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LBSS84 场效应管(MOSFET)

  • 型号: LBSS84
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,适用于50V电压系统,额定电流0.1A。具备低导通电阻和快速开关性能,特别适合于电池保护、信号切换等精细控制场景,提供精准且高效的功率管理解决方案。
    描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,适用于50V电压系统,额定电流0.1A。具备低导通电阻和快速开关性能,特别适合于电池保护、信号切换等精细控制场景,提供精准且高效的功率管理解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.054
  • 9000+ ¥0.0531
  • 15000+ ¥0.0518
合计:¥162.00
标准包装数量:3000

HCJ3134K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HCJ3134K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-723
  • 描述: 描述: 负载/电源开关 超小型便携式电子产品的电池管理 逻辑电平移位 通信设备 工业控制与自动化
    描述: 负载/电源开关 超小型便携式电子产品的电池管理 逻辑电平移位 通信设备 工业控制与自动化
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0912
  • 9000+ ¥0.0897
  • 15000+ ¥0.0874
合计:¥273.60
标准包装数量:3000

BSS205NH6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS205NH6327
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用小型SOT-23封装,专为低电压、中等电流应用设计。额定击穿电压20V,可稳定承载2.8A连续电流,尤其适用于便携式设备、电源管理模块及负载开关电路,提供卓越的导通性能与低功耗表现,是现代电子设备的理想集成组件。
    描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用小型SOT-23封装,专为低电压、中等电流应用设计。额定击穿电压20V,可稳定承载2.8A连续电流,尤其适用于便携式设备、电源管理模块及负载开关电路,提供卓越的导通性能与低功耗表现,是现代电子设备的理想集成组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.342
  • 9000+ ¥0.3363
  • 15000+ ¥0.3278
合计:¥1,026.00
标准包装数量:3000

HXY30N06D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY30N06D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 本款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装工艺,是一款强大的N沟道半导体器件,额定电压60V,峰值电流30A,专为优化电源转换效率和开关性能设计。其卓越的能效表现与稳定性,广泛应用于各类高要求电子设备中。
    描述: 本款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装工艺,是一款强大的N沟道半导体器件,额定电压60V,峰值电流30A,专为优化电源转换效率和开关性能设计。其卓越的能效表现与稳定性,广泛应用于各类高要求电子设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.6
  • 7500+ ¥0.59
  • 12500+ ¥0.575
合计:¥1,500.00
标准包装数量:2500

AOD478 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD478
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具备100V高耐压和高达20A连续电流处理能力,适用于电源转换、电机驱动等高性能应用场景,提供卓越的开关性能与稳定可靠的功率管理解决方案。
    描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具备100V高耐压和高达20A连续电流处理能力,适用于电源转换、电机驱动等高性能应用场景,提供卓越的开关性能与稳定可靠的功率管理解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.57
  • 7500+ ¥0.5605
  • 12500+ ¥0.5463
合计:¥1,425.00
标准包装数量:2500

HXY100N03D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY100N03D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压30V,峰值电流高达100A,专为高功率应用如电源转换、大电流电机驱动设计,提供低损耗、高效能的开关控制性能。
    描述: 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压30V,峰值电流高达100A,专为高功率应用如电源转换、大电流电机驱动设计,提供低损耗、高效能的开关控制性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.39
  • 7500+ ¥0.3835
  • 12500+ ¥0.3738
合计:¥975.00
标准包装数量:2500

HXY70P03D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY70P03D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,拥有30V工作电压和高达70A的大电流处理能力。专为高性能、高负载消费电子产品设计,实现卓越的开关效率与稳定性,是在低压环境优化电源管理的理想半导体器件选择。
    描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,拥有30V工作电压和高达70A的大电流处理能力。专为高性能、高负载消费电子产品设计,实现卓越的开关效率与稳定性,是在低压环境优化电源管理的理想半导体器件选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.696
  • 7500+ ¥0.6844
  • 12500+ ¥0.667
合计:¥1,740.00
标准包装数量:2500

