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NP90N06VLK-VB 未分类

  • 型号: NP90N06VLK-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.6425 ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.4841 ¥3.5552
合计:¥42.76
标准包装数量:2500

FDB075N15A-F085C-VB 未分类

  • 型号: FDB075N15A-F085C-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。该产品适用于单N型晶体管,具有150V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3.5V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为5.6m??。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为TO263。由于该晶体管具有高漏极-源极电压和电流特性,适用于LED照明驱动器中的功率开关电路,实现LED灯的高效驱动和稳定工作。
    台积电流片,长电封测。该产品适用于单N型晶体管,具有150V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3.5V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为5.6m??。最大漏极电流为140A。采用SGT技术,封装为TO263。由于该晶体管具有高漏极-源极电压和电流特性,适用于LED照明驱动器中的功率开关电路,实现LED灯的高效驱动和稳定工作。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.7739 ¥7.9326
  • 100+ ¥7.1981 ¥7.345
  • 500+ ¥6.6223 ¥6.7574
  • 1000+ ¥6.3343 ¥6.4636
合计:¥77.74
标准包装数量:1000

STD140N6F7-VB 未分类

  • 型号: STD140N6F7-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.6425 ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.4841 ¥3.5552
合计:¥42.76
标准包装数量:2500

DMTH6004SK3-VB 未分类

  • 型号: DMTH6004SK3-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,120A,RDS(ON),0.0034Ω@10V,20Vgs(±V);2.5-4.5Vth(V) 封装:TO252适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域,可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中,以实现稳定的能量转换和高性能输出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.6425 ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.4841 ¥3.5552
合计:¥42.76
标准包装数量:2500

20N60-VB TO263 未分类

  • 型号: 20N60-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 800+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥116.61
标准包装数量:800

NVBLS4D0N15MC-VB 未分类

  • 型号: NVBLS4D0N15MC-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    台积电流片,长电封测。SGT technology Power MOSFET TOLL N-Channel沟道150 V (D-S) 175A 5豪欧VGS=±20V;Vth=3.5V;它可用于太阳能发电逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥9.7175 ¥9.9158
  • 100+ ¥8.9977 ¥9.1813
  • 500+ ¥8.2779 ¥8.4468
  • 2000+ ¥7.9179 ¥8.0795
合计:¥97.18
标准包装数量:2000

SUG80050E-VB 未分类

  • 型号: SUG80050E-VB
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;150V;180A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;由于其高压耐受能力和高电流承受能力,用于各种电源供应模块,包括工业电源和服务器电源。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;150V;180A;RDS(ON)=0.005Ω@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;由于其高压耐受能力和高电流承受能力,用于各种电源供应模块,包括工业电源和服务器电源。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 900+ ¥9.5015 ¥9.6954
合计:¥116.61
标准包装数量:300

5N52U-VB TO252 未分类

  • 型号: 5N52U-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9435 ¥1.9832
  • 100+ ¥1.7996 ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7275 ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6556 ¥1.6894
合计:¥29.15
标准包装数量:2500

05CN10N-VB TO263 未分类

  • 型号: 05CN10N-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8022 ¥6.941
  • 100+ ¥6.2984 ¥6.4269
  • 500+ ¥6.0464 ¥6.1698
  • 800+ ¥5.7944 ¥5.9127
合计:¥68.02
标准包装数量:800

50N10-VB TO263 未分类

  • 型号: 50N10-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.8008 ¥3.8784
  • 800+ ¥3.6425 ¥3.7168
合计:¥42.76
标准包装数量:800

4N06H1-VB TO263 未分类

  • 型号: 4N06H1-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263具有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263具有高电流承载能力、低导通电阻和稳定的工作特性,能够满足大功率、高电流应用的要求,是一款适用于高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.2195 ¥6.3464
  • 100+ ¥5.7588 ¥5.8763
  • 500+ ¥5.5284 ¥5.6412
  • 800+ ¥5.2981 ¥5.4062
合计:¥62.20
标准包装数量:800

