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AOD409 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD409
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具备60V高耐压及强大50A电流处理能力。专为中高压大电流应用场景设计,广泛应用于各类消费电子产品,提供卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。
    描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具备60V高耐压及强大50A电流处理能力。专为中高压大电流应用场景设计,广泛应用于各类消费电子产品,提供卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.838
  • 7500+ ¥0.824
  • 12500+ ¥0.803
合计:¥2,095.00
标准包装数量:2500

AOD482 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD482
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流30A,可适应较大功率需求。电压100V,能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值35mR,能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定大功率电子设备的电流控制。
    此场效应管为N型,电流30A,可适应较大功率需求。电压100V,能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值35mR,能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定大功率电子设备的电流控制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.9504
  • 7500+ ¥0.9346
  • 12500+ ¥0.9108
合计:¥2,376.00
标准包装数量:2500

SQ4470EY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ4470EY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流10A,适用于中等电流需求场景。电压为60V,可在较高电压环境下稳定工作。内阻典型值10mR,能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
    此场效应管为N型,电流10A,适用于中等电流需求场景。电压为60V,可在较高电压环境下稳定工作。内阻典型值10mR,能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:4000
  • 增   量:4000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 4000+ ¥1.02
  • 12000+ ¥1.003
  • 20000+ ¥0.9775
合计:¥4,080.00
标准包装数量:4000

NTD5865NL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD5865NL
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流50A,可在一定功率需求下稳定工作。电压60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR,能有效控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制。
    此场效应管为N型,电流50A,可在一定功率需求下稳定工作。电压60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR,能有效控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.071
  • 7500+ ¥1.0532
  • 12500+ ¥1.0264
合计:¥2,677.50
标准包装数量:2500

PXP012-30QLJ 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PXP012-30QLJ
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流为40A,可满足一定程度的功率需求。电压30V,能在常见电路中稳定运行。内阻典型值13mR,能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定功率适中的电子设备进行电流控制。
    这款场效应管为P型,电流为40A,可满足一定程度的功率需求。电压30V,能在常见电路中稳定运行。内阻典型值13mR,能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定功率适中的电子设备进行电流控制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.122
  • 15000+ ¥1.1033
  • 25000+ ¥1.0753
合计:¥5,610.00
标准包装数量:5000

AOD2916 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD2916
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为30A,可承载较大功率。电压100V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值35mR,能量损耗相对较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定大功率电子设备的电流调控。
    这款场效应管为N型,电流为30A,可承载较大功率。电压100V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值35mR,能量损耗相对较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定大功率电子设备的电流调控。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.0368
  • 7500+ ¥1.0195
  • 12500+ ¥0.9936
合计:¥2,592.00
标准包装数量:2500

AON6358 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON6358
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,耐压能力达到30V,内阻典型值仅为2mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景,如电源管理、负载开关等,确保系统的高效稳定运行。
    这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,耐压能力达到30V,内阻典型值仅为2mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景,如电源管理、负载开关等,确保系统的高效稳定运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.152
  • 15000+ ¥1.1328
  • 25000+ ¥1.104
合计:¥5,760.00
标准包装数量:5000

MTD3055V 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MTD3055V
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为20A,可在一定功率范围内稳定工作。电压达60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值27mR,有助于降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的需求。
    这款场效应管为N型,电流为20A,可在一定功率范围内稳定工作。电压达60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值27mR,有助于降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的需求。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.7769
  • 7500+ ¥0.7639
  • 12500+ ¥0.7445
合计:¥1,942.25
标准包装数量:2500

SIS410DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIS410DN-T1-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流达60A,可应对较大功率需求。电压为20V,适用于多种常见电路。内阻典型值4mR,能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的较高要求。
    此场效应管为N型,电流达60A,可应对较大功率需求。电压为20V,适用于多种常见电路。内阻典型值4mR,能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的较高要求。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.122
  • 15000+ ¥1.1033
  • 25000+ ¥1.0753
合计:¥5,610.00
标准包装数量:5000

IRFU4105ZPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFU4105ZPBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流50A,能承载较大功率。电压60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR,可有效控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的要求,保障设备稳定运行。
    此场效应管为N型,电流50A,能承载较大功率。电压60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR,可有效控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的要求,保障设备稳定运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.837
  • 7500+ ¥0.8231
  • 12500+ ¥0.8021
合计:¥2,092.50
标准包装数量:2500

SFT1342 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SFT1342
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流为30A,可适应一定功率需求。电压达60V,适用于多种常见电路。内阻典型值29mR,能量损耗相对较高。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定功率电子设备的电流控制。
    这款场效应管为P型,电流为30A,可适应一定功率需求。电压达60V,适用于多种常见电路。内阻典型值29mR,能量损耗相对较高。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定功率电子设备的电流控制。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.056
  • 7500+ ¥1.0384
  • 12500+ ¥1.012
合计:¥2,640.00
标准包装数量:2500

