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D1NK80Z-VB TO251 未分类

  • 型号: D1NK80Z-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251作为高压MOSFET器件,可用于LED照明系统中的功率调节和开关,提高系统的能效和稳定性。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251作为高压MOSFET器件,可用于LED照明系统中的功率调节和开关,提高系统的能效和稳定性。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥3.1725
  • 100+ ¥2.9375
  • 500+ ¥2.7025
  • 4000+ ¥2.585
合计:¥31.73
标准包装数量:4000

D4NK50Z-VB TO252 未分类

  • 型号: D4NK50Z-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 15+ ¥1.9832
  • 100+ ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6894
合计:¥29.75
标准包装数量:2500

6679-VB TO252 未分类

  • 型号: 6679-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252可以用作开关电源中的功率开关器件
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252可以用作开关电源中的功率开关器件
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 15+ ¥2.1816
  • 100+ ¥2.02
  • 500+ ¥1.9392
  • 2500+ ¥1.8584
合计:¥32.72
标准包装数量:2500

40N06-VB QFN8(5X6) 未分类

  • 型号: 40N06-VB QFN8(5X6)
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,30A,RDS(ON),15mΩ@10V,18mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)是一款多功能的功率半导体器件,适用于各种领域的电源和控制应用,具有出色的性能和可靠性,可满足不同应用的需求。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,30A,RDS(ON),15mΩ@10V,18mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)是一款多功能的功率半导体器件,适用于各种领域的电源和控制应用,具有出色的性能和可靠性,可满足不同应用的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥3.9663
  • 100+ ¥3.6725
  • 500+ ¥3.3787
  • 5000+ ¥3.2318
合计:¥39.66
标准包装数量:5000

BSZ033NE2LS5-VB 未分类

  • 型号: BSZ033NE2LS5-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
    台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 20+ ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3513
  • 5000+ ¥1.2925
合计:¥31.73
标准包装数量:5000

3NM60N-VB TO252 未分类

  • 型号: 3NM60N-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 15+ ¥1.9832
  • 100+ ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6894
合计:¥29.75
标准包装数量:2500

7N6-VB SOT89-3 未分类

  • 型号: 7N6-VB SOT89-3
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3适用于各种功率电路应用。其具有高额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于要求较高电压和电流的电路设计。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3适用于各种功率电路应用。其具有高额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于要求较高电压和电流的电路设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 35+ ¥0.8924
  • 100+ ¥0.8263
  • 500+ ¥0.7932
  • 1000+ ¥0.7602
合计:¥31.23
标准包装数量:1000

3PN0603-VB TO263 未分类

  • 型号: 3PN0603-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263具有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263具有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥6.3464
  • 100+ ¥5.8763
  • 500+ ¥5.6412
  • 800+ ¥5.4062
合计:¥63.46
标准包装数量:800

80N20M5-VB TO220 未分类

  • 型号: 80N20M5-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,75A,RDS(ON),28mΩ@10V,33.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220适用于电动车的电机驱动模块,如电机控制器和逆变器。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,75A,RDS(ON),28mΩ@10V,33.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220适用于电动车的电机驱动模块,如电机控制器和逆变器。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥9.9158
  • 100+ ¥9.1813
  • 500+ ¥8.4468
  • 1000+ ¥8.0795
合计:¥99.16
标准包装数量:1000

BSZ018NE2LS-VB 未分类

  • 型号: BSZ018NE2LS-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
    台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 20+ ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3513
  • 5000+ ¥1.2925
合计:¥31.73
标准包装数量:5000

BSZ017NE2LS5I-VB 未分类

  • 型号: BSZ017NE2LS5I-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
    台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 20+ ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3513
  • 5000+ ¥1.2925
合计:¥31.73
标准包装数量:5000

30NF20-VB TO220 未分类

  • 型号: 30NF20-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,35A,RDS(ON),58mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220适用于适用于电源模块、电机驱动模块和充放电模块等领域,为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能,从而推动各种电力和电子设备的发展和应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,35A,RDS(ON),58mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220适用于适用于电源模块、电机驱动模块和充放电模块等领域,为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能,从而推动各种电力和电子设备的发展和应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥6.9417
  • 100+ ¥6.4275
  • 500+ ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.6562
合计:¥69.42
标准包装数量:1000

40P03GJ-VB TO252 未分类

  • 型号: 40P03GJ-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-40A,RDS(ON),18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:TO252适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-40A,RDS(ON),18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:TO252适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 20+ ¥1.7861
  • 100+ ¥1.6538
  • 500+ ¥1.5876
  • 2500+ ¥1.5215
合计:¥35.72
标准包装数量:2500

3N50ZG-VB TO252 未分类

  • 型号: 3N50ZG-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 15+ ¥1.9832
  • 100+ ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6894
合计:¥29.75
标准包装数量:2500

80N10F7-VB TO252 未分类

  • 型号: 80N10F7-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252适用于电源管理模块中的开关稳压器、DC-DC转换器和电池管理系统等应用。其低漏极-源极电阻可实现高效的能源转换和稳定的电源输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252适用于电源管理模块中的开关稳压器、DC-DC转换器和电池管理系统等应用。其低漏极-源极电阻可实现高效的能源转换和稳定的电源输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥3.5694
  • 100+ ¥3.305
  • 500+ ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.9084
合计:¥35.69
标准包装数量:2500

9R500C-VB TO247 未分类

  • 型号: 9R500C-VB TO247
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,900V,20A,RDS(ON),270mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO247在工业焊接设备中,可用于功率开关模块,提供高功率的焊接能力。
    台积电流片,长电封测。N沟道,900V,20A,RDS(ON),270mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO247在工业焊接设备中,可用于功率开关模块,提供高功率的焊接能力。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥20.8238
  • 100+ ¥19.2813
  • 500+ ¥17.7388
  • 900+ ¥16.9675
合计:¥208.24
标准包装数量:300

3N80K5-VB TO252 未分类

  • 型号: 3N80K5-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252该MOSFET可用于电动车充电器中的开关电源模块,以支持高电压和高电流的充电需求,并提高充电效率。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252该MOSFET可用于电动车充电器中的开关电源模块,以支持高电压和高电流的充电需求,并提高充电效率。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥4.9586
  • 100+ ¥4.5913
  • 500+ ¥4.224
  • 2500+ ¥4.0403
合计:¥49.59
标准包装数量:2500

9NM60N-VB TO251 未分类

  • 型号: 9NM60N-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi的一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,适合用于各种功率电子应用中。650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
    台积电流片,长电封测。VBsemi的一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,适合用于各种功率电子应用中。650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥4.5617
  • 100+ ¥4.2238
  • 500+ ¥3.8859
  • 4000+ ¥3.7169
合计:¥45.62
标准包装数量:4000

3LN62K3-VB TO252 未分类

  • 型号: 3LN62K3-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 15+ ¥1.9832
  • 100+ ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6894
合计:¥29.75
标准包装数量:2500

DMPH33M8SPSWQ-VB 未分类

  • 型号: DMPH33M8SPSWQ-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种电源管理、功率控制和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。-30V,-100A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    台积电流片,长电封测。VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种电源管理、功率控制和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。-30V,-100A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 10+ ¥5.5526
  • 100+ ¥5.1413
  • 500+ ¥4.73
  • 500+ ¥4.73
合计:¥55.53
标准包装数量:5000
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