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DMP2225L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP2225L
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型,电流3A,可在小功率需求下发挥作用。电压20V,能适应特定电路环境。内阻典型值60mR,能量损耗处于一定水平。VGS为12V。在消费电子领域,可用于一些对电流和电压有特定要求的电子设备中进行电流控制。
    此场效应管为P型,电流3A,可在小功率需求下发挥作用。电压20V,能适应特定电路环境。内阻典型值60mR,能量损耗处于一定水平。VGS为12V。在消费电子领域,可用于一些对电流和电压有特定要求的电子设备中进行电流控制。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1174
  • 9000+ ¥0.1154
  • 15000+ ¥0.1125
合计:¥352.20
标准包装数量:3000

NTD18N06L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTD18N06L
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流20A,可承载一定的电流负荷。电压60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值27mR,能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的要求。
    此场效应管为N型,电流20A,可承载一定的电流负荷。电压60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值27mR,能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的要求。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥1.224
  • 7500+ ¥1.2036
  • 12500+ ¥1.173
合计:¥3,060.00
标准包装数量:2500

DMG2301L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMG2301L
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流2.3A,电压20V。内阻典型值为120mR,VGS为12V。适用于多种消费电子领域,在一些小型电子设备中,可用于电流控制和电压调节,确保设备稳定运行,同时其参数也能满足一定功率需求下的电子电路设计。
    这款场效应管为P型,电流2.3A,电压20V。内阻典型值为120mR,VGS为12V。适用于多种消费电子领域,在一些小型电子设备中,可用于电流控制和电压调节,确保设备稳定运行,同时其参数也能满足一定功率需求下的电子电路设计。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1061
  • 9000+ ¥0.1043
  • 15000+ ¥0.1017
合计:¥318.30
标准包装数量:3000

BSC080P03LSG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC080P03LSG
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流达70A,具备较强的电流承载能力。电压为30V,适用于多种常见电路。内阻典型值6mR,能量损耗相对较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定功率较大的电子设备电流控制。
    这款场效应管为P型,电流达70A,具备较强的电流承载能力。电压为30V,适用于多种常见电路。内阻典型值6mR,能量损耗相对较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定功率较大的电子设备电流控制。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥2.856
  • 15000+ ¥2.8084
  • 25000+ ¥2.737
合计:¥14,280.00
标准包装数量:5000

DMN65D8LQ 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMN65D8LQ
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型。电流为0.3A,适用于低电流需求的场合。电压达60V,可在较高电压环境下工作。内阻典型值1000mR。VGS为20V。可应用于各类电子产品中,在小电流、高电压的特定场景下进行电源控制和信号处理。
    此场效应管为N型。电流为0.3A,适用于低电流需求的场合。电压达60V,可在较高电压环境下工作。内阻典型值1000mR。VGS为20V。可应用于各类电子产品中,在小电流、高电压的特定场景下进行电源控制和信号处理。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0918
  • 9000+ ¥0.0903
  • 15000+ ¥0.088
合计:¥275.40
标准包装数量:3000

MDV1542 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDV1542
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管具有100A的电流承载能力和30V的最大工作电压,适用于非工业环境。其低至4mΩ的典型内阻显著减少了能量损耗,而20V的VGS阈值电压确保了在各种应用中的稳定性能。该元件适用于消费电子产品的电源管理、高效能转换电路以及其他要求高性能和低功耗的应用场景中,确保了在这些领域的出色表现和可靠性。
    这款N型场效应管具有100A的电流承载能力和30V的最大工作电压,适用于非工业环境。其低至4mΩ的典型内阻显著减少了能量损耗,而20V的VGS阈值电压确保了在各种应用中的稳定性能。该元件适用于消费电子产品的电源管理、高效能转换电路以及其他要求高性能和低功耗的应用场景中,确保了在这些领域的出色表现和可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥1.275
  • 15000+ ¥1.2538
  • 25000+ ¥1.2219
合计:¥6,375.00
标准包装数量:5000

