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SI2302-HXY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2302-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 55mΩ@ 4.5V,2.8A 2.8A SOT-23
    55mΩ@ 4.5V,2.8A 2.8A SOT-23
  • 库   存:2748
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 50+ ¥0.05
  • 100+ ¥0.0465
  • 300+ ¥0.0425
  • 500+ ¥0.0384
  • 1000+ ¥0.0325
  • 2500+ ¥0.032
合计:¥2.50
标准包装数量:3000

AON7544 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON7544
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,具备强大的100A连续电流处理能力,在30V额定电压下运行。专为高密度、高性能电路设计,广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统,实现卓越的功率密度与效率表现。
    描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,具备强大的100A连续电流处理能力,在30V额定电压下运行。专为高密度、高性能电路设计,广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统,实现卓越的功率密度与效率表现。
  • 库   存:5000
  • 起订量:10
  • 增   量:10
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.65
  • 50+ ¥0.546
  • 150+ ¥0.465
  • 500+ ¥0.45
  • 1000+ ¥0.43
  • 2000+ ¥0.41
合计:¥6.50
标准包装数量:5000

15N10 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 15N10
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压100V,最大连续电流15A,专为高效电源转换、电机驱动等应用设计,提供卓越的开关性能和低损耗功率管理方案。
    描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压100V,最大连续电流15A,专为高效电源转换、电机驱动等应用设计,提供卓越的开关性能和低损耗功率管理方案。
  • 库   存:2500
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.45
  • 50+ ¥0.4
  • 100+ ¥0.35
  • 500+ ¥0.3
  • 1500+ ¥0.3
  • 2500+ ¥0.285
合计:¥2.25
标准包装数量:2500

FDS4435BZ 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDS4435BZ
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装,额定电压30V,最大连续电流高达9A。适用于电池管理系统、电源切换及高功率应用场合,具备卓越的开关性能和低导通电阻,确保高效能与稳定性,是优化电子设备功耗的理想之选。
    描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装,额定电压30V,最大连续电流高达9A。适用于电池管理系统、电源切换及高功率应用场合,具备卓越的开关性能和低导通电阻,确保高效能与稳定性,是优化电子设备功耗的理想之选。
  • 库   存:2970
  • 起订量:5
  • 增   量:5
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7
  • 50+ ¥0.6
  • 100+ ¥0.525
  • 500+ ¥0.485
  • 1000+ ¥0.45
合计:¥3.50
标准包装数量:3000

HXY50P03DF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY50P03DF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装,额定电压30V,具备高达50A连续电流处理能力。专为高功率密度应用设计,广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统中,实现卓越能效与空间节省。
    描述: 此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装,额定电压30V,具备高达50A连续电流处理能力。专为高功率密度应用设计,广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统中,实现卓越能效与空间节省。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.5016
  • 15000+ ¥0.4932
  • 25000+ ¥0.4807
合计:¥2,508.00
标准包装数量:5000

PMV32UP 场效应管(MOSFET)

  • 型号: PMV32UP
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管采用P型设计,适用于多种应用场景。其最大电流为5A,承受电压高达20V,内阻典型值为30mΩ,确保了高效的电流承载能力。VGS为12V,使得产品在正常工作状态下能够发挥最佳性能。该元器件因其出色的电性能和稳定性,被广泛应用于各类电子系统中。
    这款场效应管采用P型设计,适用于多种应用场景。其最大电流为5A,承受电压高达20V,内阻典型值为30mΩ,确保了高效的电流承载能力。VGS为12V,使得产品在正常工作状态下能够发挥最佳性能。该元器件因其出色的电性能和稳定性,被广泛应用于各类电子系统中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.4116
  • 9000+ ¥0.4047
  • 15000+ ¥0.3945
合计:¥1,234.80
标准包装数量:3000

HXY12N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY12N65F
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装,额定电压高达650V,连续电流承载能力为12A,专为高功率电子设备设计,适用于电源转换、电机驱动等场景,提供强大稳定且高效的开关控制性能。
    描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装,额定电压高达650V,连续电流承载能力为12A,专为高功率电子设备设计,适用于电源转换、电机驱动等场景,提供强大稳定且高效的开关控制性能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.62
  • 150+ ¥1.593
  • 250+ ¥1.5525
合计:¥162.00
标准包装数量:50

