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FDMS7670AS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDMS7670AS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,耐压能力达到30V,内阻典型值仅为2mR,确保了高效率和低损耗。其VGS为20V,适用于多种应用需求。该元器件设计精良,可靠性高,是电源管理、信号放大及开关应用的理想选择,有助于提升系统的稳定性和性能表现。
    这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,耐压能力达到30V,内阻典型值仅为2mR,确保了高效率和低损耗。其VGS为20V,适用于多种应用需求。该元器件设计精良,可靠性高,是电源管理、信号放大及开关应用的理想选择,有助于提升系统的稳定性和性能表现。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.8586
  • 15000+ ¥1.8276
  • 25000+ ¥1.7811
合计:¥9,293.00
标准包装数量:5000

BSC025N03MSG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC025N03MSG
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款高性能N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装,专为大电流应用设计。额定电压30V,峰值连续电流高达150A,特别适用于电源转换、电池管理系统和高功率开关场景,提供卓越的导通性能与高效散热,是紧凑型电子设备实现超强功率控制的理想之选。
    描述: 这款高性能N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装,专为大电流应用设计。额定电压30V,峰值连续电流高达150A,特别适用于电源转换、电池管理系统和高功率开关场景,提供卓越的导通性能与高效散热,是紧凑型电子设备实现超强功率控制的理想之选。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.1227
  • 15000+ ¥2.0873
  • 25000+ ¥2.0342
合计:¥10,613.50
标准包装数量:5000

CSD16340Q3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CSD16340Q3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有卓越的电气特性,最大漏极电流ID为150A,击穿电压VDSS达到30V,而导通电阻RDON低至3mΩ,工作于VGS=20V条件下。该MOSFET适用于高效率的电源管理及快速开关应用,例如电池充电器、便携式设备的电源适配器等场合,能够有效减少能量损耗,提升系统的整体性能。其小巧的封装设计也便于集成到各种紧凑型电子产品中。
    这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有卓越的电气特性,最大漏极电流ID为150A,击穿电压VDSS达到30V,而导通电阻RDON低至3mΩ,工作于VGS=20V条件下。该MOSFET适用于高效率的电源管理及快速开关应用,例如电池充电器、便携式设备的电源适配器等场合,能够有效减少能量损耗,提升系统的整体性能。其小巧的封装设计也便于集成到各种紧凑型电子产品中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.8085
  • 15000+ ¥1.7784
  • 25000+ ¥1.7332
合计:¥9,042.50
标准包装数量:5000

SI7218DN-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7218DN-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N+N型,电流20A,适用于一定功率的场景。电压30V,可在多种常见电路环境下工作。内阻典型值19mR,能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
    这款场效应管为N+N型,电流20A,适用于一定功率的场景。电压30V,可在多种常见电路环境下工作。内阻典型值19mR,能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
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  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥3.456
  • 15000+ ¥3.3984
  • 25000+ ¥3.312
合计:¥17,280.00
标准包装数量:5000

SI7414DN-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7414DN-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流30A,可在一定功率场景中发挥作用。电压60V,能确保在特定电路稳定运行。内阻典型值24mR,能量损耗处于中等水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的小型电子设备中。
    此场效应管为N型,电流30A,可在一定功率场景中发挥作用。电压60V,能确保在特定电路稳定运行。内阻典型值24mR,能量损耗处于中等水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的小型电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.6592
  • 15000+ ¥2.6149
  • 25000+ ¥2.5484
合计:¥13,296.00
标准包装数量:5000

SI7123DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7123DN-T1-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型,电流达48A,可满足一定功率需求。电压为20V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值7.5mR,能量损耗相对较低。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流调控。
    此场效应管为P型,电流达48A,可满足一定功率需求。电压为20V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值7.5mR,能量损耗相对较低。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流调控。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥3.4476
  • 15000+ ¥3.3901
  • 25000+ ¥3.304
合计:¥17,238.00
标准包装数量:5000

SI7336ADP-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7336ADP-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,额定电压为30V,内阻典型值仅为2mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景,如电源管理、电机驱动等,确保系统高效稳定运行。选择此款元器件,可提升整体电路性能。
    这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,额定电压为30V,内阻典型值仅为2mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景,如电源管理、电机驱动等,确保系统高效稳定运行。选择此款元器件,可提升整体电路性能。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥3.672
  • 15000+ ¥3.6108
  • 25000+ ¥3.519
合计:¥18,360.00
标准包装数量:5000