NTMFS4C025N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS4C025N
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流达100A,可满足较高功率需求。电压为30V,能在特定电路中稳定工作。内阻典型值4mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的中大型电子设备中。
    这款场效应管为N型,电流达100A,可满足较高功率需求。电压为30V,能在特定电路中稳定工作。内阻典型值4mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的中大型电子设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥1.326
  • 15000+ ¥1.3039
  • 25000+ ¥1.2708
合计:¥6,630.00
标准包装数量:5000

IRFHM8329PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFHM8329PBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流高达100A,可满足较大功率需求。电压为30V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值4mR,能有效减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有较高要求的电子设备中。
    这款场效应管为N型,电流高达100A,可满足较大功率需求。电压为30V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值4mR,能有效减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有较高要求的电子设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥1.4076
  • 15000+ ¥1.3841
  • 25000+ ¥1.349
合计:¥7,038.00
标准包装数量:5000

BUK9M53-60EX 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BUK9M53-60EX
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为20A,可承载一定的电流负荷。电压达60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值31mR,在运行中能较好地控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的需求。
    这款场效应管为N型,电流为20A,可承载一定的电流负荷。电压达60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值31mR,在运行中能较好地控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备对电流和电压的需求。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.8705
  • 15000+ ¥0.856
  • 25000+ ¥0.8342
合计:¥4,352.50
标准包装数量:5000

NTR4502P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTR4502P
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型,电流4.1A,能应对一定功率需求。电压30V,可在特定电路中稳定工作。内阻典型值48mR,能量损耗相对较高。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的小型电子装置中。
    此场效应管为P型,电流4.1A,能应对一定功率需求。电压30V,可在特定电路中稳定工作。内阻典型值48mR,能量损耗相对较高。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的小型电子装置中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.2092
  • 9000+ ¥0.2057
  • 15000+ ¥0.2004
合计:¥627.60
标准包装数量:3000

SI2301ADS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2301ADS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流为2.3A,相对较小的电流适用于低功率场景。电压20V,可在多种常见电路环境下稳定工作。内阻典型值120mR,能量损耗稍高。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定小型电子设备的电流控制。
    这款场效应管为P型,电流为2.3A,相对较小的电流适用于低功率场景。电压20V,可在多种常见电路环境下稳定工作。内阻典型值120mR,能量损耗稍高。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定小型电子设备的电流控制。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1459
  • 9000+ ¥0.1435
  • 15000+ ¥0.1398
合计:¥437.70
标准包装数量:3000

SM3407SRL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM3407SRL
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流为4.1A,适用于特定功率范围的场景。电压30V,能在相应电路中稳定运行。内阻典型值48mR,能量损耗处于一定水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的小型电器设备中。
    这款场效应管为P型,电流为4.1A,适用于特定功率范围的场景。电压30V,能在相应电路中稳定运行。内阻典型值48mR,能量损耗处于一定水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的小型电器设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.2092
  • 9000+ ¥0.2057
  • 15000+ ¥0.2004
合计:¥627.60
标准包装数量:3000

DMN3051L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMN3051L
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为4A,可满足一定低功率需求。电压30V,能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值29mR,能量损耗适中。VGS为20V。在消费电子领域,可用于小型电子设备的特定电路部分。
    这款场效应管为N型,电流为4A,可满足一定低功率需求。电压30V,能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值29mR,能量损耗适中。VGS为20V。在消费电子领域,可用于小型电子设备的特定电路部分。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1734
  • 9000+ ¥0.1705
  • 15000+ ¥0.1662
合计:¥520.20
标准包装数量:3000

PMBF170 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PMBF170
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为0.3A,可满足低功率需求。电压达60V,能在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值1000mR,能量损耗相对较大。VGS为20V。在消费电子领域,可用于小型电子设备的电流控制。
    这款场效应管为N型,电流为0.3A,可满足低功率需求。电压达60V,能在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值1000mR,能量损耗相对较大。VGS为20V。在消费电子领域,可用于小型电子设备的电流控制。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1306
  • 9000+ ¥0.1284
  • 15000+ ¥0.1251
合计:¥391.80
标准包装数量:3000