HN6373 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HN6373
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,额定电压30V,具备高达50A的连续电流处理能力。专为紧凑型、高功率应用设计,如电源转换、负载开关和电池管理系统,实现卓越的能效与空间利用率。
    描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,额定电压30V,具备高达50A的连续电流处理能力。专为紧凑型、高功率应用设计,如电源转换、负载开关和电池管理系统,实现卓越的能效与空间利用率。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.6132
  • 15000+ ¥0.603
  • 25000+ ¥0.5877
合计:¥3,066.00
标准包装数量:5000

HS2198 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HS2198
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 描述: 这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装,具备40V额定电压和7.2A高连续电流处理能力。专为高效双向电源转换、电池管理系统设计,适用于多种消费电子产品。集成双极性通道实现正负电压控制,低导通电阻与卓越的开关性能相结合,确保系统稳定可靠且节能。
    描述: 这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装,具备40V额定电压和7.2A高连续电流处理能力。专为高效双向电源转换、电池管理系统设计,适用于多种消费电子产品。集成双极性通道实现正负电压控制,低导通电阻与卓越的开关性能相结合,确保系统稳定可靠且节能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.6
  • 9000+ ¥0.59
  • 15000+ ¥0.575
合计:¥1,800.00
标准包装数量:3000

HN6971 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HN6971
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装,具有60V额定电压和20A连续电流处理能力。专为紧凑型、高效电源转换、负载开关控制及电池管理系统设计,实现卓越的空间利用率与能效表现。
    描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装,具有60V额定电压和20A连续电流处理能力。专为紧凑型、高效电源转换、负载开关控制及电池管理系统设计,实现卓越的空间利用率与能效表现。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.692
  • 15000+ ¥0.6805
  • 25000+ ¥0.6632
合计:¥3,460.00
标准包装数量:5000

HXY20N03D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY20N03D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 这款消费级MOSFET采用先进的TO-252-2L封装,是一款高性能N沟道器件,额定电压高达30V,持续电流容量为20A,适用于各类中低压开关电路,为电子产品提供高效、稳定的功率管理解决方案。
    描述: 这款消费级MOSFET采用先进的TO-252-2L封装,是一款高性能N沟道器件,额定电压高达30V,持续电流容量为20A,适用于各类中低压开关电路,为电子产品提供高效、稳定的功率管理解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.2623
  • 7500+ ¥0.2579
  • 12500+ ¥0.2514
合计:¥655.75
标准包装数量:2500

HXY2310AI 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY2310AI
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为60V电压应用设计,额定电流高达3A。具备出色的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理等场景,提供高效能、稳定的功率转换与控制解决方案。
    描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为60V电压应用设计,额定电流高达3A。具备出色的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理等场景,提供高效能、稳定的功率转换与控制解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1312
  • 9000+ ¥0.129
  • 15000+ ¥0.1257
合计:¥393.60
标准包装数量:3000

18N50F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 18N50F
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管,电流为18A,电压500V,内阻典型值300mR。VGS为30,类型为N型。适用于各类电子产品,能在中等电压下承载较大电流。较低内阻可减少一定功耗,确保电路高效稳定运行,满足多种功率需求场景。
    这款场效应管,电流为18A,电压500V,内阻典型值300mR。VGS为30,类型为N型。适用于各类电子产品,能在中等电压下承载较大电流。较低内阻可减少一定功耗,确保电路高效稳定运行,满足多种功率需求场景。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.64
  • 150+ ¥2.596
  • 250+ ¥2.53
合计:¥264.00
标准包装数量:50

HXY3139CI 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HXY3139CI
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:SOT-523
  • 描述: 描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用超小型SOT-523封装,具备20V额定电压和0.6A连续电流能力,专为低功耗电子设备设计。适用于电源转换、负载开关等应用,小巧尺寸与高效性能兼具。
    描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用超小型SOT-523封装,具备20V额定电压和0.6A连续电流能力,专为低功耗电子设备设计。适用于电源转换、负载开关等应用,小巧尺寸与高效性能兼具。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0768
  • 9000+ ¥0.0755
  • 15000+ ¥0.0736
合计:¥230.40
标准包装数量:3000

