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IRFR9024NTR 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR9024NTR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具有60V高耐压及高效能的10A电流处理能力。专为中高压应用环境设计,适用于各类消费电子产品中的电源开关与转换需求,以实现卓越的系统稳定性和能源效率。
    描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具有60V高耐压及高效能的10A电流处理能力。专为中高压应用环境设计,适用于各类消费电子产品中的电源开关与转换需求,以实现卓越的系统稳定性和能源效率。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.5088
  • 7500+ ¥0.5003
  • 12500+ ¥0.4876
合计:¥1,272.00
标准包装数量:2500

IRF7406PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7406PBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款P型场效应管,电流为9A,可满足一定的电流需求。电压30V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值18mR,能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于各类对电流和电压有特定要求的电子设备中。
    这款P型场效应管,电流为9A,可满足一定的电流需求。电压30V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值18mR,能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于各类对电流和电压有特定要求的电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.3456
  • 9000+ ¥0.3398
  • 15000+ ¥0.3312
合计:¥1,036.80
标准包装数量:3000

FDY300NZ 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDY300NZ
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流为0.8A,可满足较低功率需求。电压20V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值100mR。VGS为8V。在消费电子领域,可用于特定小功率电子设备进行电流控制。
    这款场效应管为N型,电流为0.8A,可满足较低功率需求。电压20V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值100mR。VGS为8V。在消费电子领域,可用于特定小功率电子设备进行电流控制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.3295
  • 9000+ ¥0.324
  • 15000+ ¥0.3158
合计:¥988.50
标准包装数量:3000

SI2374DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2374DS-T1-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管具有3A的电流承载能力,最高20V的工作电压,以及23mΩ的典型内阻。其VGS为12V,适用于多种应用场景。该元器件具有优异的性能和稳定性,能在各种环境条件下正常工作,可靠性高。广泛应用于电源管理、信号放大等领域,是电子设备的理想选择。
    这款N型场效应管具有3A的电流承载能力,最高20V的工作电压,以及23mΩ的典型内阻。其VGS为12V,适用于多种应用场景。该元器件具有优异的性能和稳定性,能在各种环境条件下正常工作,可靠性高。广泛应用于电源管理、信号放大等领域,是电子设备的理想选择。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.3366
  • 9000+ ¥0.331
  • 15000+ ¥0.3226
合计:¥1,009.80
标准包装数量:3000

SI7848BDP-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7848BDP-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流达70A,可承载较大电流。电压为40V,适应一定的电压环境。内阻典型值6.5mR,较低内阻可减少能量损耗。VGS为20V。适用于消费电子领域,可在功率要求较高的电子设备中发挥稳定电流、控制电压的作用。
    此场效应管为N型,电流达70A,可承载较大电流。电压为40V,适应一定的电压环境。内阻典型值6.5mR,较低内阻可减少能量损耗。VGS为20V。适用于消费电子领域,可在功率要求较高的电子设备中发挥稳定电流、控制电压的作用。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.749
  • 15000+ ¥2.7031
  • 25000+ ¥2.6344
合计:¥13,745.00
标准包装数量:5000

SI7218DN-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7218DN-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N+N型,电流20A,适用于一定功率的场景。电压30V,可在多种常见电路环境下工作。内阻典型值19mR,能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
    这款场效应管为N+N型,电流20A,适用于一定功率的场景。电压30V,可在多种常见电路环境下工作。内阻典型值19mR,能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥3.456
  • 15000+ ¥3.3984
  • 25000+ ¥3.312
合计:¥17,280.00
标准包装数量:5000

SI7414DN-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7414DN-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N型,电流30A,可在一定功率场景中发挥作用。电压60V,能确保在特定电路稳定运行。内阻典型值24mR,能量损耗处于中等水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的小型电子设备中。
    此场效应管为N型,电流30A,可在一定功率场景中发挥作用。电压60V,能确保在特定电路稳定运行。内阻典型值24mR,能量损耗处于中等水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的小型电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.6592
  • 15000+ ¥2.6149
  • 25000+ ¥2.5484
合计:¥13,296.00
标准包装数量:5000

SI7123DN-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7123DN-T1-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型,电流达48A,可满足一定功率需求。电压为20V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值7.5mR,能量损耗相对较低。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流调控。
    此场效应管为P型,电流达48A,可满足一定功率需求。电压为20V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值7.5mR,能量损耗相对较低。VGS为12V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流调控。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥3.4476
  • 15000+ ¥3.3901
  • 25000+ ¥3.304
合计:¥17,238.00
标准包装数量:5000

SI7336ADP-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7336ADP-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,额定电压为30V,内阻典型值仅为2mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景,如电源管理、电机驱动等,确保系统高效稳定运行。选择此款元器件,可提升整体电路性能。
    这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,额定电压为30V,内阻典型值仅为2mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景,如电源管理、电机驱动等,确保系统高效稳定运行。选择此款元器件,可提升整体电路性能。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥3.672
  • 15000+ ¥3.6108
  • 25000+ ¥3.519
合计:¥18,360.00
标准包装数量:5000

BSC028N06NS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC028N06NS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 此款N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装,具备强大的125A连续电流能力和60V额定电压,专为高密度、大电流应用设计。适用于高效电源转换、电池管理系统及电机驱动场景,提供卓越的开关性能与能效,是现代高性能电子设备的理想核心组件。
    描述: 此款N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装,具备强大的125A连续电流能力和60V额定电压,专为高密度、大电流应用设计。适用于高效电源转换、电池管理系统及电机驱动场景,提供卓越的开关性能与能效,是现代高性能电子设备的理想核心组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.6275
  • 15000+ ¥2.5837
  • 25000+ ¥2.518
合计:¥13,137.50
标准包装数量:5000

