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DMP3036SFG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP3036SFG
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型,电流达40A,可适应一定功率需求。电压为30V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值13mR。VGS为25V。在消费电子领域,可用于特定中等功率电子设备的电流调控与稳定运行。
    此场效应管为P型,电流达40A,可适应一定功率需求。电压为30V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值13mR。VGS为25V。在消费电子领域,可用于特定中等功率电子设备的电流调控与稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.6324
  • 15000+ ¥0.6219
  • 25000+ ¥0.6061
合计:¥3,162.00
标准包装数量:5000

FDS8880 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDS8880
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达15A,耐压能力达到30V,内阻典型值为7.5mΩ,栅源极阈值电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低功耗的应用场景,如电源管理、负载开关等,确保系统的稳定运行与高效工作。
    这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达15A,耐压能力达到30V,内阻典型值为7.5mΩ,栅源极阈值电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低功耗的应用场景,如电源管理、负载开关等,确保系统的稳定运行与高效工作。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.612
  • 9000+ ¥0.6018
  • 15000+ ¥0.5865
合计:¥1,836.00
标准包装数量:3000

AO4443 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4443
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款P型场效应管支持13A的连续电流和40V的最大工作电压。其典型内阻低至14毫欧,有助于减少能量损耗。适用于20VVGS阈值电压的应用环境,此元件非常适合用于信号调节、电源管理和中功率开关电路,在消费电子和通信设备中实现高效稳定的性能。
    这款P型场效应管支持13A的连续电流和40V的最大工作电压。其典型内阻低至14毫欧,有助于减少能量损耗。适用于20VVGS阈值电压的应用环境,此元件非常适合用于信号调节、电源管理和中功率开关电路,在消费电子和通信设备中实现高效稳定的性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.6336
  • 9000+ ¥0.623
  • 15000+ ¥0.6072
合计:¥1,900.80
标准包装数量:3000

FQD13N06L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQD13N06L
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为20A,可满足一定功率需求。电压60V,适应多种常见电路环境。内阻典型值27mR,能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
    这款场效应管为N型,电流为20A,可满足一定功率需求。电压60V,适应多种常见电路环境。内阻典型值27mR,能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.6084
  • 7500+ ¥0.5983
  • 12500+ ¥0.5831
合计:¥1,521.00
标准包装数量:2500

5N50 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 5N50
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具备高达500V的耐压性能及稳定的5A电流处理能力。专为高压环境下的开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品中,确保高效能、低损耗与出色的系统稳定性表现。
    描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具备高达500V的耐压性能及稳定的5A电流处理能力。专为高压环境下的开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品中,确保高效能、低损耗与出色的系统稳定性表现。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.66
  • 7500+ ¥0.649
  • 12500+ ¥0.6325
合计:¥1,650.00
标准包装数量:2500

ZXMN6A25K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMN6A25K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为20A,可在一定功率范围内发挥作用。电压达60V,能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值27mR,能量损耗相对较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的中型电子设备中。
    这款场效应管为N型,电流为20A,可在一定功率范围内发挥作用。电压达60V,能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值27mR,能量损耗相对较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的中型电子设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.612
  • 7500+ ¥0.6018
  • 12500+ ¥0.5865
合计:¥1,530.00
标准包装数量:2500

RFD14N05LSM 场效应管(MOSFET)

  • 型号: RFD14N05LSM
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为20A,可满足特定功率需求。电压达60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值27mR,能量损耗稍大。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制。
    这款场效应管为N型,电流为20A,可满足特定功率需求。电压达60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值27mR,能量损耗稍大。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.6474
  • 7500+ ¥0.6366
  • 12500+ ¥0.6204
合计:¥1,618.50
标准包装数量:2500

