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SI9926CDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI9926CDY-T1-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N+N型,电流为8A,可适应一定功率要求。电压20V,能在多种常见电路中稳定工作。内阻典型值13mR,减少能量损耗。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流调控。
    这款场效应管为N+N型,电流为8A,可适应一定功率要求。电压20V,能在多种常见电路中稳定工作。内阻典型值13mR,减少能量损耗。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流调控。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.8364
  • 9000+ ¥0.8225
  • 15000+ ¥0.8016
合计:¥2,509.20
标准包装数量:3000

AOD210 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD210
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流达150A,具有强大的电流承载能力。电压为30V,可在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值仅2mR,能量损耗极低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定高功率电子设备的电流调控。
    此场效应管为N型,电流达150A,具有强大的电流承载能力。电压为30V,可在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值仅2mR,能量损耗极低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定高功率电子设备的电流调控。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.002
  • 7500+ ¥0.9853
  • 12500+ ¥0.9603
合计:¥2,505.00
标准包装数量:2500

STS7PF30L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STS7PF30L
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流为11A,可承载一定的电流。电压30V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值12.5mR,有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
    这款场效应管为P型,电流为11A,可承载一定的电流。电压30V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值12.5mR,有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.816
  • 9000+ ¥0.8024
  • 15000+ ¥0.782
合计:¥2,448.00
标准包装数量:3000

SI4936CDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4936CDY-T1-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N+N型场效应管,具备6A的电流承载能力和30V的电压耐受性。其内阻典型值为25mΩ,确保了较低的功耗。VGS为20V,适用于多种电源管理场景。该元器件设计精良,适用于家庭电器、消费电子产品及照明系统等领域,提供稳定的性能与高效的能量转换。
    这款N+N型场效应管,具备6A的电流承载能力和30V的电压耐受性。其内阻典型值为25mΩ,确保了较低的功耗。VGS为20V,适用于多种电源管理场景。该元器件设计精良,适用于家庭电器、消费电子产品及照明系统等领域,提供稳定的性能与高效的能量转换。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.918
  • 9000+ ¥0.9027
  • 15000+ ¥0.8798
合计:¥2,754.00
标准包装数量:3000

IRFR3806TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR3806TRPBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,专为处理60V电压下的大电流应用。额定连续电流高达50A,特别适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具有低导通电阻和卓越散热效能,是现代电子产品实现高效能功率控制的理想半导体元件。
    描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,专为处理60V电压下的大电流应用。额定连续电流高达50A,特别适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具有低导通电阻和卓越散热效能,是现代电子产品实现高效能功率控制的理想半导体元件。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.056
  • 7500+ ¥1.0384
  • 12500+ ¥1.012
合计:¥2,640.00
标准包装数量:2500

AOD2916 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD2916
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为30A,可承载较大功率。电压100V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值35mR,能量损耗相对较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定大功率电子设备的电流调控。
    这款场效应管为N型,电流为30A,可承载较大功率。电压100V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值35mR,能量损耗相对较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定大功率电子设备的电流调控。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.0368
  • 7500+ ¥1.0195
  • 12500+ ¥0.9936
合计:¥2,592.00
标准包装数量:2500

AON6407 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON6407
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型。电流高达110A,可承载极大的电流负荷。电压为30V,适应多种电压环境。内阻典型值仅3mR,低内阻优势明显。VGS为20V。适用于各类电子产品,在大功率电源管理和信号处理方面表现出色,确保电路稳定运行。
    此场效应管为P型。电流高达110A,可承载极大的电流负荷。电压为30V,适应多种电压环境。内阻典型值仅3mR,低内阻优势明显。VGS为20V。适用于各类电子产品,在大功率电源管理和信号处理方面表现出色,确保电路稳定运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.2779
  • 15000+ ¥1.2566
  • 25000+ ¥1.2246
合计:¥6,389.50
标准包装数量:5000