ZXMN2B01F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ZXMN2B01F
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为2.3A,适用于特定小功率场合。电压20V,可在相应电路中稳定工作。内阻典型值48mR,能量损耗处于一定水平。VGS为12V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的小型电子器件中。
    这款场效应管为N型,电流为2.3A,适用于特定小功率场合。电压20V,可在相应电路中稳定工作。内阻典型值48mR,能量损耗处于一定水平。VGS为12V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的小型电子器件中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1398
  • 9000+ ¥0.1375
  • 15000+ ¥0.134
合计:¥419.40
标准包装数量:3000

AO3419 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3419
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型,电流为4.1A,可满足特定小功率需求。电压20V,能在相应电路环境下稳定工作。内阻典型值34mR,能量损耗相对适中。VGS为10V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
    此场效应管为P型,电流为4.1A,可满足特定小功率需求。电压20V,能在相应电路环境下稳定工作。内阻典型值34mR,能量损耗相对适中。VGS为10V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1786
  • 9000+ ¥0.1756
  • 15000+ ¥0.1711
合计:¥535.80
标准包装数量:3000

FDN361BN 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN361BN
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流4A,适用于特定低功率场景。电压30V,能在相应电路中稳定工作。内阻典型值29mR,能量损耗处于中等水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于小型电子设备的特定电路部分。
    此场效应管为N型,电流4A,适用于特定低功率场景。电压30V,能在相应电路中稳定工作。内阻典型值29mR,能量损耗处于中等水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于小型电子设备的特定电路部分。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1938
  • 9000+ ¥0.1906
  • 15000+ ¥0.1857
合计:¥581.40
标准包装数量:3000

AO3493 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3493
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管采用P型设计,适用于高效能应用。其具备3A的电流承载能力,能在20V电压下稳定工作。内阻典型值为60mΩ,较低的导通电阻有助于减少能量损耗。VGS为12V,确保开关导通时的低损耗。该产品适合用于要求高可靠性与稳定性的场合,如电源管理和信号放大等关键应用。
    这款场效应管采用P型设计,适用于高效能应用。其具备3A的电流承载能力,能在20V电压下稳定工作。内阻典型值为60mΩ,较低的导通电阻有助于减少能量损耗。VGS为12V,确保开关导通时的低损耗。该产品适合用于要求高可靠性与稳定性的场合,如电源管理和信号放大等关键应用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1122
  • 9000+ ¥0.1103
  • 15000+ ¥0.1075
合计:¥336.60
标准包装数量:3000

DMN62D0U 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMN62D0U
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流仅0.3A,适用于低功率场合。电压为60V,可在特定电路中稳定运行。内阻典型值达1000mR,能量损耗相对较大。VGS为20V。在消费电子领域,可用于一些小型电子设备的电流控制。
    这款场效应管为N型,电流仅0.3A,适用于低功率场合。电压为60V,可在特定电路中稳定运行。内阻典型值达1000mR,能量损耗相对较大。VGS为20V。在消费电子领域,可用于一些小型电子设备的电流控制。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1085
  • 9000+ ¥0.1067
  • 15000+ ¥0.104
合计:¥325.50
标准包装数量:3000

IRF7807ZPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7807ZPBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有8.5A的电流承载能力,能在30V的电压下稳定工作。其内阻典型值为14mΩ,确保了较低的功耗。VGS为20V,适用于多种电路设计。该元器件具有优异的性能和稳定性,广泛应用于电源管理、信号放大及开关电路等领域,是电子设备的理想选择。
    这款N型场效应管拥有8.5A的电流承载能力,能在30V的电压下稳定工作。其内阻典型值为14mΩ,确保了较低的功耗。VGS为20V,适用于多种电路设计。该元器件具有优异的性能和稳定性,广泛应用于电源管理、信号放大及开关电路等领域,是电子设备的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.918
  • 9000+ ¥0.9027
  • 9000+ ¥0.9027
合计:¥2,754.00
标准包装数量:3000
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