BSC0702LSATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC0702LSATMA1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款消费级MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装,具备高效能N沟道设计,额定电压高达60V,电流容量高达125A,专为各类高功率应用打造,提供卓越的开关性能与低导通电阻,是您电子设备的理想选择。
    描述: 这款消费级MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装,具备高效能N沟道设计,额定电压高达60V,电流容量高达125A,专为各类高功率应用打造,提供卓越的开关性能与低导通电阻,是您电子设备的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.499
  • 15000+ ¥2.4574
  • 25000+ ¥2.3949
合计:¥12,495.00
标准包装数量:5000

BSC039N06NS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC039N06NS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,具备60V高耐压及卓越的125A大电流处理能力。专为高性能、低电阻开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品中,实现高效能与紧凑空间利用的完美结合。
    描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,具备60V高耐压及卓越的125A大电流处理能力。专为高性能、低电阻开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品中,实现高效能与紧凑空间利用的完美结合。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.958
  • 15000+ ¥2.9087
  • 25000+ ¥2.8348
合计:¥14,790.00
标准包装数量:5000

SH8K26 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SH8K26
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为N+N型,电流12A,可在一定功率范围内发挥作用。电压40V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值16mR,有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备的电流和电压要求。
    此场效应管为N+N型,电流12A,可在一定功率范围内发挥作用。电压40V,适用于多种常见电路环境。内阻典型值16mR,有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可满足特定电子设备的电流和电压要求。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥1.5552
  • 9000+ ¥1.5293
  • 15000+ ¥1.4904
合计:¥4,665.60
标准包装数量:3000

SIR468DP-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SIR468DP-T1-GE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管为N型,电流达80A,可应对较高功率场景。电压为30V,能在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值4.3mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流要求较大的电子设备的电流控制。
    这款场效应管为N型,电流达80A,可应对较高功率场景。电压为30V,能在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值4.3mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流要求较大的电子设备的电流控制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.4364
  • 15000+ ¥1.4125
  • 25000+ ¥1.3766
合计:¥7,182.00
标准包装数量:5000

IRFHM9331TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFHM9331TRPBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 描述: 这款高性能P沟道消费级MOSFET采用超紧凑DFN3X3-8L封装,专为高功率密度和大电流应用设计。具备30V额定电压及高达40A的连续电流处理能力,特别适用于电池保护、电源开关以及高效电源转换场景,提供卓越的能效表现与优秀的热管理性能,是现代小型化电子设备的理想之选。
    描述: 这款高性能P沟道消费级MOSFET采用超紧凑DFN3X3-8L封装,专为高功率密度和大电流应用设计。具备30V额定电压及高达40A的连续电流处理能力,特别适用于电池保护、电源开关以及高效电源转换场景,提供卓越的能效表现与优秀的热管理性能,是现代小型化电子设备的理想之选。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.5444
  • 15000+ ¥1.5187
  • 25000+ ¥1.4801
合计:¥7,722.00
标准包装数量:5000

FDMS8680 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDMS8680
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有80A的电流承载能力,30V的耐压范围,以及4.7mΩ的典型内阻。其VGS为20V,适用于高电流、低内阻的应用场景。在设计上注重了高效能和稳定性,可广泛应用于电源管理、负载开关等领域,确保系统的高效运行和长期可靠性。
    这款N型场效应管拥有80A的电流承载能力,30V的耐压范围,以及4.7mΩ的典型内阻。其VGS为20V,适用于高电流、低内阻的应用场景。在设计上注重了高效能和稳定性,可广泛应用于电源管理、负载开关等领域,确保系统的高效运行和长期可靠性。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.992
  • 15000+ ¥1.9588
  • 25000+ ¥1.909
合计:¥9,960.00
标准包装数量:5000

NTMFS4C054N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS4C054N
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,耐压能力达到30V,内阻典型值仅为2mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景,如电源管理、LED驱动及高性能电子设备,确保系统稳定运行,提升整体效率。
    这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,耐压能力达到30V,内阻典型值仅为2mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景,如电源管理、LED驱动及高性能电子设备,确保系统稳定运行,提升整体效率。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.728
  • 15000+ ¥1.6992
  • 25000+ ¥1.656
合计:¥8,640.00
标准包装数量:5000

SI7309DN-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI7309DN-T1-E3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型,电流为15A,可满足一定功率需求。电压60V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值70mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制和功率调节。
    此场效应管为P型,电流为15A,可满足一定功率需求。电压60V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值70mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流控制和功率调节。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.268
  • 15000+ ¥2.2302
  • 25000+ ¥2.1735
合计:¥11,340.00
标准包装数量:5000

AON6413 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON6413
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此场效应管为P型,电流达70A,可满足较大功率场景需求。电压为30V,能在特定电路中稳定运行。内阻典型值6mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。
    此场效应管为P型,电流达70A,可满足较大功率场景需求。电压为30V,能在特定电路中稳定运行。内阻典型值6mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥2.112
  • 15000+ ¥2.0768
  • 25000+ ¥2.024
合计:¥10,560.00
标准包装数量:5000

FDMS7670AS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDMS7670AS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,耐压能力达到30V,内阻典型值仅为2mR,确保了高效率和低损耗。其VGS为20V,适用于多种应用需求。该元器件设计精良,可靠性高,是电源管理、信号放大及开关应用的理想选择,有助于提升系统的稳定性和性能表现。
    这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,耐压能力达到30V,内阻典型值仅为2mR,确保了高效率和低损耗。其VGS为20V,适用于多种应用需求。该元器件设计精良,可靠性高,是电源管理、信号放大及开关应用的理想选择,有助于提升系统的稳定性和性能表现。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥1.8586
  • 15000+ ¥1.8276
  • 15000+ ¥1.8276
合计:¥9,293.00
标准包装数量:5000
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