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FDBL86210-F085-VB 未分类

  • 型号: FDBL86210-F085-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 2000+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥48.59
标准包装数量:2000

DMTH10H1M7STLWQ-VB 未分类

  • 型号: DMTH10H1M7STLWQ-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道;VDS=100V;ID =320A;RDS(ON)=0.0015Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
    台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道;VDS=100V;ID =320A;RDS(ON)=0.0015Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
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  • 起订量:5
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  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 2000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥58.30
标准包装数量:2000

SM1A71NMLD-VB 未分类

  • 型号: SM1A71NMLD-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道;VDS=100V;ID =320A;RDS(ON)=0.0015Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
    台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道;VDS=100V;ID =320A;RDS(ON)=0.0015Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
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    4-6工作日
  • 5+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 2000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥58.30
标准包装数量:2000

DMTH10H1M7STLW-VB 未分类

  • 型号: DMTH10H1M7STLW-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道;VDS=100V;ID =320A;RDS(ON)=0.0015Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
    台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道;VDS=100V;ID =320A;RDS(ON)=0.0015Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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    4-6工作日
  • 5+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 2000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥58.30
标准包装数量:2000

IPD028N06NF2S-VB 未分类

  • 型号: IPD028N06NF2S-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.6425 ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.4841 ¥3.5552
合计:¥42.76
标准包装数量:2500

FDH055N15A-VB 未分类

  • 型号: FDH055N15A-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;150V;180A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;150V;180A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 900+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥58.30
标准包装数量:300

AP15NA7R5I-VB 未分类

  • 型号: AP15NA7R5I-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;150V;140A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;可以广泛应用于电机驱动器,包括直流电机驱动器、步进电机驱动器等。
    台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;150V;140A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;可以广泛应用于电机驱动器,包括直流电机驱动器、步进电机驱动器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

07N60C3-VB TO263 未分类

  • 型号: 07N60C3-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263用于太阳能光伏系统中的逆变器,将太阳能电能转换为交流电能,供给家庭和工业用电系统。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263用于太阳能光伏系统中的逆变器,将太阳能电能转换为交流电能,供给家庭和工业用电系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.3194 ¥4.4076
  • 800+ ¥4.1395 ¥4.224
合计:¥48.59
标准包装数量:800

093N06N-VB TO220F 未分类

  • 型号: 093N06N-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款单通道N沟道场效应管,具有高电压、高电流和低导通电阻的特点。适用于要求高功率和高效能的电子应用领域。60V,120A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
    台积电流片,长电封测。一款单通道N沟道场效应管,具有高电压、高电流和低导通电阻的特点。适用于要求高功率和高效能的电子应用领域。60V,120A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.8008 ¥3.8784
  • 1000+ ¥3.6425 ¥3.7168
合计:¥42.76
标准包装数量:1000

10NM50N-VB TO252 未分类

  • 型号: 10NM50N-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥2.9798 ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.8502 ¥2.9084
合计:¥34.98
标准包装数量:2500

110N20N-VB TO220 未分类

  • 型号: 110N20N-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,88A,RDS(ON),9.9mΩ@10V,11.88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220该型号为单晶N沟道场效应管,其Trench技术和低漏极电阻确保了高效的电流控制和稳定的功率输出,适用于汽车系统的电源管理和电动驱动控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,88A,RDS(ON),9.9mΩ@10V,11.88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220该型号为单晶N沟道场效应管,其Trench技术和低漏极电阻确保了高效的电流控制和稳定的功率输出,适用于汽车系统的电源管理和电动驱动控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 1000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥58.30
标准包装数量:1000

15N80K5-VB TO220F 未分类

  • 型号: 15N80K5-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,20A,RDS(ON),240mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F可用于工业中的变频器、电力调节器和电力因素校正器等,用于实现电力系统的控制和调节。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,20A,RDS(ON),240mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F可用于工业中的变频器、电力调节器和电力因素校正器等,用于实现电力系统的控制和调节。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 1000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥58.30
标准包装数量:1000

10P03L-VB TO220 未分类

  • 型号: 10P03L-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO220适用于工业自动化模块,如工业机器人、自动化控制系统和生产线设备。其高电压容忍度和稳定的开关性能能够满足工业环境中的高负载和频繁的开关操作。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO220适用于工业自动化模块,如工业机器人、自动化控制系统和生产线设备。其高电压容忍度和稳定的开关性能能够满足工业环境中的高负载和频繁的开关操作。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.5269 ¥2.5785
  • 100+ ¥2.3398 ¥2.3875
  • 500+ ¥2.2462 ¥2.292
  • 1000+ ¥2.1526 ¥2.1965
合计:¥37.90
标准包装数量:1000

15NM60ND-VB TO220 未分类

  • 型号: 15NM60ND-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

15P10P-VB TO252 未分类

  • 型号: 15P10P-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-15A,RDS(ON),120mΩ@10V,144mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252可用于工厂自动化系统中的驱动电机模块、传感器接口模块和工业机器人控制模块等
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-15A,RDS(ON),120mΩ@10V,144mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252可用于工厂自动化系统中的驱动电机模块、传感器接口模块和工业机器人控制模块等
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.4839 ¥2.5346
  • 2500+ ¥2.3759 ¥2.4244
合计:¥29.16
标准包装数量:2500

15P10PL-VB TO220 未分类

  • 型号: 15P10PL-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-16A,RDS(ON),175mΩ@10V,210mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO220适用于多种领域和模块,可实现电源开关控制、功率管理和信号放大等功能。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-16A,RDS(ON),175mΩ@10V,210mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO220适用于多种领域和模块,可实现电源开关控制、功率管理和信号放大等功能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥3.1093 ¥3.1728
  • 1000+ ¥2.9798 ¥3.0406
合计:¥34.98
标准包装数量:1000

180N10F3-VB TO220 未分类

  • 型号: 180N10F3-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥6.8029 ¥6.9417
  • 100+ ¥6.299 ¥6.4275
  • 500+ ¥5.795 ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.5431 ¥5.6562
合计:¥34.01
标准包装数量:1000

180N55F3-VB TO263 未分类

  • 型号: 180N55F3-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥5.8305 ¥5.9495
  • 100+ ¥5.3986 ¥5.5088
  • 500+ ¥5.1826 ¥5.2884
  • 800+ ¥4.9667 ¥5.0681
合计:¥29.15
标准包装数量:800

0410S-VB -VB SOT89-3 未分类

  • 型号: 0410S-VB -VB SOT89-3
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,3.1A,RDS(ON),126mΩ@10V,139mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT89-3适用于低功耗电子设备、医疗器械、LED照明控制、智能家居等多种领域和模块,可为各种电子设备提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,3.1A,RDS(ON),126mΩ@10V,139mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT89-3适用于低功耗电子设备、医疗器械、LED照明控制、智能家居等多种领域和模块,可为各种电子设备提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥0.8746 ¥0.8924
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05CN10N-VB TO220 未分类

  • 型号: 05CN10N-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
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