处理中...

{{item.name}}

CSD16340Q3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CSD16340Q3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有卓越的电气特性,最大漏极电流ID为150A,击穿电压VDSS达到30V,而导通电阻RDON低至3mΩ,工作于VGS=20V条件下。该MOSFET适用于高效率的电源管理及快速开关应用,例如电池充电器、便携式设备的电源适配器等场合,能够有效减少能量损耗,提升系统的整体性能。其小巧的封装设计也便于集成到各种紧凑型电子产品中。
    这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有卓越的电气特性,最大漏极电流ID为150A,击穿电压VDSS达到30V,而导通电阻RDON低至3mΩ,工作于VGS=20V条件下。该MOSFET适用于高效率的电源管理及快速开关应用,例如电池充电器、便携式设备的电源适配器等场合,能够有效减少能量损耗,提升系统的整体性能。其小巧的封装设计也便于集成到各种紧凑型电子产品中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.8085
  • 15000+ ¥1.7784
  • 25000+ ¥1.7332
合计:¥9,042.50
标准包装数量:5000

SI7423DN-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7423DN-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型,电流为40A,可满足一定功率要求。电压30V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值13mR,能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定中等功率电子设备的电流调控。
    此场效应管为P型,电流为40A,可满足一定功率要求。电压30V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值13mR,能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定中等功率电子设备的电流调控。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.428
  • 15000+ ¥1.4042
  • 25000+ ¥1.3685
合计:¥7,140.00
标准包装数量:5000

NTMFS4C03N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS4C03N
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,额定电压30V,峰值电流高达150A。专为高效能电源转换、大电流电机驱动和电池管理系统设计,具备卓越的功率处理能力和热稳定性,是现代高密度电子设备的理想之选。
    描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,额定电压30V,峰值电流高达150A。专为高效能电源转换、大电流电机驱动和电池管理系统设计,具备卓越的功率处理能力和热稳定性,是现代高密度电子设备的理想之选。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.35
  • 15000+ ¥1.3275
  • 25000+ ¥1.2938
合计:¥6,750.00
标准包装数量:5000

BUK9214-30A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BUK9214-30A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流高达60A,可满足高功率需求。电压为30V,能在多种常见电路环境下稳定运行。内阻典型值7mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定大功率电子设备的电流控制。
    这款场效应管为N型,电流高达60A,可满足高功率需求。电压为30V,能在多种常见电路环境下稳定运行。内阻典型值7mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定大功率电子设备的电流控制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.764
  • 7500+ ¥1.7346
  • 12500+ ¥1.6905
合计:¥4,410.00
标准包装数量:2500

BSC025N03MSG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC025N03MSG
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款高性能N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装,专为大电流应用设计。额定电压30V,峰值连续电流高达150A,特别适用于电源转换、电池管理系统和高功率开关场景,提供卓越的导通性能与高效散热,是紧凑型电子设备实现超强功率控制的理想之选。
    描述: 这款高性能N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装,专为大电流应用设计。额定电压30V,峰值连续电流高达150A,特别适用于电源转换、电池管理系统和高功率开关场景,提供卓越的导通性能与高效散热,是紧凑型电子设备实现超强功率控制的理想之选。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.1227
  • 15000+ ¥2.0873
  • 25000+ ¥2.0342
合计:¥10,613.50
标准包装数量:5000

SQ4946AEY-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ4946AEY-T1_GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N+N型场效应管以其卓越的性能在多个领域展现出色的应用潜力。其最大承受电流高达6.5A,额定电压为60V,确保稳定运行。低内阻Typ值32mR有助于减少能量损耗。VGS为20V,易于驱动。适用于电源管理、信号放大及开关电路等关键部位,提升系统效率与可靠性。
    这款N+N型场效应管以其卓越的性能在多个领域展现出色的应用潜力。其最大承受电流高达6.5A,额定电压为60V,确保稳定运行。低内阻Typ值32mR有助于减少能量损耗。VGS为20V,易于驱动。适用于电源管理、信号放大及开关电路等关键部位,提升系统效率与可靠性。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥2.43
  • 9000+ ¥2.3895
  • 15000+ ¥2.3288
合计:¥7,290.00
标准包装数量:3000

