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47N10L-VB TO263 未分类

  • 型号: 47N10L-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.8008 ¥3.8784
  • 800+ ¥3.6425 ¥3.7168
合计:¥42.76
标准包装数量:800

3PN1005-VB TO220 未分类

  • 型号: 3PN1005-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8029 ¥6.9417
  • 100+ ¥6.299 ¥6.4275
  • 500+ ¥5.795 ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.5431 ¥5.6562
合计:¥68.03
标准包装数量:1000

8205A-VB SOT23-6 未分类

  • 型号: 8205A-VB SOT23-6
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.5Vth(V) 封装:SOT23-6高性能和高集成度的特点,适用于各种便携式电子产品、汽车电子系统和医疗设备模块,能够满足小型化和高性能的需求。
    台积电流片,长电封测。N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.5Vth(V) 封装:SOT23-6高性能和高集成度的特点,适用于各种便携式电子产品、汽车电子系统和医疗设备模块,能够满足小型化和高性能的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:55
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 55+ ¥0.4856 ¥0.4955
  • 300+ ¥0.4496 ¥0.4588
  • 500+ ¥0.4316 ¥0.4404
  • 3000+ ¥0.4137 ¥0.4221
合计:¥26.71
标准包装数量:3000

B4NK60Z-VB TO263 未分类

  • 型号: B4NK60Z-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263作为LED驱动电路中的功率开关,该产品可用于工业照明和商业照明领域,如街道灯和办公室照明系统。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263作为LED驱动电路中的功率开关,该产品可用于工业照明和商业照明领域,如街道灯和办公室照明系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.3325 ¥2.3801
  • 100+ ¥2.1597 ¥2.2038
  • 500+ ¥2.0733 ¥2.1156
  • 800+ ¥1.987 ¥2.0275
合计:¥34.99
标准包装数量:800

BSC016N06NST-VB 未分类

  • 型号: BSC016N06NST-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
    台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3738 ¥4.4631
  • 100+ ¥4.0499 ¥4.1325
  • 500+ ¥3.7259 ¥3.8019
  • 5000+ ¥3.5639 ¥3.6366
合计:¥43.74
标准包装数量:5000

SM1A71NMLD-VB 未分类

  • 型号: SM1A71NMLD-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道;VDS=100V;ID =320A;RDS(ON)=0.0015Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
    台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道;VDS=100V;ID =320A;RDS(ON)=0.0015Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 2000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥116.61
标准包装数量:2000

AP6N3R6R-VB 未分类

  • 型号: AP6N3R6R-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.6425 ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.4841 ¥3.5552
合计:¥42.76
标准包装数量:2500

TK90S06N1L-VB 未分类

  • 型号: TK90S06N1L-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.6425 ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.4841 ¥3.5552
合计:¥42.76
标准包装数量:2500

IPT059N15N3-VB 未分类

  • 型号: IPT059N15N3-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 2000+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥97.18
标准包装数量:2000

FDB9506L-F085-VB 未分类

  • 型号: FDB9506L-F085-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),-0.0041Ω@10V,,20Vgs(±V);-2.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于控制高压电源的输出和稳定性。其高耐压和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高压和高温,例如用于激光切割机中的高压电源模块。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),-0.0041Ω@10V,,20Vgs(±V);-2.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于控制高压电源的输出和稳定性。其高耐压和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高压和高温,例如用于激光切割机中的高压电源模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.887 ¥3.9663
  • 100+ ¥3.5991 ¥3.6725
  • 500+ ¥3.4551 ¥3.5256
  • 1000+ ¥3.3111 ¥3.3787
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

20NF20-VB TO252 未分类

  • 型号: 20NF20-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,25A,RDS(ON),54mΩ@10V,112mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252可以应用于汽车电子模块,如车载电源控制模块、发动机管理系统等,提供可靠的电力控制和管理功能。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,25A,RDS(ON),54mΩ@10V,112mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252可以应用于汽车电子模块,如车载电源控制模块、发动机管理系统等,提供可靠的电力控制和管理功能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8029 ¥6.9417
  • 100+ ¥6.299 ¥6.4275
  • 500+ ¥5.795 ¥5.9133
  • 2500+ ¥5.5431 ¥5.6562
合计:¥68.03
标准包装数量:2500

FDBL0630N150-VB 未分类

  • 型号: FDBL0630N150-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 2000+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥97.18
标准包装数量:2000

FDB9509L-F085-VB 未分类

  • 型号: FDB9509L-F085-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),-0.0041Ω@10V,,20Vgs(±V);-2.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),-0.0041Ω@10V,,20Vgs(±V);-2.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.887 ¥3.9663
  • 100+ ¥3.5991 ¥3.6725
  • 500+ ¥3.4551 ¥3.5256
  • 1000+ ¥3.3111 ¥3.3787
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

AP15NA4R4TL-VB 未分类

  • 型号: AP15NA4R4TL-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 2000+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥97.18
标准包装数量:2000

IPD028N06NF2S-VB 未分类

  • 型号: IPD028N06NF2S-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.6425 ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.4841 ¥3.5552
合计:¥42.76
标准包装数量:2500

25N10F7-VB TO220F 未分类

  • 型号: 25N10F7-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,50A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F由于其高漏极电流和高工作电压,适用于开关电源、DC-DC变换器和逆变器模块,提供高效的功率转换。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,50A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F由于其高漏极电流和高工作电压,适用于开关电源、DC-DC变换器和逆变器模块,提供高效的功率转换。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.7215 ¥2.777
  • 100+ ¥2.5199 ¥2.5713
  • 500+ ¥2.419 ¥2.4684
  • 1000+ ¥2.3183 ¥2.3656
合计:¥27.22
标准包装数量:1000

STL140N6F7-VB 未分类

  • 型号: STL140N6F7-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道;60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;
    台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道;60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3738 ¥4.4631
  • 100+ ¥4.0499 ¥4.1325
  • 500+ ¥3.7259 ¥3.8019
  • 5000+ ¥3.5639 ¥3.6366
合计:¥43.74
标准包装数量:5000

P3010LS-VB TO252 未分类

  • 型号: P3010LS-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252可以用作开关电源中的功率开关器件
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252可以用作开关电源中的功率开关器件
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.138 ¥2.1816
  • 100+ ¥1.9796 ¥2.02
  • 500+ ¥1.9004 ¥1.9392
  • 2500+ ¥1.8212 ¥1.8584
合计:¥32.07
标准包装数量:2500

K1717-VB SOT89-3 未分类

  • 型号: K1717-VB SOT89-3
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3适用于各种功率电路应用。其具有高额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于要求较高电压和电流的电路设计。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3适用于各种功率电路应用。其具有高额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于要求较高电压和电流的电路设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
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标准包装数量:1000

65F660-VB TO220 未分类

  • 型号: 65F660-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,700V,10A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,适合用于电动汽车电机驱动系统中的逆变器和直流-直流转换器。
    台积电流片,长电封测。N沟道,700V,10A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,适合用于电动汽车电机驱动系统中的逆变器和直流-直流转换器。
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