HXY80N03D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY80N03D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具有30V额定电压和80A强大连续电流能力,专为高效能电源转换、大电流电机驱动等应用设计,提供卓越的开关性能与低损耗优势,满足高端消费电子设备需求。
    描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具有30V额定电压和80A强大连续电流能力,专为高效能电源转换、大电流电机驱动等应用设计,提供卓越的开关性能与低损耗优势,满足高端消费电子设备需求。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.6
  • 7500+ ¥0.59
  • 12500+ ¥0.575
合计:¥1,500.00
标准包装数量:2500

BSS806NEH6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS806NEH6327
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用SOT-23封装,专为低电压、中等电流应用设计。额定耐压20V,支持3A连续电流处理能力,适用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统,具备低导通电阻和高效能表现,是现代电子设备的优质功率管理组件。
    描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用SOT-23封装,专为低电压、中等电流应用设计。额定耐压20V,支持3A连续电流处理能力,适用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统,具备低导通电阻和高效能表现,是现代电子设备的优质功率管理组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.3276
  • 9000+ ¥0.3221
  • 15000+ ¥0.314
合计:¥982.80
标准包装数量:3000

IRF7205PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7205PBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 描述: 这款SOP-8封装的P沟道消费级MOSFET,特别针对30V电压下高效能开关与电源管理应用设计。拥有5.8A连续电流处理能力,适合于中等功率负载切换、电池保护电路及各类电子设备的电源转换场景,具备出色的导通性能和低损耗特性
    描述: 这款SOP-8封装的P沟道消费级MOSFET,特别针对30V电压下高效能开关与电源管理应用设计。拥有5.8A连续电流处理能力,适合于中等功率负载切换、电池保护电路及各类电子设备的电源转换场景,具备出色的导通性能和低损耗特性
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.6864
  • 9000+ ¥0.675
  • 15000+ ¥0.6578
合计:¥2,059.20
标准包装数量:3000

IRF7404PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7404PBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 描述: 这款SOP-8封装的P沟道消费级MOSFET,专为高效能、大电流应用设计。额定电压20V,可承载高达20A连续电流,适用于电源开关、电池保护电路及中等功率负载转换场景,提供低导通电阻和出色的热稳定性,是各类现代电子设备的理想功率管理器件。
    描述: 这款SOP-8封装的P沟道消费级MOSFET,专为高效能、大电流应用设计。额定电压20V,可承载高达20A连续电流,适用于电源开关、电池保护电路及中等功率负载转换场景,提供低导通电阻和出色的热稳定性,是各类现代电子设备的理想功率管理器件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.8608
  • 9000+ ¥0.8464
  • 15000+ ¥0.8249
合计:¥2,582.40
标准包装数量:3000

NTTFS015N04C 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTTFS015N04C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,额定电压40V,最大连续电流50A。专为高效电源转换、电机驱动及电池管理系统打造,具备高功率密度与卓越散热性能,是现代电子产品理想的小型化解决方案。
    描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,额定电压40V,最大连续电流50A。专为高效电源转换、电机驱动及电池管理系统打造,具备高功率密度与卓越散热性能,是现代电子产品理想的小型化解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.624
  • 15000+ ¥0.6136
  • 25000+ ¥0.598
合计:¥3,120.00
标准包装数量:5000

SM4818PRL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4818PRL
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N+N型,电流8.5A,可满足一定功率需求。电压30V,能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值15mR,能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流有特定要求的电子设备进行电流控制。
    这款场效应管为N+N型,电流8.5A,可满足一定功率需求。电压30V,能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值15mR,能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流有特定要求的电子设备进行电流控制。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.5814
  • 9000+ ¥0.5717
  • 15000+ ¥0.5572
合计:¥1,744.20
标准包装数量:3000

AO8822 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO8822
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N+N型。具有电流7.5A、电压20V的参数,可在一定范围内承载电流和适应电压环境。内阻典型值11.5mR。VGS为10V。适用于多种电子产品,可在电源控制、信号处理等方面发挥作用,保障电路稳定可靠运行。
    此场效应管为N+N型。具有电流7.5A、电压20V的参数,可在一定范围内承载电流和适应电压环境。内阻典型值11.5mR。VGS为10V。适用于多种电子产品,可在电源控制、信号处理等方面发挥作用,保障电路稳定可靠运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.51
  • 15000+ ¥0.5015
  • 25000+ ¥0.4888
合计:¥2,550.00
标准包装数量:5000