SI4946BEY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4946BEY-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N+N型场效应管,具有6.5A的电流承载能力和60V的电压耐受性。其内阻典型值为32mΩ,确保了较低的功耗。VGS为20V,适用于多种电路设计。该元器件在多种应用场景中表现出色,包括但不限于电源管理、信号放大及开关电路等,是电子工程师设计高效能电路的理想选择。
    这款N+N型场效应管,具有6.5A的电流承载能力和60V的电压耐受性。其内阻典型值为32mΩ,确保了较低的功耗。VGS为20V,适用于多种电路设计。该元器件在多种应用场景中表现出色,包括但不限于电源管理、信号放大及开关电路等,是电子工程师设计高效能电路的理想选择。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥1.071
  • 9000+ ¥1.0532
  • 15000+ ¥1.0264
合计:¥3,213.00
标准包装数量:3000

MTD3055V 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTD3055V
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为20A,可在一定功率范围内稳定工作。电压达60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值27mR,有助于降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的需求。
    这款场效应管为N型,电流为20A,可在一定功率范围内稳定工作。电压达60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值27mR,有助于降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的需求。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.7769
  • 7500+ ¥0.7639
  • 12500+ ¥0.7445
合计:¥1,942.25
标准包装数量:2500

PXP012-30QLJ 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PXP012-30QLJ
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流为40A,可满足一定程度的功率需求。电压30V,能在常见电路中稳定运行。内阻典型值13mR,能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定功率适中的电子设备进行电流控制。
    这款场效应管为P型,电流为40A,可满足一定程度的功率需求。电压30V,能在常见电路中稳定运行。内阻典型值13mR,能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定功率适中的电子设备进行电流控制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.122
  • 15000+ ¥1.1033
  • 25000+ ¥1.0753
合计:¥5,610.00
标准包装数量:5000

BUK7210-55B 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BUK7210-55B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有50A的电流承载能力和60V的电压耐受性,内阻典型值为11mΩ,适用于高电流、低内阻需求的场景。其VGS为20V,确保了良好的控制性能。该产品适用于多种高性能电子设备,能够确保稳定运行,提高系统效率。无论是电源管理还是信号放大,都能提供卓越的性能表现。
    这款N型场效应管拥有50A的电流承载能力和60V的电压耐受性,内阻典型值为11mΩ,适用于高电流、低内阻需求的场景。其VGS为20V,确保了良好的控制性能。该产品适用于多种高性能电子设备,能够确保稳定运行,提高系统效率。无论是电源管理还是信号放大,都能提供卓越的性能表现。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.6224
  • 7500+ ¥1.5954
  • 12500+ ¥1.5548
合计:¥4,056.00
标准包装数量:2500

IRF8721PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF8721PBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达15A,耐压能力达到30V,内阻典型值为7.5mΩ,栅源极阈值电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景,如电源管理、LED驱动及高性能电子设备中,确保系统稳定运行。
    这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达15A,耐压能力达到30V,内阻典型值为7.5mΩ,栅源极阈值电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景,如电源管理、LED驱动及高性能电子设备中,确保系统稳定运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥1.53
  • 9000+ ¥1.5045
  • 15000+ ¥1.4663
合计:¥4,590.00
标准包装数量:3000

SPD18P06PG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPD18P06PG
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流为15A,可在一定功率范围内发挥作用。电压60V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值95mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制和功率调节。
    这款场效应管为P型,电流为15A,可在一定功率范围内发挥作用。电压60V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值95mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制和功率调节。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.326
  • 7500+ ¥1.3039
  • 12500+ ¥1.2708
合计:¥3,315.00
标准包装数量:2500

SIR802DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR802DP-T1-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流为80A,可适应较高功率需求。电压20V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值3.5mR,有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流调控。
    此场效应管为N型,电流为80A,可适应较高功率需求。电压20V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值3.5mR,有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流调控。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.8606
  • 15000+ ¥1.8296
  • 25000+ ¥1.7831
合计:¥9,303.00
标准包装数量:5000

NTH4L015N065SC1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTH4L015N065SC1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管(MOSFET)具备出色的电气特性,其连续电流ID/A达到120A,能够承受的最大漏源电压VDSS/V为650V。该器件的导通电阻RDON仅为15毫欧(mΩ),有助于减少能量损耗。其栅源电压VGS/V的最大值为15V,确保了可靠的开关性能。作为一款N沟道MOSFET,它适用于高频率开关电源、太阳能逆变器以及其他要求高效率和可靠性的电力转换系统中。
    这款碳化硅场效应管(MOSFET)具备出色的电气特性,其连续电流ID/A达到120A,能够承受的最大漏源电压VDSS/V为650V。该器件的导通电阻RDON仅为15毫欧(mΩ),有助于减少能量损耗。其栅源电压VGS/V的最大值为15V,确保了可靠的开关性能。作为一款N沟道MOSFET,它适用于高频率开关电源、太阳能逆变器以及其他要求高效率和可靠性的电力转换系统中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 30+ ¥76.6598
  • 90+ ¥75.3822
  • 150+ ¥73.4657
合计:¥4,599.59
标准包装数量:30

