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IRFR1205PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR1205PBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型。电流高达30A,可满足较大电流需求。电压为60V,适应较高的电压环境。内阻典型值22mR,较为适中。VGS为20V。适用于各类电子产品,可在大功率电源管理、信号放大等方面发挥作用,保障电路稳定运行。
    这款场效应管为N型。电流高达30A,可满足较大电流需求。电压为60V,适应较高的电压环境。内阻典型值22mR,较为适中。VGS为20V。适用于各类电子产品,可在大功率电源管理、信号放大等方面发挥作用,保障电路稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.122
  • 7500+ ¥1.1033
  • 12500+ ¥1.0753
合计:¥2,805.00
标准包装数量:2500

18N50F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 18N50F
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管,电流为18A,电压500V,内阻典型值300mR。VGS为30,类型为N型。适用于各类电子产品,能在中等电压下承载较大电流。较低内阻可减少一定功耗,确保电路高效稳定运行,满足多种功率需求场景。
    这款场效应管,电流为18A,电压500V,内阻典型值300mR。VGS为30,类型为N型。适用于各类电子产品,能在中等电压下承载较大电流。较低内阻可减少一定功耗,确保电路高效稳定运行,满足多种功率需求场景。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 50+ ¥2.64
  • 150+ ¥2.596
  • 250+ ¥2.53
合计:¥264.00
标准包装数量:50

HXY20N03D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY20N03D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 这款消费级MOSFET采用先进的TO-252-2L封装,是一款高性能N沟道器件,额定电压高达30V,持续电流容量为20A,适用于各类中低压开关电路,为电子产品提供高效、稳定的功率管理解决方案。
    描述: 这款消费级MOSFET采用先进的TO-252-2L封装,是一款高性能N沟道器件,额定电压高达30V,持续电流容量为20A,适用于各类中低压开关电路,为电子产品提供高效、稳定的功率管理解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.2623
  • 7500+ ¥0.2579
  • 12500+ ¥0.2514
合计:¥655.75
标准包装数量:2500

HXY4435S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY4435S
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 描述: 此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装,专为30V电压应用设计,提供高达9A的连续电流承载能力。具有出色的低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电池保护、电源管理以及高功率负载切换,确保电子设备高效稳定运行。
    描述: 此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装,专为30V电压应用设计,提供高达9A的连续电流承载能力。具有出色的低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电池保护、电源管理以及高功率负载切换,确保电子设备高效稳定运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.2836
  • 9000+ ¥0.2788
  • 15000+ ¥0.2717
合计:¥850.80
标准包装数量:3000

HXY8205ES 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY8205ES
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TSSOP-8
  • 描述: 描述: 本款消费级MOSFET采用紧凑型TSSOP-8封装,内含双N沟道设计,工作电压高达20V,支持6A连续电流。专为小型化、低功耗电源转换及开关应用打造,是消费电子产品的理想之选,有效提升系统能效与稳定性。
    描述: 本款消费级MOSFET采用紧凑型TSSOP-8封装,内含双N沟道设计,工作电压高达20V,支持6A连续电流。专为小型化、低功耗电源转换及开关应用打造,是消费电子产品的理想之选,有效提升系统能效与稳定性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.1944
  • 15000+ ¥0.1912
  • 25000+ ¥0.1863
合计:¥972.00
标准包装数量:5000

HXY3415MI 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY3415MI
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23-3L
  • 描述: 描述: 这款消费级MOSFET采用小型SOT-23-3L封装,内建P沟道技术,工作电压为20V,最大连续电流4.1A,适用于各类电子设备的电源管理和高效开关应用。凭借其紧凑尺寸和优良性能,有效提升系统效率并确保稳定运行。
    描述: 这款消费级MOSFET采用小型SOT-23-3L封装,内建P沟道技术,工作电压为20V,最大连续电流4.1A,适用于各类电子设备的电源管理和高效开关应用。凭借其紧凑尺寸和优良性能,有效提升系统效率并确保稳定运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.192
  • 9000+ ¥0.1888
  • 15000+ ¥0.184
合计:¥576.00
标准包装数量:3000

