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IPB073N15N5-VB 未分类

  • 型号: IPB073N15N5-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。该产品适用于单N型晶体管,具有150V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3.5V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为5.6m?。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为TO263。由于该晶体管具有高漏极-源极电压和电流特性,适用于LED照明驱动器中的功率开关电路,实现LED灯的高效驱动和稳定工作。
    台积电流片,长电封测。该产品适用于单N型晶体管,具有150V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3.5V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为5.6m?。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为TO263。由于该晶体管具有高漏极-源极电压和电流特性,适用于LED照明驱动器中的功率开关电路,实现LED灯的高效驱动和稳定工作。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.9326
  • 100+ ¥7.345
  • 500+ ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.4636
合计:¥79.33
标准包装数量:1000

FDBL0630N150-VB 未分类

  • 型号: FDBL0630N150-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
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    4-6工作日
  • 10+ ¥9.9158
  • 100+ ¥9.1813
  • 500+ ¥8.4468
  • 2000+ ¥8.0795
合计:¥99.16
标准包装数量:2000

AP15NA7R5I-VB 未分类

  • 型号: AP15NA7R5I-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;150V;140A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;可以广泛应用于电机驱动器,包括直流电机驱动器、步进电机驱动器等。
    台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;150V;140A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;可以广泛应用于电机驱动器,包括直流电机驱动器、步进电机驱动器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
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    4-6工作日
  • 10+ ¥7.9326
  • 100+ ¥7.345
  • 500+ ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.4636
合计:¥79.33
标准包装数量:1000

VBGL1201N 未分类

  • 型号: VBGL1201N
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。该产品采用的SGT技术,能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,具备的高性能和可靠性能够满足工业环境中的高功率、高频率和高温要求,提高工业生产效率和控制精度。SGT technology Power MOSFET TO263;N沟道,200V,100A,RDS(ON),0.011Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
    台积电流片,长电封测。该产品采用的SGT技术,能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,具备的高性能和可靠性能够满足工业环境中的高功率、高频率和高温要求,提高工业生产效率和控制精度。SGT technology Power MOSFET TO263;N沟道,200V,100A,RDS(ON),0.011Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V);
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  • 起订量:10
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    4-6工作日
  • 10+ ¥15.8652
  • 100+ ¥14.69
  • 500+ ¥13.5148
  • 1000+ ¥12.9272
合计:¥158.65
标准包装数量:1000

IPT059N15N3-VB 未分类

  • 型号: IPT059N15N3-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥9.9158
  • 100+ ¥9.1813
  • 500+ ¥8.4468
  • 2000+ ¥8.0795
合计:¥99.16
标准包装数量:2000

SM1A71NMLD-VB 未分类

  • 型号: SM1A71NMLD-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道;VDS=100V;ID =320A;RDS(ON)=0.0015Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
    台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道;VDS=100V;ID =320A;RDS(ON)=0.0015Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.8989
  • 100+ ¥11.0175
  • 500+ ¥10.1361
  • 2000+ ¥9.6954
合计:¥118.99
标准包装数量:2000

18N60M2-VB TO220 未分类

  • 型号: 18N60M2-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.9326
  • 100+ ¥7.345
  • 500+ ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.4636
合计:¥79.33
标准包装数量:1000

TK90S06N1L-VB 未分类

  • 型号: TK90S06N1L-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3632
  • 100+ ¥4.04
  • 500+ ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.5552
合计:¥43.63
标准包装数量:2500

18NF25-VB TO263 未分类

  • 型号: 18NF25-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,250V,16A,RDS(ON),230mΩ@10V,276mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可用作电源开关的主要功率开关,用于控制电源的输出电压和电流。
    台积电流片,长电封测。N沟道,250V,16A,RDS(ON),230mΩ@10V,276mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可用作电源开关的主要功率开关,用于控制电源的输出电压和电流。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.4631
  • 100+ ¥4.1325
  • 500+ ¥3.9672
  • 800+ ¥3.8019
合计:¥44.63
标准包装数量:800