HCJ3134K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HCJ3134K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-723
  • 描述: 描述: 负载/电源开关 超小型便携式电子产品的电池管理 逻辑电平移位 通信设备 工业控制与自动化
    描述: 负载/电源开关 超小型便携式电子产品的电池管理 逻辑电平移位 通信设备 工业控制与自动化
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.0912
  • 9000+ ¥0.0897
  • 15000+ ¥0.0874
合计:¥273.60
标准包装数量:3000

IRF7416T 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7416T
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 描述: 该消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装,额定电压30V,最大连续电流9A。适用于电池保护、电源管理与高效能负载切换应用,具备出色的低导通电阻及快速开关特性,是现代电子设备的理想功率控制元件。
    描述: 该消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装,额定电压30V,最大连续电流9A。适用于电池保护、电源管理与高效能负载切换应用,具备出色的低导通电阻及快速开关特性,是现代电子设备的理想功率控制元件。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.558
  • 9000+ ¥0.5487
  • 15000+ ¥0.5348
合计:¥1,674.00
标准包装数量:3000

NTD3055L170 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD3055L170
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为20A,可满足一定功率需求。电压60V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值27mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制和功率调节,保障设备稳定运行。
    这款场效应管为N型,电流为20A,可满足一定功率需求。电压60V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值27mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制和功率调节,保障设备稳定运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.6926
  • 7500+ ¥0.6811
  • 12500+ ¥0.6638
合计:¥1,731.50
标准包装数量:2500

NTD4804N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD4804N
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为120A,能承载较大功率。电压30V,可在多种常见电路环境下稳定工作。内阻典型值3mR,减少了能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,适用于特定高功率电子设备的电流控制。
    这款场效应管为N型,电流为120A,能承载较大功率。电压30V,可在多种常见电路环境下稳定工作。内阻典型值3mR,减少了能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,适用于特定高功率电子设备的电流控制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.6919
  • 7500+ ¥0.6804
  • 12500+ ¥0.6631
合计:¥1,729.75
标准包装数量:2500

AOD516 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD516
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管支持100A的连续电流和30V的最大工作电压。其典型内阻低至3.8毫欧,有助于显著减少能量损耗。适用于20VVGS阈值电压的应用环境,此元件非常适合用于电源管理、信号调节以及高功率开关电路,在消费电子和通信设备中实现高效稳定的性能。
    这款N型场效应管支持100A的连续电流和30V的最大工作电压。其典型内阻低至3.8毫欧,有助于显著减少能量损耗。适用于20VVGS阈值电压的应用环境,此元件非常适合用于电源管理、信号调节以及高功率开关电路,在消费电子和通信设备中实现高效稳定的性能。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.6324
  • 7500+ ¥0.6219
  • 12500+ ¥0.6061
合计:¥1,581.00
标准包装数量:2500

IRFR9024NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR9024NTRPBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具备60V高耐压及10A电流处理能力。专为低压开关应用设计,适用于各类消费电子产品中的电源管理与转换需求,提供高效、低损耗的系统解决方案。
    描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具备60V高耐压及10A电流处理能力。专为低压开关应用设计,适用于各类消费电子产品中的电源管理与转换需求,提供高效、低损耗的系统解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.6264
  • 7500+ ¥0.616
  • 12500+ ¥0.6003
合计:¥1,566.00
标准包装数量:2500

NTD24N06 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD24N06
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款N型场效应管具备20A电流承载能力与60V工作电压,内阻典型值仅27mΩ,有效降低了能量损耗。支持20V的栅源电压(VGS),确保了出色的驱动特性。适用于消费类电子产品中的电源管理、信号调节及开关电路等场合,是追求高效能应用的理想之选。
    此款N型场效应管具备20A电流承载能力与60V工作电压,内阻典型值仅27mΩ,有效降低了能量损耗。支持20V的栅源电压(VGS),确保了出色的驱动特性。适用于消费类电子产品中的电源管理、信号调节及开关电路等场合,是追求高效能应用的理想之选。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.7242
  • 7500+ ¥0.7121
  • 12500+ ¥0.694
合计:¥1,810.50
标准包装数量:2500