4N60-VB TO252 未分类

  • 型号: 4N60-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9435 ¥1.9832
  • 100+ ¥1.7996 ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7275 ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6556 ¥1.6894
合计:¥29.15
标准包装数量:2500

4P04L04-VB TO252 未分类

  • 型号: 4P04L04-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),4.8mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252具有多种特性和应用领域,包括电源管理、汽车电子和电机驱动等,是一款功能强大且多用途的器件,可广泛应用于各种电子设备和系统中。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),4.8mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252具有多种特性和应用领域,包括电源管理、汽车电子和电机驱动等,是一款功能强大且多用途的器件,可广泛应用于各种电子设备和系统中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.6425 ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.4841 ¥3.5552
合计:¥42.76
标准包装数量:2500

04N70BF-A-VB TO220F 未分类

  • 型号: 04N70BF-A-VB TO220F
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,700V,7A,RDS(ON),800mΩ@10V,1000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F可用于设计电源逆变器,将直流电转换为交流电,适用于太阳能发电系统、风能发电系统等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,700V,7A,RDS(ON),800mΩ@10V,1000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F可用于设计电源逆变器,将直流电转换为交流电,适用于太阳能发电系统、风能发电系统等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.8008 ¥3.8784
  • 1000+ ¥3.6425 ¥3.7168
合计:¥42.76
标准包装数量:1000

4P04L08-VB TO252 未分类

  • 型号: 4P04L08-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),4.8mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252具有多种特性和应用领域,包括电源管理、汽车电子和电机驱动等,是一款功能强大且多用途的器件,可广泛应用于各种电子设备和系统中。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-110A,RDS(ON),4.8mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252具有多种特性和应用领域,包括电源管理、汽车电子和电机驱动等,是一款功能强大且多用途的器件,可广泛应用于各种电子设备和系统中。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.2759 ¥4.3632
  • 100+ ¥3.9592 ¥4.04
  • 500+ ¥3.6425 ¥3.7168
  • 2500+ ¥3.4841 ¥3.5552
合计:¥42.76
标准包装数量:2500

5N60-VB TO252 未分类

  • 型号: 5N60-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥1.9435 ¥1.9832
  • 100+ ¥1.7996 ¥1.8363
  • 500+ ¥1.7275 ¥1.7628
  • 2500+ ¥1.6556 ¥1.6894
合计:¥29.15
标准包装数量:2500

042P03L-VB TO252 未分类

  • 型号: 042P03L-VB TO252
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252可以用作开关电源中的功率开关器件
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252可以用作开关电源中的功率开关器件
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.138 ¥2.1816
  • 100+ ¥1.9796 ¥2.02
  • 500+ ¥1.9004 ¥1.9392
  • 2500+ ¥1.8212 ¥1.8584
合计:¥32.07
标准包装数量:2500

4P0409-VB TO220 未分类

  • 型号: 4P0409-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-80A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-80A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥3.498 ¥3.5694
  • 100+ ¥3.2389 ¥3.305
  • 500+ ¥3.1093 ¥3.1728
  • 1000+ ¥2.9798 ¥3.0406
合计:¥34.98
标准包装数量:1000

045N10N-VB TO220 未分类

  • 型号: 045N10N-VB TO220
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8029 ¥6.9417
  • 100+ ¥6.299 ¥6.4275
  • 500+ ¥5.795 ¥5.9133
  • 1000+ ¥5.5431 ¥5.6562
合计:¥68.03
标准包装数量:1000

5R250P-VB TO263 未分类

  • 型号: 5R250P-VB TO263
  • 厂牌:VBSEMI/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥11.6609 ¥11.8989
  • 100+ ¥10.7972 ¥11.0175
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
  • 500+ ¥9.9334 ¥10.1361
合计:¥116.61
标准包装数量:800
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