BSC028N06NS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC028N06NS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 此款N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装,具备强大的125A连续电流能力和60V额定电压,专为高密度、大电流应用设计。适用于高效电源转换、电池管理系统及电机驱动场景,提供卓越的开关性能与能效,是现代高性能电子设备的理想核心组件。
    描述: 此款N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装,具备强大的125A连续电流能力和60V额定电压,专为高密度、大电流应用设计。适用于高效电源转换、电池管理系统及电机驱动场景,提供卓越的开关性能与能效,是现代高性能电子设备的理想核心组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.6275
  • 15000+ ¥2.5837
  • 25000+ ¥2.518
合计:¥13,137.50
标准包装数量:5000

BSC0702LSATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC0702LSATMA1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款消费级MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装,具备高效能N沟道设计,额定电压高达60V,电流容量高达125A,专为各类高功率应用打造,提供卓越的开关性能与低导通电阻,是您电子设备的理想选择。
    描述: 这款消费级MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装,具备高效能N沟道设计,额定电压高达60V,电流容量高达125A,专为各类高功率应用打造,提供卓越的开关性能与低导通电阻,是您电子设备的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.499
  • 15000+ ¥2.4574
  • 25000+ ¥2.3949
合计:¥12,495.00
标准包装数量:5000

BSC039N06NS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC039N06NS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,具备60V高耐压及卓越的125A大电流处理能力。专为高性能、低电阻开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品中,实现高效能与紧凑空间利用的完美结合。
    描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,具备60V高耐压及卓越的125A大电流处理能力。专为高性能、低电阻开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品中,实现高效能与紧凑空间利用的完美结合。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.958
  • 15000+ ¥2.9087
  • 25000+ ¥2.8348
合计:¥14,790.00
标准包装数量:5000

SH8K26 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SH8K26
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N+N型,电流12A,可在一定功率范围内发挥作用。电压40V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值16mR,有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备的电流和电压要求。
    此场效应管为N+N型,电流12A,可在一定功率范围内发挥作用。电压40V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值16mR,有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备的电流和电压要求。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥1.5552
  • 9000+ ¥1.5293
  • 15000+ ¥1.4904
合计:¥4,665.60
标准包装数量:3000

IRFHM9331TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFHM9331TRPBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款高性能P沟道消费级MOSFET采用超紧凑DFN3X3-8L封装,专为高功率密度和大电流应用设计。具备30V额定电压及高达40A的连续电流处理能力,特别适用于电池保护、电源开关以及高效电源转换场景,提供卓越的能效表现与优秀的热管理性能,是现代小型化电子设备的理想之选。
    描述: 这款高性能P沟道消费级MOSFET采用超紧凑DFN3X3-8L封装,专为高功率密度和大电流应用设计。具备30V额定电压及高达40A的连续电流处理能力,特别适用于电池保护、电源开关以及高效电源转换场景,提供卓越的能效表现与优秀的热管理性能,是现代小型化电子设备的理想之选。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.5444
  • 15000+ ¥1.5187
  • 25000+ ¥1.4801
合计:¥7,722.00
标准包装数量:5000

SQ4946AEY-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ4946AEY-T1_GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N+N型场效应管以其卓越的性能在多个领域展现出色的应用潜力。其最大承受电流高达6.5A,额定电压为60V,确保稳定运行。低内阻Typ值32mR有助于减少能量损耗。VGS为20V,易于驱动。适用于电源管理、信号放大及开关电路等关键部位,提升系统效率与可靠性。
    这款N+N型场效应管以其卓越的性能在多个领域展现出色的应用潜力。其最大承受电流高达6.5A,额定电压为60V,确保稳定运行。低内阻Typ值32mR有助于减少能量损耗。VGS为20V,易于驱动。适用于电源管理、信号放大及开关电路等关键部位,提升系统效率与可靠性。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥2.43
  • 9000+ ¥2.3895
  • 15000+ ¥2.3288
合计:¥7,290.00
标准包装数量:3000