SI4134DY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4134DY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管具有8.5A的电流承载能力,最大30V的电压承受能力,内阻典型值为14mΩ,适用于射频和通信领域,例如射频放大器、混频器等。其栅源电压VGS为20V。该元器件的高性能和稳定性能满足各类应用需求,确保系统可靠运行。
    这款N型场效应管具有8.5A的电流承载能力,最大30V的电压承受能力,内阻典型值为14mΩ,适用于射频和通信领域,例如射频放大器、混频器等。其栅源电压VGS为20V。该元器件的高性能和稳定性能满足各类应用需求,确保系统可靠运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.5304
  • 9000+ ¥0.5216
  • 15000+ ¥0.5083
合计:¥1,591.20
标准包装数量:3000

NTMFS4C290N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS4C290N
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管具有80A的电流承载能力和30V的电压耐受性,内阻典型值为4.7mΩ,适用于高要求电路设计。其VGS为20V,确保稳定的开关控制。适用于电源管理、信号放大及开关电路等应用,提供高效能且可靠的电子控制解决方案,满足各种复杂应用场景的需求。
    这款N型场效应管具有80A的电流承载能力和30V的电压耐受性,内阻典型值为4.7mΩ,适用于高要求电路设计。其VGS为20V,确保稳定的开关控制。适用于电源管理、信号放大及开关电路等应用,提供高效能且可靠的电子控制解决方案,满足各种复杂应用场景的需求。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.5814
  • 15000+ ¥0.5717
  • 25000+ ¥0.5572
合计:¥2,907.00
标准包装数量:5000

SIS402DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIS402DN-T1-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流高达100A,适用于高功率需求场景。电压为30V,可在特定电路中稳定运行。内阻典型值4mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流要求极高的电子设备进行电流调控。
    此场效应管为N型,电流高达100A,适用于高功率需求场景。电压为30V,可在特定电路中稳定运行。内阻典型值4mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流要求极高的电子设备进行电流调控。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.7752
  • 15000+ ¥0.7623
  • 25000+ ¥0.7429
合计:¥3,876.00
标准包装数量:5000

SI7615CDN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7615CDN-T1-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型,电流高达48A,能承载较大功率。电压为20V,可在特定电路中稳定运行。内阻典型值7.5mR,能量损耗较小。VGS为12V。在消费电子领域,可用于对电流要求较高的电子设备进行电流调控。
    此场效应管为P型,电流高达48A,能承载较大功率。电压为20V,可在特定电路中稳定运行。内阻典型值7.5mR,能量损耗较小。VGS为12V。在消费电子领域,可用于对电流要求较高的电子设备进行电流调控。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.8448
  • 15000+ ¥0.8307
  • 25000+ ¥0.8096
合计:¥4,224.00
标准包装数量:5000

NTMD4840NR2G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMD4840NR2G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N+N型,电流8.5A,可适应较低功率需求。电压30V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定小功率电子设备的电流控制与稳定运行。
    此场效应管为N+N型,电流8.5A,可适应较低功率需求。电压30V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定小功率电子设备的电流控制与稳定运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.6732
  • 9000+ ¥0.662
  • 15000+ ¥0.6452
合计:¥2,019.60
标准包装数量:3000

NTMFS4935N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS4935N
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流达150A,具备强大的电流承载能力。电压为30V,可在特定电路环境稳定工作。内阻典型值3mR,能量损耗极小。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有高要求的大型电子设备中。
    此场效应管为N型,电流达150A,具备强大的电流承载能力。电压为30V,可在特定电路环境稳定工作。内阻典型值3mR,能量损耗极小。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有高要求的大型电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.7296
  • 15000+ ¥0.7174
  • 25000+ ¥0.6992
合计:¥3,648.00
标准包装数量:5000

IRFR120NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR120NTRPBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 此款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,专为100V电压环境设计,具备高达12A的连续电流承载能力。广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具有低导通电阻和良好散热特性,是现代电子设备中实现高效功率控制的理想半导体组件。
    描述: 此款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,专为100V电压环境设计,具备高达12A的连续电流承载能力。广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具有低导通电阻和良好散热特性,是现代电子设备中实现高效功率控制的理想半导体组件。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.72
  • 7500+ ¥0.708
  • 7500+ ¥0.708
合计:¥1,800.00
标准包装数量:2500
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