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DMG301NU 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMG301NU
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流0.1A,适用于低功率场景。电压为30V,可在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值1200mR,虽内阻较大但在特定小电流应用中有其优势。VGS为20V。在消费电子领域的小型电子设备中可发挥作用。
    这款场效应管为N型,电流0.1A,适用于低功率场景。电压为30V,可在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值1200mR,虽内阻较大但在特定小电流应用中有其优势。VGS为20V。在消费电子领域的小型电子设备中可发挥作用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.1142
  • 9000+ ¥0.1123
  • 15000+ ¥0.1095
合计:¥342.60
标准包装数量:3000

DMG2301L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMG2301L
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流2.3A,电压20V。内阻典型值为120mR,VGS为12V。适用于多种消费电子领域,在一些小型电子设备中,可用于电流控制和电压调节,确保设备稳定运行,同时其参数也能满足一定功率需求下的电子电路设计。
    这款场效应管为P型,电流2.3A,电压20V。内阻典型值为120mR,VGS为12V。适用于多种消费电子领域,在一些小型电子设备中,可用于电流控制和电压调节,确保设备稳定运行,同时其参数也能满足一定功率需求下的电子电路设计。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.1061
  • 9000+ ¥0.1043
  • 15000+ ¥0.1017
合计:¥318.30
标准包装数量:3000

DMT69M8LSS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMT69M8LSS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为10A,可满足一定功率需求。电压达60V,适应较高电压环境。内阻典型值10mR,较低内阻可减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中,确保稳定运行。
    这款场效应管为N型,电流为10A,可满足一定功率需求。电压达60V,适应较高电压环境。内阻典型值10mR,较低内阻可减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中,确保稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.6691
  • 9000+ ¥0.658
  • 15000+ ¥0.6412
合计:¥2,007.30
标准包装数量:3000

FDD6635 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD6635
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型。电流达60A,可承载较大电流负荷。电压为40V,适应多种电压环境。内阻典型值7.7mR。VGS为20V。适用于各类电子产品,在大功率电源管理和信号处理等方面发挥重要作用,确保电路稳定运行。
    此场效应管为N型。电流达60A,可承载较大电流负荷。电压为40V,适应多种电压环境。内阻典型值7.7mR。VGS为20V。适用于各类电子产品,在大功率电源管理和信号处理等方面发挥重要作用,确保电路稳定运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.494
  • 7500+ ¥1.4691
  • 12500+ ¥1.4318
合计:¥3,735.00
标准包装数量:2500

DMP3020LSS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP3020LSS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型,电流11A,可适应一定功率的应用场景。电压30V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值12.5mR,能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的电子设备中。
    此场效应管为P型,电流11A,可适应一定功率的应用场景。电压30V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值12.5mR,能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.5152
  • 9000+ ¥0.5066
  • 15000+ ¥0.4937
合计:¥1,545.60
标准包装数量:3000

DMN2029USD 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMN2029USD
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N+N型,电流8A,可承载一定功率。电压20V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值13mR,降低能量损耗。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制和稳定运行。
    此场效应管为N+N型,电流8A,可承载一定功率。电压20V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值13mR,降低能量损耗。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制和稳定运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.5712
  • 9000+ ¥0.5617
  • 15000+ ¥0.5474
合计:¥1,713.60
标准包装数量:3000

DMP3030SN 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP3030SN
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流为4.1A,适用于中等功率需求场景。电压30V,可在特定电路中稳定运行。内阻典型值42mR,能量损耗处于一定水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
    这款场效应管为P型,电流为4.1A,适用于中等功率需求场景。电压30V,可在特定电路中稳定运行。内阻典型值42mR,能量损耗处于一定水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.2448
  • 9000+ ¥0.2407
  • 15000+ ¥0.2346
合计:¥734.40
标准包装数量:3000

DMP3008SFG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP3008SFG
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为P型,电流为40A,能承载一定程度的功率。电压30V,可在多种常见电路中稳定工作。内阻典型值13mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定中等功率电子设备的电流控制。
    这款场效应管为P型,电流为40A,能承载一定程度的功率。电压30V,可在多种常见电路中稳定工作。内阻典型值13mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定中等功率电子设备的电流控制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.6324
  • 15000+ ¥0.6219
  • 25000+ ¥0.6061
合计:¥3,162.00
标准包装数量:5000

DMP3013SFV 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP3013SFV
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管采用P型设计,适用于高效能应用。其最大电流承载能力为55A,耐压高达30V,内阻典型值为8mR,确保了低功耗和高性能。VGS为20V,使得产品在各种环境下均能保持稳定的工作状态。适合用于电源管理、信号放大及开关电路等场景,提升系统的稳定性和效率。
    这款场效应管采用P型设计,适用于高效能应用。其最大电流承载能力为55A,耐压高达30V,内阻典型值为8mR,确保了低功耗和高性能。VGS为20V,使得产品在各种环境下均能保持稳定的工作状态。适合用于电源管理、信号放大及开关电路等场景,提升系统的稳定性和效率。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.6898
  • 15000+ ¥0.6783
  • 25000+ ¥0.661
合计:¥3,449.00
标准包装数量:5000

DMNH6021SK3Q 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMNH6021SK3Q
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流50A,可适应较大功率需求。电压60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR,能在一定程度上控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有较高要求的电子设备中。
    此场效应管为N型,电流50A,可适应较大功率需求。电压60V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR,能在一定程度上控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有较高要求的电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.8127
  • 7500+ ¥1.7825
  • 12500+ ¥1.7372
合计:¥4,531.75
标准包装数量:2500