BSO130P03SH 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSO130P03SH
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管采用P型设计,适用于多种应用场景。其最大电流承载能力为12A,耐压高达30V,内阻典型值为10mR,确保了高效的电流控制。VGS为20V,使得产品在正常工作范围内具有稳定的性能表现。该元器件因其出色的电性能和可靠性,非常适合于电源管理、信号放大及开关控制等关键应用。
    这款场效应管采用P型设计,适用于多种应用场景。其最大电流承载能力为12A,耐压高达30V,内阻典型值为10mR,确保了高效的电流控制。VGS为20V,使得产品在正常工作范围内具有稳定的性能表现。该元器件因其出色的电性能和可靠性,非常适合于电源管理、信号放大及开关控制等关键应用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.9486
  • 9000+ ¥0.9328
  • 15000+ ¥0.9091
合计:¥2,845.80
标准包装数量:3000

SI4936CDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4936CDY-T1-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N+N型场效应管,具备6A的电流承载能力和30V的电压耐受性。其内阻典型值为25mΩ,确保了较低的功耗。VGS为20V,适用于多种电源管理场景。该元器件设计精良,适用于家庭电器、消费电子产品及照明系统等领域,提供稳定的性能与高效的能量转换。
    这款N+N型场效应管,具备6A的电流承载能力和30V的电压耐受性。其内阻典型值为25mΩ,确保了较低的功耗。VGS为20V,适用于多种电源管理场景。该元器件设计精良,适用于家庭电器、消费电子产品及照明系统等领域,提供稳定的性能与高效的能量转换。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.918
  • 9000+ ¥0.9027
  • 15000+ ¥0.8798
合计:¥2,754.00
标准包装数量:3000

SI9926CDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI9926CDY-T1-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N+N型,电流为8A,可适应一定功率要求。电压20V,能在多种常见电路中稳定工作。内阻典型值13mR,减少能量损耗。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流调控。
    这款场效应管为N+N型,电流为8A,可适应一定功率要求。电压20V,能在多种常见电路中稳定工作。内阻典型值13mR,减少能量损耗。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流调控。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.8364
  • 9000+ ¥0.8225
  • 15000+ ¥0.8016
合计:¥2,509.20
标准包装数量:3000

STD10NF10T4 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STD10NF10T4
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流15A,适用于特定功率场景。电压高达100V,可在相应电路中稳定运行。内阻典型值100mR,能量损耗相对较高。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的小型电子设备中。
    此场效应管为N型,电流15A,适用于特定功率场景。电压高达100V,可在相应电路中稳定运行。内阻典型值100mR,能量损耗相对较高。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的小型电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.8964
  • 7500+ ¥0.8815
  • 12500+ ¥0.8591
合计:¥2,241.00
标准包装数量:2500

STD12NF06LT4 场效应管(MOSFET)

  • 型号: STD12NF06LT4
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流20A,可适应一定功率场景。电压60V,能在特定电路中稳定工作。内阻典型值27mR,能量损耗处于中等水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
    此场效应管为N型,电流20A,可适应一定功率场景。电压60V,能在特定电路中稳定工作。内阻典型值27mR,能量损耗处于中等水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.7769
  • 7500+ ¥0.7639
  • 12500+ ¥0.7445
合计:¥1,942.25
标准包装数量:2500

FDMS8888 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDMS8888
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为50A,可承载一定功率负载。电压30V,能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值6.5mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定中等功率电子设备的电流控制。
    这款场效应管为N型,电流为50A,可承载一定功率负载。电压30V,能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值6.5mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定中等功率电子设备的电流控制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.224
  • 15000+ ¥1.2036
  • 25000+ ¥1.173
合计:¥6,120.00
标准包装数量:5000

IRFR3806TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR3806TRPBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,专为处理60V电压下的大电流应用。额定连续电流高达50A,特别适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具有低导通电阻和卓越散热效能,是现代电子产品实现高效能功率控制的理想半导体元件。
    描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,专为处理60V电压下的大电流应用。额定连续电流高达50A,特别适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具有低导通电阻和卓越散热效能,是现代电子产品实现高效能功率控制的理想半导体元件。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.056
  • 7500+ ¥1.0384
  • 12500+ ¥1.012
合计:¥2,640.00
标准包装数量:2500

SI4946BEY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4946BEY-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N+N型场效应管,具有6.5A的电流承载能力和60V的电压耐受性。其内阻典型值为32mΩ,确保了较低的功耗。VGS为20V,适用于多种电路设计。该元器件在多种应用场景中表现出色,包括但不限于电源管理、信号放大及开关电路等,是电子工程师设计高效能电路的理想选择。
    这款N+N型场效应管,具有6.5A的电流承载能力和60V的电压耐受性。其内阻典型值为32mΩ,确保了较低的功耗。VGS为20V,适用于多种电路设计。该元器件在多种应用场景中表现出色,包括但不限于电源管理、信号放大及开关电路等,是电子工程师设计高效能电路的理想选择。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥1.071
  • 9000+ ¥1.0532
  • 15000+ ¥1.0264
合计:¥3,213.00
标准包装数量:3000

SUD19P06-60-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SUD19P06-60-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流为30A,可承担一定功率负载。电压达60V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值29mR,能量损耗稍高。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制。
    这款场效应管为P型,电流为30A,可承担一定功率负载。电压达60V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值29mR,能量损耗稍高。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.275
  • 7500+ ¥1.2538
  • 7500+ ¥1.2538
合计:¥3,187.50
标准包装数量:2500
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