NTMFS4C290N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS4C290N
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管具有80A的电流承载能力和30V的电压耐受性,内阻典型值为4.7mΩ,适用于高要求电路设计。其VGS为20V,确保稳定的开关控制。适用于电源管理、信号放大及开关电路等应用,提供高效能且可靠的电子控制解决方案,满足各种复杂应用场景的需求。
    这款N型场效应管具有80A的电流承载能力和30V的电压耐受性,内阻典型值为4.7mΩ,适用于高要求电路设计。其VGS为20V,确保稳定的开关控制。适用于电源管理、信号放大及开关电路等应用,提供高效能且可靠的电子控制解决方案,满足各种复杂应用场景的需求。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.5814
  • 15000+ ¥0.5717
  • 25000+ ¥0.5572
合计:¥2,907.00
标准包装数量:5000

NTMS4177P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMS4177P
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款P型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达12A,耐压可达30V,内阻典型值为10mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于高效能电源管理以及各种自动化控制领域,确保系统稳定运行。低内阻保证了电流承载能力强,是您在电子系统中的理想选择。
    这款P型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达12A,耐压可达30V,内阻典型值为10mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于高效能电源管理以及各种自动化控制领域,确保系统稳定运行。低内阻保证了电流承载能力强,是您在电子系统中的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.5645
  • 9000+ ¥0.5551
  • 15000+ ¥0.541
合计:¥1,693.50
标准包装数量:3000

AO4818 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4818
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管采用N+N类型设计,具有8.5A的电流承载能力和30V的电压耐受性。其内阻典型值为15毫欧姆,确保了高效的电流传递。VGS为20V,使得器件能在适当的栅源电压下正常工作。适用于多种高性能电子设备,确保稳定运行,提升系统整体效能。
    这款场效应管采用N+N类型设计,具有8.5A的电流承载能力和30V的电压耐受性。其内阻典型值为15毫欧姆,确保了高效的电流传递。VGS为20V,使得器件能在适当的栅源电压下正常工作。适用于多种高性能电子设备,确保稳定运行,提升系统整体效能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.6336
  • 9000+ ¥0.623
  • 15000+ ¥0.6072
合计:¥1,900.80
标准包装数量:3000

NTTFS4C25N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTTFS4C25N
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流达60A,可应对较大功率场景。电压30V,能在特定电路环境稳定运行。内阻典型值6mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。
    这款场效应管为N型,电流达60A,可应对较大功率场景。电压30V,能在特定电路环境稳定运行。内阻典型值6mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.6936
  • 15000+ ¥0.682
  • 25000+ ¥0.6647
合计:¥3,468.00
标准包装数量:5000

FDS6294 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDS6294
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为15A,可承载一定大小的电流负荷。电压30V,适应多种常见电路环境。内阻典型值8mR,能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
    这款场效应管为N型,电流为15A,可承载一定大小的电流负荷。电压30V,适应多种常见电路环境。内阻典型值8mR,能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.7344
  • 9000+ ¥0.7222
  • 15000+ ¥0.7038
合计:¥2,203.20
标准包装数量:3000

NTD3055-150 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD3055-150
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流20A,可适应一定功率输出。电压60V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值27mR,能有效控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的要求。
    这款场效应管为N型,电流20A,可适应一定功率输出。电压60V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值27mR,能有效控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的要求。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.7769
  • 7500+ ¥0.7639
  • 12500+ ¥0.7445
合计:¥1,942.25
标准包装数量:2500

DMN6066SSD 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMN6066SSD
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N+N型场效应管,具备6.5A的电流承载能力,能在60V电压下稳定工作。其内阻典型值为32mΩ,VGS为20V。适用于要求高电流、低功耗及高可靠性的应用场景,如电源管理、负载开关等。该器件可确保系统高效运行,是电子设备的理想选择。
    这款N+N型场效应管,具备6.5A的电流承载能力,能在60V电压下稳定工作。其内阻典型值为32mΩ,VGS为20V。适用于要求高电流、低功耗及高可靠性的应用场景,如电源管理、负载开关等。该器件可确保系统高效运行,是电子设备的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.765
  • 9000+ ¥0.7523
  • 15000+ ¥0.7331
合计:¥2,295.00
标准包装数量:3000