C3M0015065D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: C3M0015065D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管具有120A的电流承载能力和650V的电压耐受性,内阻典型值为15mR。其VGS为15V,属于N型器件。适用于高效能电子系统,如数据中心、可再生能源转换及高性能动力系统,确保稳定运行与高效能输出。
    这款碳化硅场效应管具有120A的电流承载能力和650V的电压耐受性,内阻典型值为15mR。其VGS为15V,属于N型器件。适用于高效能电子系统,如数据中心、可再生能源转换及高性能动力系统,确保稳定运行与高效能输出。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 30+ ¥90
  • 90+ ¥88.5
  • 150+ ¥86.25
合计:¥5,400.00
标准包装数量:30

C3M0015065K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: C3M0015065K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管具有120A的电流承载能力和650V的电压耐受性,内阻典型值为15mΩ,适用于高功率、高温环境。其N型结构搭配15V的VGS,确保了高效的开关控制,适合多种高性能应用。
    这款碳化硅场效应管具有120A的电流承载能力和650V的电压耐受性,内阻典型值为15mΩ,适用于高功率、高温环境。其N型结构搭配15V的VGS,确保了高效的开关控制,适合多种高性能应用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 30+ ¥93.6
  • 90+ ¥92.04
  • 150+ ¥89.7
合计:¥5,616.00
标准包装数量:30

HXY50N03DF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY50N03DF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,具有出色的功率密度。额定电压30V,连续电流高达50A,特别适合于紧凑空间内的高效电源转换、负载开关控制以及电池管理系统等应用场合,提供卓越的性能与可靠性。
    描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,具有出色的功率密度。额定电压30V,连续电流高达50A,特别适合于紧凑空间内的高效电源转换、负载开关控制以及电池管理系统等应用场合,提供卓越的性能与可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.3168
  • 15000+ ¥0.3115
  • 25000+ ¥0.3036
合计:¥1,584.00
标准包装数量:5000

IRLML6346TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML6346TRPBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23-3L
  • 描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备5.8A的连续排水电流(ID),以及30V的最大漏源电压(VDSS),能够在高达20V的栅源电压(VGS)下工作。其导通电阻(RDSON)仅为22毫欧,使得在导通状态下电力损耗较小。此MOSFET适用于多种电子设备中作为开关或放大元件,尤其适合需要高效能转换的应用场合,如便携式电子产品中的电源管理模块,或者消费类电子产品内的信号处理单元。
    这款N沟道场效应管(MOSFET)具备5.8A的连续排水电流(ID),以及30V的最大漏源电压(VDSS),能够在高达20V的栅源电压(VGS)下工作。其导通电阻(RDSON)仅为22毫欧,使得在导通状态下电力损耗较小。此MOSFET适用于多种电子设备中作为开关或放大元件,尤其适合需要高效能转换的应用场合,如便携式电子产品中的电源管理模块,或者消费类电子产品内的信号处理单元。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.4056
  • 9000+ ¥0.3988
  • 15000+ ¥0.3887
合计:¥1,216.80
标准包装数量:3000

SI4386DY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4386DY-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大电流可达18A,耐压高达30V,内阻典型值为5mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于高效能电源管理、负载开关应用及信号放大等场景,确保系统稳定运行。其低内阻设计大幅降低功耗,提升整体效率。选择此款元器件,为您的系统设计注入高效稳定动力。
    这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大电流可达18A,耐压高达30V,内阻典型值为5mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于高效能电源管理、负载开关应用及信号放大等场景,确保系统稳定运行。其低内阻设计大幅降低功耗,提升整体效率。选择此款元器件,为您的系统设计注入高效稳定动力。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥1.1832
  • 9000+ ¥1.1635
  • 9000+ ¥1.1635
合计:¥3,549.60
标准包装数量:3000
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