STD130N6F7-VB 未分类

  • 型号: STD130N6F7-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3632
  • 100+ ¥4.04
  • 500+ ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.5552
合计:¥43.63
标准包装数量:2500

200N6F3-VB TO263 未分类

  • 型号: 200N6F3-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.9495
  • 100+ ¥5.5088
  • 500+ ¥5.2884
  • 800+ ¥5.0681
合计:¥59.50
标准包装数量:800

FI630G-VB TO220F 未分类

  • 型号: FI630G-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款高性能、可靠性强的单通道N型MOSFET,适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。N沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
    台积电流片,长电封测。一款高性能、可靠性强的单通道N型MOSFET,适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。N沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥2.9754
  • 100+ ¥2.755
  • 500+ ¥2.6448
  • 1000+ ¥2.5346
合计:¥29.75
标准包装数量:1000

K1717-VB SOT89-3 未分类

  • 型号: K1717-VB SOT89-3
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3适用于各种功率电路应用。其具有高额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于要求较高电压和电流的电路设计。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3适用于各种功率电路应用。其具有高额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于要求较高电压和电流的电路设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:35
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 35+ ¥0.8924
  • 100+ ¥0.8263
  • 500+ ¥0.7932
  • 1000+ ¥0.7602
合计:¥31.23
标准包装数量:1000

AONS62614T-VB 未分类

  • 型号: AONS62614T-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
    台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.4631
  • 100+ ¥4.1325
  • 500+ ¥3.8019
  • 5000+ ¥3.6366
合计:¥44.63
标准包装数量:5000

65E6600-VB TO220 未分类

  • 型号: 65E6600-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,700V,10A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,适合用于电动汽车电机驱动系统中的逆变器和直流-直流转换器。
    台积电流片,长电封测。N沟道,700V,10A,RDS(ON),600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,适合用于电动汽车电机驱动系统中的逆变器和直流-直流转换器。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.9663
  • 100+ ¥3.6725
  • 500+ ¥3.5256
  • 1000+ ¥3.3787
合计:¥39.66
标准包装数量:1000

D1NK80Z-VB TO252 未分类

  • 型号: D1NK80Z-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252该MOSFET可用于电动车充电器中的开关电源模块,以支持高电压和高电流的充电需求,并提高充电效率。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252该MOSFET可用于电动车充电器中的开关电源模块,以支持高电压和高电流的充电需求,并提高充电效率。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.9586
  • 100+ ¥4.5913
  • 500+ ¥4.224
  • 2500+ ¥4.0403
合计:¥49.59
标准包装数量:2500

STL140N6F7-VB 未分类

  • 型号: STL140N6F7-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道;60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;
    台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道;60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.4631
  • 100+ ¥4.1325
  • 500+ ¥3.8019
  • 5000+ ¥3.6366
合计:¥44.63
标准包装数量:5000

9R340C-VB TO220F 未分类

  • 型号: 9R340C-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,900V,20A,RDS(ON),270mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220F可用于工业控制模块中的开关控制和电源管理,例如电机驱动、温度控制等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,900V,20A,RDS(ON),270mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220F可用于工业控制模块中的开关控制和电源管理,例如电机驱动、温度控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-10工作日
  • 10+ ¥23.7978
  • 100+ ¥22.035
  • 500+ ¥20.2722
  • 1000+ ¥19.3908
合计:¥237.98
标准包装数量:1000

NVMFWS3D0P04M8LT1-VB 未分类

  • 型号: NVMFWS3D0P04M8LT1-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-150A,RDS(ON),3mΩ@10V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-150A,RDS(ON),3mΩ@10V,20Vgs(±V);-3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.9495
  • 100+ ¥5.5088
  • 500+ ¥5.2884
  • 5000+ ¥5.0681
合计:¥59.50
标准包装数量:5000

NTTFS4H05NTWG-VB 未分类

  • 型号: NTTFS4H05NTWG-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
    台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5V;
  • 库   存:400000
  • 起订量:20
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 20+ ¥1.5863
  • 100+ ¥1.4688
  • 500+ ¥1.3513
  • 500+ ¥1.3513
合计:¥31.73
标准包装数量:5000
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