FDS8817NZ 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDS8817NZ
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达18A,额定电压为30V,内阻典型值仅为5mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低功耗的应用场景,如电源管理、LED驱动及高性能电子设备中,确保系统稳定运行。
    这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达18A,额定电压为30V,内阻典型值仅为5mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低功耗的应用场景,如电源管理、LED驱动及高性能电子设备中,确保系统稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.7752
  • 9000+ ¥0.7623
  • 15000+ ¥0.7429
合计:¥2,325.60
标准包装数量:3000

DMP3015LSS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP3015LSS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管采用P型设计,适用于高效能应用。其最大承受电流为15A,额定电压高达30V,确保稳定运行。内阻典型值为5.8mΩ,降低功耗。VGS为20V,易于驱动。适用于电源管理、信号放大及开关电路等,提升系统性能与可靠性。选择此款元器件,满足您对高效能与稳定性的双重需求。
    这款场效应管采用P型设计,适用于高效能应用。其最大承受电流为15A,额定电压高达30V,确保稳定运行。内阻典型值为5.8mΩ,降低功耗。VGS为20V,易于驱动。适用于电源管理、信号放大及开关电路等,提升系统性能与可靠性。选择此款元器件,满足您对高效能与稳定性的双重需求。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.867
  • 9000+ ¥0.8526
  • 15000+ ¥0.8309
合计:¥2,601.00
标准包装数量:3000

IRLR3410PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR3410PBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管具有20A的电流承载能力和100V的电压耐受性,内阻典型值为80mΩ,适用于高效能应用。其VGS为20V,确保了良好的控制性能。适合用于电源管理、马达驱动以及任何需要高电流、低内阻电子控制的场合。该元器件的设计优化了性能与可靠性,满足专业电子设备的需求。
    这款N型场效应管具有20A的电流承载能力和100V的电压耐受性,内阻典型值为80mΩ,适用于高效能应用。其VGS为20V,确保了良好的控制性能。适合用于电源管理、马达驱动以及任何需要高电流、低内阻电子控制的场合。该元器件的设计优化了性能与可靠性,满足专业电子设备的需求。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.8532
  • 7500+ ¥0.839
  • 12500+ ¥0.8177
合计:¥2,133.00
标准包装数量:2500

IRFR4105PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR4105PBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此N型场效应管提供20A的电流承载能力与60V的工作电压范围,内阻典型值低至27mΩ,有助于降低能耗。支持20V的栅源电压(VGS),确保了优秀的控制特性。适用于家用电器、个人电子产品及便携式设备中的电源管理和信号调节电路,是追求高效性能的理想选择。
    此N型场效应管提供20A的电流承载能力与60V的工作电压范围,内阻典型值低至27mΩ,有助于降低能耗。支持20V的栅源电压(VGS),确保了优秀的控制特性。适用于家用电器、个人电子产品及便携式设备中的电源管理和信号调节电路,是追求高效性能的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.765
  • 7500+ ¥0.7523
  • 12500+ ¥0.7331
合计:¥1,912.50
标准包装数量:2500

IRFU4105ZPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFU4105ZPBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流50A,能承载较大功率。电压60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR,可有效控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的要求,保障设备稳定运行。
    此场效应管为N型,电流50A,能承载较大功率。电压60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR,可有效控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的要求,保障设备稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.837
  • 7500+ ¥0.8231
  • 12500+ ¥0.8021
合计:¥2,092.50
标准包装数量:2500

FDMC8651 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDMC8651
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管支持100A的连续电流和30V的工作电压,适用于非工业领域。其内阻典型值为4mΩ,有助于降低能量损耗。20V的VGS阈值电压确保了在多种非汽车应用中的稳定性能。该元件是消费电子产品、电源管理和高效率转换电路的理想选择,确保了在这些应用场景中的出色表现和可靠性。
    这款N型场效应管支持100A的连续电流和30V的工作电压,适用于非工业领域。其内阻典型值为4mΩ,有助于降低能量损耗。20V的VGS阈值电压确保了在多种非汽车应用中的稳定性能。该元件是消费电子产品、电源管理和高效率转换电路的理想选择,确保了在这些应用场景中的出色表现和可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.864
  • 15000+ ¥0.8496
  • 15000+ ¥0.8496
合计:¥4,320.00
标准包装数量:5000
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