IRLML2244TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML2244TRPBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 此款P沟道消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为高效电源开关和负载控制设计。器件具备20V额定电压及高达5A连续电流承载能力,尤其适用于电池供电设备、小型逆变器以及DC-DC转换等应用场合,提供卓越的低导通电阻性能,是现代电子设备中理想的功率管理组件。
    描述: 此款P沟道消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为高效电源开关和负载控制设计。器件具备20V额定电压及高达5A连续电流承载能力,尤其适用于电池供电设备、小型逆变器以及DC-DC转换等应用场合,提供卓越的低导通电阻性能,是现代电子设备中理想的功率管理组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.1632
  • 9000+ ¥0.1605
  • 15000+ ¥0.1564
合计:¥489.60
标准包装数量:3000

BSS205NH6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS205NH6327
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用小型SOT-23封装,专为低电压、中等电流应用设计。额定击穿电压20V,可稳定承载2.8A连续电流,尤其适用于便携式设备、电源管理模块及负载开关电路,提供卓越的导通性能与低功耗表现,是现代电子设备的理想集成组件。
    描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用小型SOT-23封装,专为低电压、中等电流应用设计。额定击穿电压20V,可稳定承载2.8A连续电流,尤其适用于便携式设备、电源管理模块及负载开关电路,提供卓越的导通性能与低功耗表现,是现代电子设备的理想集成组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.342
  • 9000+ ¥0.3363
  • 15000+ ¥0.3278
合计:¥1,026.00
标准包装数量:3000

AO4803A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4803A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P+P型,具有电流5.3A、电压30V的参数。内阻典型值为35mR,VGS为20V。在消费电子领域有广泛应用,可用于一些中等功率的电子设备中,实现对电流的良好控制和稳定的电压输出,降低能量损耗。
    这款场效应管为P+P型,具有电流5.3A、电压30V的参数。内阻典型值为35mR,VGS为20V。在消费电子领域有广泛应用,可用于一些中等功率的电子设备中,实现对电流的良好控制和稳定的电压输出,降低能量损耗。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.2599
  • 9000+ ¥0.2556
  • 15000+ ¥0.2491
合计:¥779.70
标准包装数量:3000

AO4630 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4630
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N+P型,电流7A,可在特定功率范围内稳定工作。电压达30V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值15mR,有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的要求。
    这款场效应管为N+P型,电流7A,可在特定功率范围内稳定工作。电压达30V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值15mR,有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的要求。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.4733
  • 9000+ ¥0.4654
  • 15000+ ¥0.4536
合计:¥1,419.90
标准包装数量:3000

AOD444 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD444
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管具备出色的性能参数:最大承受电流高达20A,额定电压为60V,内阻典型值仅为27mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景,如电源管理、LED驱动及高性能电子设备,确保系统稳定运行,提升整体性能。
    这款N型场效应管具备出色的性能参数:最大承受电流高达20A,额定电压为60V,内阻典型值仅为27mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景,如电源管理、LED驱动及高性能电子设备,确保系统稳定运行,提升整体性能。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.5184
  • 7500+ ¥0.5098
  • 12500+ ¥0.4968
合计:¥1,296.00
标准包装数量:2500

SM4842PRL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4842PRL
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N+N型,电流8.5A,适用于中等功率场景。电压30V,可在特定电路中稳定工作。内阻典型值15mR,能量损耗处于一定水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于一些特定电子设备的电流调控。
    此场效应管为N+N型,电流8.5A,适用于中等功率场景。电压30V,可在特定电路中稳定工作。内阻典型值15mR,能量损耗处于一定水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于一些特定电子设备的电流调控。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.4488
  • 9000+ ¥0.4413
  • 15000+ ¥0.4301
合计:¥1,346.40
标准包装数量:3000

IRF8707PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF8707PBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流为15A,可承载一定的电流负荷。电压30V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值8mR,能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
    此场效应管为N型,电流为15A,可承载一定的电流负荷。电压30V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值8mR,能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.4692
  • 9000+ ¥0.4614
  • 15000+ ¥0.4497
合计:¥1,407.60
标准包装数量:3000