DMG6968UTS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMG6968UTS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N+N型。电流为7.5A,可满足一定程度的电流需求。电压达20V,适应多种电压环境。内阻典型值11.5mR,较为适中。VGS为10V。它适用于各类电子设备,在电源管理和信号处理等方面发挥作用,确保电路稳定运行。
    这款场效应管为N+N型。电流为7.5A,可满足一定程度的电流需求。电压达20V,适应多种电压环境。内阻典型值11.5mR,较为适中。VGS为10V。它适用于各类电子设备,在电源管理和信号处理等方面发挥作用,确保电路稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.6834
  • 15000+ ¥0.672
  • 25000+ ¥0.6549
合计:¥3,417.00
标准包装数量:5000

DMT69M8LSS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMT69M8LSS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为10A,可满足一定功率需求。电压达60V,适应较高电压环境。内阻典型值10mR,较低内阻可减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中,确保稳定运行。
    这款场效应管为N型,电流为10A,可满足一定功率需求。电压达60V,适应较高电压环境。内阻典型值10mR,较低内阻可减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中,确保稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.6691
  • 9000+ ¥0.658
  • 15000+ ¥0.6412
合计:¥2,007.30
标准包装数量:3000

ZXMN10A07F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMN10A07F
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管,适用于高效能电子系统。其参数为:最大电流3A,耐压100V,内阻典型值210mR,栅源极电压VGS为20V。它具有极低的导通损耗和快速开关特性,非常适合用于电源管理、信号放大及开关控制等应用,提升系统稳定性和效率。
    这款N型场效应管,适用于高效能电子系统。其参数为:最大电流3A,耐压100V,内阻典型值210mR,栅源极电压VGS为20V。它具有极低的导通损耗和快速开关特性,非常适合用于电源管理、信号放大及开关控制等应用,提升系统稳定性和效率。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.5088
  • 9000+ ¥0.5003
  • 15000+ ¥0.4876
合计:¥1,526.40
标准包装数量:3000

ZXMN3B01F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMN3B01F
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管具有5A的电流承载能力和30V的电压耐受性,内阻典型值为33mΩ,适用于高效能电源管理。其VGS为12V,确保稳定的开关控制。该元器件设计精良,适用于多种高性能电子设备,能够提升系统的稳定性和能效比,是电子工程师的理想选择。
    这款N型场效应管具有5A的电流承载能力和30V的电压耐受性,内阻典型值为33mΩ,适用于高效能电源管理。其VGS为12V,确保稳定的开关控制。该元器件设计精良,适用于多种高性能电子设备,能够提升系统的稳定性和能效比,是电子工程师的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.5057
  • 9000+ ¥0.4973
  • 15000+ ¥0.4846
合计:¥1,517.10
标准包装数量:3000

SQ2308CES-T1_GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SQ2308CES-T1_GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管具有3A的电流承载能力,最大60V的工作电压,以及72mΩ的典型内阻。其VGS(栅源电压)为20V,适用于多种电子设备中,能够有效控制电流流动,提升系统效率。该元器件设计精良,满足各类应用需求,是实现高效能电子系统的理想选择。
    这款N型场效应管具有3A的电流承载能力,最大60V的工作电压,以及72mΩ的典型内阻。其VGS(栅源电压)为20V,适用于多种电子设备中,能够有效控制电流流动,提升系统效率。该元器件设计精良,满足各类应用需求,是实现高效能电子系统的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.57
  • 9000+ ¥0.5605
  • 15000+ ¥0.5463
合计:¥1,710.00
标准包装数量:3000

SM4800PRL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4800PRL
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N+N型场效应管,具备6A的电流承载能力和30V的电压耐受性。其内阻典型值为25mΩ,确保了较低的功耗。VGS为20V,使得器件能在适当的栅源电压下正常工作。适用于多种高性能电子设备,如通信基站和数据中心等,提供稳定的电流控制和高效的电子性能。
    这款N+N型场效应管,具备6A的电流承载能力和30V的电压耐受性。其内阻典型值为25mΩ,确保了较低的功耗。VGS为20V,使得器件能在适当的栅源电压下正常工作。适用于多种高性能电子设备,如通信基站和数据中心等,提供稳定的电流控制和高效的电子性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.4998
  • 9000+ ¥0.4915
  • 9000+ ¥0.4915
合计:¥1,499.40
标准包装数量:3000
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