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65F660-VB TO220 未分类

  • 型号: 65F660-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,700V,10A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,适合用于电动汽车电机驱动系统中的逆变器和直流-直流转换器。
    台积电流片,长电封测。N沟道,700V,10A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,适合用于电动汽车电机驱动系统中的逆变器和直流-直流转换器。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.887 ¥3.9663
  • 100+ ¥3.5991 ¥3.6725
  • 500+ ¥3.4551 ¥3.5256
  • 1000+ ¥3.3111 ¥3.3787
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

75NF20-VB TO220 未分类

  • 型号: 75NF20-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,75A,RDS(ON),28mΩ@10V,33.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220适用于电动车的电机驱动模块,如电机控制器和逆变器。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,75A,RDS(ON),28mΩ@10V,33.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220适用于电动车的电机驱动模块,如电机控制器和逆变器。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 1000+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥48.59
标准包装数量:1000

8205A-VB SOT23-6 未分类

  • 型号: 8205A-VB SOT23-6
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.5Vth(V) 封装:SOT23-6高性能和高集成度的特点,适用于各种便携式电子产品、汽车电子系统和医疗设备模块,能够满足小型化和高性能的需求。
    台积电流片,长电封测。N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.5Vth(V) 封装:SOT23-6高性能和高集成度的特点,适用于各种便携式电子产品、汽车电子系统和医疗设备模块,能够满足小型化和高性能的需求。
  • 库   存:400000
  • 起订量:55
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 55+ ¥0.4856 ¥0.4955
  • 300+ ¥0.4496 ¥0.4588
  • 500+ ¥0.4316 ¥0.4404
  • 3000+ ¥0.4137 ¥0.4221
合计:¥26.71
标准包装数量:3000

7N65-VB TO251 未分类

  • 型号: 7N65-VB TO251
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi的一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,适合用于各种功率电子应用中。650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
    台积电流片,长电封测。VBsemi的一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,适合用于各种功率电子应用中。650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.4705 ¥4.5617
  • 100+ ¥4.1393 ¥4.2238
  • 500+ ¥3.8082 ¥3.8859
  • 4000+ ¥3.6426 ¥3.7169
合计:¥44.71
标准包装数量:4000

3PN06L04-VB TO263 未分类

  • 型号: 3PN06L04-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥5.8305 ¥5.9495
  • 100+ ¥5.3986 ¥5.5088
  • 500+ ¥5.1826 ¥5.2884
  • 800+ ¥4.9667 ¥5.0681
合计:¥29.15
标准包装数量:800

47N10L-VB TO263 未分类

  • 型号: 47N10L-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.8008 ¥3.8784
  • 800+ ¥3.6425 ¥3.7168
合计:¥42.76
标准包装数量:800

6R520C6-VB TO252 未分类

  • 型号: 6R520C6-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥2.9798 ¥3.0406
  • 2500+ ¥2.8502 ¥2.9084
合计:¥34.98
标准包装数量:2500

VBL7401 未分类

  • 型号: VBL7401
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,40V;250A;RDS(ON)=1.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.2V;适用于高功率和高电压的场合,可广泛应用于各种大功率电子设备和模块中。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,40V;250A;RDS(ON)=1.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.2V;适用于高功率和高电压的场合,可广泛应用于各种大功率电子设备和模块中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 1000+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥48.59
标准包装数量:1000

NTMFS4839NH-VB 未分类

  • 型号: NTMFS4839NH-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V)一款单N沟道场效应管,适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。封装采用DFN8(5X6),适用于小型电路设计,有利于节省空间。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V)一款单N沟道场效应管,适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。封装采用DFN8(5X6),适用于小型电路设计,有利于节省空间。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9159 ¥2.9754
  • 100+ ¥2.6999 ¥2.755
  • 500+ ¥2.4839 ¥2.5346
  • 5000+ ¥2.3759 ¥2.4244
合计:¥29.16
标准包装数量:5000

CSD18534Q5A-VB 未分类

  • 型号: CSD18534Q5A-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.8594 ¥4.9586
  • 100+ ¥4.4995 ¥4.5913
  • 500+ ¥4.1395 ¥4.224
  • 5000+ ¥3.9595 ¥4.0403
合计:¥48.59
标准包装数量:5000

SUP90330E-VB 未分类

  • 型号: SUP90330E-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,50A,RDS(ON),36mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220具有较高的漏极电流和额定漏极-源极电压,适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。该器件具有优异的功率特性和高效的能量转换能力,也可适用于功率开关模块。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,50A,RDS(ON),36mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220具有较高的漏极电流和额定漏极-源极电压,适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。该器件具有优异的功率特性和高效的能量转换能力,也可适用于功率开关模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

FDBL0630N150-VB 未分类

  • 型号: FDBL0630N150-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 2000+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥48.59
标准包装数量:2000

SM1A71NMLD-VB 未分类

  • 型号: SM1A71NMLD-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道;VDS=100V;ID =320A;RDS(ON)=0.0015Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
    台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道;VDS=100V;ID =320A;RDS(ON)=0.0015Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 2000+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥58.30
标准包装数量:2000

AP15NA7R5I-VB 未分类

  • 型号: AP15NA7R5I-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;150V;140A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;可以广泛应用于电机驱动器,包括直流电机驱动器、步进电机驱动器等。
    台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;150V;140A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;可以广泛应用于电机驱动器,包括直流电机驱动器、步进电机驱动器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

IPB073N15N5-VB 未分类

  • 型号: IPB073N15N5-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。该产品适用于单N型晶体管,具有150V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3.5V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为5.6m??。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为TO263。由于该晶体管具有高漏极-源极电压和电流特性,适用于LED照明驱动器中的功率开关电路,实现LED灯的高效驱动和稳定工作。
    台积电流片,长电封测。该产品适用于单N型晶体管,具有150V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3.5V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为5.6m??。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为TO263。由于该晶体管具有高漏极-源极电压和电流特性,适用于LED照明驱动器中的功率开关电路,实现LED灯的高效驱动和稳定工作。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

AP15NA4R4TL-VB 未分类

  • 型号: AP15NA4R4TL-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 2000+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥48.59
标准包装数量:2000

NP50P04KDG-VB 未分类

  • 型号: NP50P04KDG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),-0.0041Ω@10V,,20Vgs(±V);-2.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于控制高压电源的输出和稳定性。其高耐压和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高压和高温,例如用于激光切割机中的高压电源模块。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),-0.0041Ω@10V,,20Vgs(±V);-2.5Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于控制高压电源的输出和稳定性。其高耐压和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高压和高温,例如用于激光切割机中的高压电源模块。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.887 ¥3.9663
  • 100+ ¥3.5991 ¥3.6725
  • 500+ ¥3.4551 ¥3.5256
  • 1000+ ¥3.3111 ¥3.3787
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

IPT059N15N3-VB 未分类

  • 型号: IPT059N15N3-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 2000+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥48.59
标准包装数量:2000

IPB065N15N3 G-VB 未分类

  • 型号: IPB065N15N3 G-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TO263 N-Channel沟道150V160A 0.005豪欧20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TO263 N-Channel沟道150V160A 0.005豪欧20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥38.87
标准包装数量:1000

TK90S06N1L-VB 未分类

  • 型号: TK90S06N1L-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
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