SI4435DDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4435DDY-T1-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型,电流9A,能满足一定功率需求。电压30V,可在多种常见电路中稳定工作。内阻典型值18mR,降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流调节和稳定运行。
    此场效应管为P型,电流9A,能满足一定功率需求。电压30V,可在多种常见电路中稳定工作。内阻典型值18mR,降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流调节和稳定运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.4838
  • 9000+ ¥0.4758
  • 15000+ ¥0.4637
合计:¥1,451.40
标准包装数量:3000

AOD2922 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD2922
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有15A的电流处理能力和100V的耐压范围,其内阻典型值为100mR,确保了高效的电流控制。VGS为20V,适用于多种应用需求。该元器件设计精良,性能可靠,适合用于电源管理、信号放大及开关电路等,为您的系统设计提供卓越的性能和稳定性。
    这款N型场效应管拥有15A的电流处理能力和100V的耐压范围,其内阻典型值为100mR,确保了高效的电流控制。VGS为20V,适用于多种应用需求。该元器件设计精良,性能可靠,适合用于电源管理、信号放大及开关电路等,为您的系统设计提供卓越的性能和稳定性。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.4286
  • 7500+ ¥0.4215
  • 12500+ ¥0.4108
合计:¥1,071.50
标准包装数量:2500

AO4402 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4402
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装,具有20V额定电压及高达20A连续电流。专为中等功率电子设备设计,应用于电源转换、负载控制和电池管理系统,以紧凑体积提供高效能半导体解决方案。
    描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装,具有20V额定电压及高达20A连续电流。专为中等功率电子设备设计,应用于电源转换、负载控制和电池管理系统,以紧凑体积提供高效能半导体解决方案。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.2902
  • 9000+ ¥0.2853
  • 15000+ ¥0.2781
合计:¥870.60
标准包装数量:3000

AOD478 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD478
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具备100V高耐压和高达20A连续电流处理能力,适用于电源转换、电机驱动等高性能应用场景,提供卓越的开关性能与稳定可靠的功率管理解决方案。
    描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具备100V高耐压和高达20A连续电流处理能力,适用于电源转换、电机驱动等高性能应用场景,提供卓越的开关性能与稳定可靠的功率管理解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.57
  • 7500+ ¥0.5605
  • 12500+ ¥0.5463
合计:¥1,425.00
标准包装数量:2500

ZXMN10A07F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMN10A07F
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管,适用于高效能电子系统。其参数为:最大电流3A,耐压100V,内阻典型值210mR,栅源极电压VGS为20V。它具有极低的导通损耗和快速开关特性,非常适合用于电源管理、信号放大及开关控制等应用,提升系统稳定性和效率。
    这款N型场效应管,适用于高效能电子系统。其参数为:最大电流3A,耐压100V,内阻典型值210mR,栅源极电压VGS为20V。它具有极低的导通损耗和快速开关特性,非常适合用于电源管理、信号放大及开关控制等应用,提升系统稳定性和效率。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.5088
  • 9000+ ¥0.5003
  • 15000+ ¥0.4876
合计:¥1,526.40
标准包装数量:3000

SM6366ED1RL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6366ED1RL
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,额定电压为30V,内阻典型值仅3mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于高要求应用,如电源管理、负载开关和信号放大等。其高电流承载能力和低内阻特性确保了系统的稳定运行和高效能表现。
    这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,额定电压为30V,内阻典型值仅3mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于高要求应用,如电源管理、负载开关和信号放大等。其高电流承载能力和低内阻特性确保了系统的稳定运行和高效能表现。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.6202
  • 15000+ ¥0.6098
  • 25000+ ¥0.5943
合计:¥3,101.00
标准包装数量:5000

SI4420DYPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4420DYPBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管具有出色的性能参数:最大电流可达18A,耐压高达30V,内阻典型值为5mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流、低内阻的应用场景,如电源管理、负载开关等。其高可靠性和稳定性,能够满足各种严苛环境下的使用需求,是电子系统中的理想选择。
    这款N型场效应管具有出色的性能参数:最大电流可达18A,耐压高达30V,内阻典型值为5mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流、低内阻的应用场景,如电源管理、负载开关等。其高可靠性和稳定性,能够满足各种严苛环境下的使用需求,是电子系统中的理想选择。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.7854
  • 9000+ ¥0.7723
  • 9000+ ¥0.7723
合计:¥2,356.20
标准包装数量:3000
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