MGSF2N02EL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MGSF2N02EL
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流2.3A,能满足一定小功率需求。电压20V,可在特定电路环境稳定运行。内阻典型值48mR,能量损耗相对较高。VGS为12V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
    此场效应管为N型,电流2.3A,能满足一定小功率需求。电压20V,可在特定电路环境稳定运行。内阻典型值48mR,能量损耗相对较高。VGS为12V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1555
  • 9000+ ¥0.1529
  • 15000+ ¥0.149
合计:¥466.50
标准包装数量:3000

XP151A13A0MR 场效应管(MOSFET)

  • 型号: XP151A13A0MR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流2.3A,在小功率应用场景中有较好表现。电压20V,能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值48mR,能量损耗相对较高。VGS为12V。可用于消费电子领域中对电流和电压有特定要求的小型设备。
    此场效应管为N型,电流2.3A,在小功率应用场景中有较好表现。电压20V,能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值48mR,能量损耗相对较高。VGS为12V。可用于消费电子领域中对电流和电压有特定要求的小型设备。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1561
  • 9000+ ¥0.1535
  • 15000+ ¥0.1496
合计:¥468.30
标准包装数量:3000

SM3415SRL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM3415SRL
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管采用P型设计,适用于高效能应用。其关键参数包括4.1A的电流承载能力,20V的漏极-源极电压,以及34mR的典型内阻。VGS为10V,确保了良好的控制性能。该产品适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景,如电源管理和信号放大等关键电路部分。
    这款场效应管采用P型设计,适用于高效能应用。其关键参数包括4.1A的电流承载能力,20V的漏极-源极电压,以及34mR的典型内阻。VGS为10V,确保了良好的控制性能。该产品适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景,如电源管理和信号放大等关键电路部分。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1598
  • 9000+ ¥0.1572
  • 15000+ ¥0.1532
合计:¥479.40
标准包装数量:3000

ZVN3310F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZVN3310F
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流为0.2A,适合小功率需求。电压达100V,可在较高电压环境下稳定运行。内阻典型值2800mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电压要求高、电流较小的电子设备中,保障设备正常工作。
    此场效应管为N型,电流为0.2A,适合小功率需求。电压达100V,可在较高电压环境下稳定运行。内阻典型值2800mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电压要求高、电流较小的电子设备中,保障设备正常工作。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.2244
  • 9000+ ¥0.2207
  • 15000+ ¥0.2151
合计:¥673.20
标准包装数量:3000

SM2305SRL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM2305SRL
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流5A,可满足低功率场景需求。电压20V,能在特定电压范围内稳定工作。内阻典型值35mR。VGS为12V。在消费电子领域,可用于一些小功率电子设备的电流控制。
    这款场效应管为P型,电流5A,可满足低功率场景需求。电压20V,能在特定电压范围内稳定工作。内阻典型值35mR。VGS为12V。在消费电子领域,可用于一些小功率电子设备的电流控制。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1296
  • 9000+ ¥0.1274
  • 15000+ ¥0.1242
合计:¥388.80
标准包装数量:3000

SM3401SRL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM3401SRL
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管采用P型设计,适用于高电流、低内阻的应用场景。其最大电流可达4.2A,承受电压高达30V,内阻典型值为45mR,确保了高效的电流承载能力。VGS为12V,使得产品在正常工作状态下能够发挥最佳性能。该产品可靠稳定,适用于多种高性能电子设备中。
    这款场效应管采用P型设计,适用于高电流、低内阻的应用场景。其最大电流可达4.2A,承受电压高达30V,内阻典型值为45mR,确保了高效的电流承载能力。VGS为12V,使得产品在正常工作状态下能够发挥最佳性能。该产品可靠稳定,适用于多种高性能电子设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1684
  • 9000+ ¥0.1656
  • 9000+ ¥0.1656
合计:¥505.20
标准包装数量:3000
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