SI7848BDP-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7848BDP-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流达70A,可承载较大电流。电压为40V,适应一定的电压环境。内阻典型值6.5mR,较低内阻可减少能量损耗。VGS为20V。适用于消费电子领域,可在功率要求较高的电子设备中发挥稳定电流、控制电压的作用。
    此场效应管为N型,电流达70A,可承载较大电流。电压为40V,适应一定的电压环境。内阻典型值6.5mR,较低内阻可减少能量损耗。VGS为20V。适用于消费电子领域,可在功率要求较高的电子设备中发挥稳定电流、控制电压的作用。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.749
  • 15000+ ¥2.7031
  • 25000+ ¥2.6344
合计:¥13,745.00
标准包装数量:5000

NTH4L015N065SC1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTH4L015N065SC1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管(MOSFET)具备出色的电气特性,其连续电流ID/A达到120A,能够承受的最大漏源电压VDSS/V为650V。该器件的导通电阻RDON仅为15毫欧(mΩ),有助于减少能量损耗。其栅源电压VGS/V的最大值为15V,确保了可靠的开关性能。作为一款N沟道MOSFET,它适用于高频率开关电源、太阳能逆变器以及其他要求高效率和可靠性的电力转换系统中。
    这款碳化硅场效应管(MOSFET)具备出色的电气特性,其连续电流ID/A达到120A,能够承受的最大漏源电压VDSS/V为650V。该器件的导通电阻RDON仅为15毫欧(mΩ),有助于减少能量损耗。其栅源电压VGS/V的最大值为15V,确保了可靠的开关性能。作为一款N沟道MOSFET,它适用于高频率开关电源、太阳能逆变器以及其他要求高效率和可靠性的电力转换系统中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 30+ ¥76.6598
  • 90+ ¥75.3822
  • 150+ ¥73.4657
合计:¥4,599.59
标准包装数量:30

C3M0015065D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: C3M0015065D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管具有120A的电流承载能力和650V的电压耐受性,内阻典型值为15mR。其VGS为15V,属于N型器件。适用于高效能电子系统,如数据中心、可再生能源转换及高性能动力系统,确保稳定运行与高效能输出。
    这款碳化硅场效应管具有120A的电流承载能力和650V的电压耐受性,内阻典型值为15mR。其VGS为15V,属于N型器件。适用于高效能电子系统,如数据中心、可再生能源转换及高性能动力系统,确保稳定运行与高效能输出。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 30+ ¥90
  • 90+ ¥88.5
  • 150+ ¥86.25
合计:¥5,400.00
标准包装数量:30

C3M0015065K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: C3M0015065K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管具有120A的电流承载能力和650V的电压耐受性,内阻典型值为15mΩ,适用于高功率、高温环境。其N型结构搭配15V的VGS,确保了高效的开关控制,适合多种高性能应用。
    这款碳化硅场效应管具有120A的电流承载能力和650V的电压耐受性,内阻典型值为15mΩ,适用于高功率、高温环境。其N型结构搭配15V的VGS,确保了高效的开关控制,适合多种高性能应用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 30+ ¥93.6
  • 90+ ¥92.04
  • 150+ ¥89.7
合计:¥5,616.00
标准包装数量:30

NTMFS4C025N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS4C025N
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流达100A,可满足较高功率需求。电压为30V,能在特定电路中稳定工作。内阻典型值4mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的中大型电子设备中。
    这款场效应管为N型,电流达100A,可满足较高功率需求。电压为30V,能在特定电路中稳定工作。内阻典型值4mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的中大型电子设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.326
  • 15000+ ¥1.3039
  • 25000+ ¥1.2708
合计:¥6,630.00
标准包装数量:5000

BUK9M53-60EX 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BUK9M53-60EX
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为20A,可承载一定的电流负荷。电压达60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值31mR,在运行中能较好地控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的需求。
    这款场效应管为N型,电流为20A,可承载一定的电流负荷。电压达60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值31mR,在运行中能较好地控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的需求。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.8705
  • 15000+ ¥0.856
  • 25000+ ¥0.8342
合计:¥4,352.50
标准包装数量:5000

IRLML6401PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML6401PBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型,电流为5A,可适应较小功率需求。电压20V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值35mR。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定低功率电子设备的电流调控。
    此场效应管为P型,电流为5A,可适应较小功率需求。电压20V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值35mR。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定低功率电子设备的电流调控。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.756
  • 9000+ ¥0.7434
  • 9000+ ¥0.7434
合计:¥2,268.00
标准包装数量:3000
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