

07N60S5-VB TO251 未分类

  • 型号: 07N60S5-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi的一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,适合用于各种功率电子应用中。650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
    台积电流片,长电封测。VBsemi的一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,适合用于各种功率电子应用中。650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.5617
  • 100+ ¥4.2238
  • 500+ ¥3.8859
  • 4000+ ¥3.7169
合计:¥45.62
标准包装数量:4000

10P03L-VB TO220 未分类

  • 型号: 10P03L-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO220适用于工业自动化模块,如工业机器人、自动化控制系统和生产线设备。其高电压容忍度和稳定的开关性能能够满足工业环境中的高负载和频繁的开关操作。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO220适用于工业自动化模块,如工业机器人、自动化控制系统和生产线设备。其高电压容忍度和稳定的开关性能能够满足工业环境中的高负载和频繁的开关操作。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.5785
  • 100+ ¥2.3875
  • 500+ ¥2.292
  • 1000+ ¥2.1965
合计:¥38.68
标准包装数量:1000

13N80K5-VB TO220F 未分类

  • 型号: 13N80K5-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,15A,RDS(ON),380mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F适用于LED照明系统中的驱动电路,用于调节LED灯的亮度和色温。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,15A,RDS(ON),380mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F适用于LED照明系统中的驱动电路,用于调节LED灯的亮度和色温。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.8989
  • 100+ ¥11.0175
  • 500+ ¥10.1361
  • 1000+ ¥9.6954
合计:¥118.99
标准包装数量:1000

05CN10N-VB TO220 未分类

  • 型号: 05CN10N-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.9417
  • 100+ ¥6.4275
  • 500+ ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.6562
合计:¥69.42
标准包装数量:1000

06N80C3-VB TO220F 未分类

  • 型号: 06N80C3-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,9A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F产品简产品在电源逆变器、风能变流器、高压直流输电系统和工业电机驱动等领域的适用性,展示了其广泛的应用前景和潜力。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,9A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F产品简产品在电源逆变器、风能变流器、高压直流输电系统和工业电机驱动等领域的适用性,展示了其广泛的应用前景和潜力。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥9.9158
  • 100+ ¥9.1813
  • 500+ ¥8.4468
  • 1000+ ¥8.0795
合计:¥99.16
标准包装数量:1000

08N50C3-VB TO252 未分类

  • 型号: 08N50C3-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.5694
  • 100+ ¥3.305
  • 500+ ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.9084
合计:¥35.69
标准包装数量:2500

10NM60ND-VB TO252 未分类

  • 型号: 10NM60ND-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.5694
  • 100+ ¥3.305
  • 500+ ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.9084
合计:¥35.69
标准包装数量:2500

093N06N-VB TO220F 未分类

  • 型号: 093N06N-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款单通道N沟道场效应管,具有高电压、高电流和低导通电阻的特点。适用于要求高功率和高效能的电子应用领域。60V,120A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
    台积电流片,长电封测。一款单通道N沟道场效应管,具有高电压、高电流和低导通电阻的特点。适用于要求高功率和高效能的电子应用领域。60V,120A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3632
  • 100+ ¥4.04
  • 500+ ¥3.8784
  • 1000+ ¥3.7168
合计:¥43.63
标准包装数量:1000

15NM65N-VB TO220 未分类

  • 型号: 15NM65N-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.9326
  • 100+ ¥7.345
  • 500+ ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.4636
合计:¥79.33
标准包装数量:1000

180N10F3-VB TO220 未分类

  • 型号: 180N10F3-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.9417
  • 100+ ¥6.4275
  • 500+ ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.6562
合计:¥69.42
标准包装数量:1000

FDBL0630N150-VB 未分类

  • 型号: FDBL0630N150-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥9.9158
  • 100+ ¥9.1813
  • 500+ ¥8.4468
  • 2000+ ¥8.0795
合计:¥99.16
标准包装数量:2000

VBGL1201N 未分类

  • 型号: VBGL1201N
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。该产品采用的SGT技术,能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,具备的高性能和可靠性能够满足工业环境中的高功率、高频率和高温要求,提高工业生产效率和控制精度。SGT technology Power MOSFET TO263;N沟道,200V,100A,RDS(ON),0.011Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
    台积电流片,长电封测。该产品采用的SGT技术,能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,具备的高性能和可靠性能够满足工业环境中的高功率、高频率和高温要求,提高工业生产效率和控制精度。SGT technology Power MOSFET TO263;N沟道,200V,100A,RDS(ON),0.011Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥15.8652
  • 100+ ¥14.69
  • 500+ ¥13.5148
  • 1000+ ¥12.9272
合计:¥158.65
标准包装数量:1000

NCEP15T14-VB 未分类

  • 型号: NCEP15T14-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;150V;140A;RDS(ON)=5.8mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;可以广泛应用于电机驱动器,包括直流电机驱动器、步进电机驱动器等。
    台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;150V;140A;RDS(ON)=5.8mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;可以广泛应用于电机驱动器,包括直流电机驱动器、步进电机驱动器等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.3224
  • 100+ ¥6.78
  • 500+ ¥6.2376
  • 1000+ ¥5.9664
合计:¥36.61
标准包装数量:1000

FDBL86210-F085-VB 未分类

  • 型号: FDBL86210-F085-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥9.9158
  • 100+ ¥9.1813
  • 500+ ¥8.4468
  • 2000+ ¥8.0795
合计:¥99.16
标准包装数量:2000

IPD028N06NF2S-VB 未分类

  • 型号: IPD028N06NF2S-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3632
  • 100+ ¥4.04
  • 500+ ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.5552
合计:¥43.63
标准包装数量:2500

FDB9506L-F085-VB 未分类

  • 型号: FDB9506L-F085-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),-0.0041Ω@10V,,20Vgs(±V);-2.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于控制高压电源的输出和稳定性。其高耐压和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高压和高温,例如用于激光切割机中的高压电源模块。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),-0.0041Ω@10V,,20Vgs(±V);-2.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于控制高压电源的输出和稳定性。其高耐压和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高压和高温,例如用于激光切割机中的高压电源模块。
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