DMN4031SSD 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMN4031SSD
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N+N型,电流12A,可满足特定功率下的工作需求。电压40V,能在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值16mR,有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备。
    此场效应管为N+N型,电流12A,可满足特定功率下的工作需求。电压40V,能在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值16mR,有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.8772
  • 9000+ ¥0.8626
  • 15000+ ¥0.8407
合计:¥2,631.60
标准包装数量:3000

DMP3028LSD 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP3028LSD
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P+P型,电流11A,可满足一定功率需求。电压30V,适应多种常见电路环境。内阻典型值14mR,较低内阻有助于减少能量损耗。VGS为20V。适用于消费电子产品,可在电子设备中实现稳定的电流控制和电压调节。
    此场效应管为P+P型,电流11A,可满足一定功率需求。电压30V,适应多种常见电路环境。内阻典型值14mR,较低内阻有助于减少能量损耗。VGS为20V。适用于消费电子产品,可在电子设备中实现稳定的电流控制和电压调节。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.867
  • 9000+ ¥0.8526
  • 15000+ ¥0.8309
合计:¥2,601.00
标准包装数量:3000

DMN6068LK3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMN6068LK3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流达20A,可承载较大电流。电压为60V,适应一定范围的电压环境。内阻典型值27mR,较低内阻能减少能量损耗。VGS为20V。适用于消费电子领域,可在一些功率要求较高的电子设备中发挥稳定电流、控制电压的作用。
    这款场效应管为N型,电流达20A,可承载较大电流。电压为60V,适应一定范围的电压环境。内阻典型值27mR,较低内阻能减少能量损耗。VGS为20V。适用于消费电子领域,可在一些功率要求较高的电子设备中发挥稳定电流、控制电压的作用。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.7434
  • 7500+ ¥0.731
  • 12500+ ¥0.7124
合计:¥1,858.50
标准包装数量:2500

DMTH3004LK3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH3004LK3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流达120A,具备强大的电流承载能力。电压为30V,可在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值3mR,能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定大功率电子设备的电流控制。
    这款场效应管为N型,电流达120A,具备强大的电流承载能力。电压为30V,可在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值3mR,能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定大功率电子设备的电流控制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥1.0608
  • 7500+ ¥1.0431
  • 12500+ ¥1.0166
合计:¥2,652.00
标准包装数量:2500

DMN3008SFG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMN3008SFG
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管具备100A的电流承载能力与30V的最大工作电压,适用于非工业领域。其内阻典型值为4mΩ,有助于减少能量损耗。20V的VGS阈值电压确保了在多种非汽车应用中的稳定性能。该元件是消费电子产品、电源管理和高效率转换电路的理想选择,确保了在这些应用场景中的出色表现和可靠性。
    这款N型场效应管具备100A的电流承载能力与30V的最大工作电压,适用于非工业领域。其内阻典型值为4mΩ,有助于减少能量损耗。20V的VGS阈值电压确保了在多种非汽车应用中的稳定性能。该元件是消费电子产品、电源管理和高效率转换电路的理想选择,确保了在这些应用场景中的出色表现和可靠性。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.864
  • 15000+ ¥0.8496
  • 25000+ ¥0.828
合计:¥4,320.00
标准包装数量:5000

CSD17579Q3A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CSD17579Q3A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流达60A,可承载较大功率。电压为30V,能在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值6mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的中大型电子设备中。
    这款场效应管为N型,电流达60A,可承载较大功率。电压为30V,能在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值6mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的中大型电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.54
  • 15000+ ¥0.531
  • 25000+ ¥0.5175
合计:¥2,700.00
标准包装数量:5000

CSD17308Q3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CSD17308Q3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为60A,可满足较高功率需求。电压30V,能在特定电路中稳定运行。内阻典型值6mR,能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的较大型电子设备中。
    这款场效应管为N型,电流为60A,可满足较高功率需求。电压30V,能在特定电路中稳定运行。内阻典型值6mR,能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的较大型电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.2342
  • 15000+ ¥1.2136
  • 25000+ ¥1.1828
合计:¥6,171.00
标准包装数量:5000

CSD17304Q3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CSD17304Q3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流高达100A,可承载大电流。电压为30V,适应一定的电压环境。内阻典型值仅4mR,低内阻能有效减少能量损耗。VGS为20V。适用于各类消费电子产品中功率较大的场合,如大功率电子设备的电源管理部分,确保稳定的电流输出和电压控制。
    此场效应管为N型,电流高达100A,可承载大电流。电压为30V,适应一定的电压环境。内阻典型值仅4mR,低内阻能有效减少能量损耗。VGS为20V。适用于各类消费电子产品中功率较大的场合,如大功率电子设备的电源管理部分,确保稳定的电流输出和电压控制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.104
  • 15000+ ¥1.0856
  • 25000+ ¥1.058
合计:¥5,520.00
标准包装数量:5000

CSD17506Q5A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CSD17506Q5A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,耐压能力达到30V,内阻典型值仅为3mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于高性能的电力转换系统,能够确保电流的顺畅传输和系统的稳定运行。其低内阻特性有助于减少能量损耗,提升整体能效。
    这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,耐压能力达到30V,内阻典型值仅为3mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于高性能的电力转换系统,能够确保电流的顺畅传输和系统的稳定运行。其低内阻特性有助于减少能量损耗,提升整体能效。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.728
  • 15000+ ¥1.6992
  • 25000+ ¥1.656
合计:¥8,640.00
标准包装数量:5000

DMP3099L-7 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMP3099L-7
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于30V电压系统,提供高达4.2A的连续电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于充电器、电源转换等场景,实现高效能与稳定可靠的功率控制功能。
    描述: 该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于30V电压系统,提供高达4.2A的连续电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于充电器、电源转换等场景,实现高效能与稳定可靠的功率控制功能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.1004
  • 9000+ ¥0.0988
  • 9000+ ¥0.0988
合计:¥301.20
标准包装数量:3000
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