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AP60SL600DIN 未分类

  • 型号: AP60SL600DIN
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有16A的最大漏极电流(ID)、650V的漏源击穿电压(VDSS)以及450mΩ的导通电阻(RDON),在30V栅源电压(VGS)下工作。适用于高效开关电源、逆变器等电子设备中,作为关键的开关或放大组件。其优良的导电性和耐压性,确保了在复杂电路环境下的稳定性和可靠性。
    这款N沟道场效应管(MOSFET)具有16A的最大漏极电流(ID)、650V的漏源击穿电压(VDSS)以及450mΩ的导通电阻(RDON),在30V栅源电压(VGS)下工作。适用于高效开关电源、逆变器等电子设备中,作为关键的开关或放大组件。其优良的导电性和耐压性,确保了在复杂电路环境下的稳定性和可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.6659
  • 150+ ¥2.6215
  • 250+ ¥2.5548
合计:¥266.59
标准包装数量:50

AH501SU 未分类

  • 型号: AH501SU
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款双极锁存霍尔开关支持2.7V至30V的工作电压范围,并具备-20V的反向保护电压。磁工作点为7GS,磁释放点为-7GS,确保了精准的磁感应响应。工作温度范围宽广,从-40℃到150℃,适应多种环境条件。适用于传感器、磁性开关检测及非接触式位置感应等应用,提供准确可靠的磁感应控制功能。
    此款双极锁存霍尔开关支持2.7V至30V的工作电压范围,并具备-20V的反向保护电压。磁工作点为7GS,磁释放点为-7GS,确保了精准的磁感应响应。工作温度范围宽广,从-40℃到150℃,适应多种环境条件。适用于传感器、磁性开关检测及非接触式位置感应等应用,提供准确可靠的磁感应控制功能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥1.7053
  • 9000+ ¥1.6769
  • 15000+ ¥1.6343
合计:¥5,115.90
标准包装数量:3000

NVATS4A103PZ 未分类

  • 型号: NVATS4A103PZ
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款P沟道场效应管(MOSFET)具备出色的电气性能,其最大漏极电流(ID/A)可达50A,最大漏源电压(VDSS/V)为30V,导通电阻(RDON/mR)仅为9.5mΩ,且支持的最大栅源电压(VGS/V)为25V。该元件适用于需要高效能开关操作的应用场合,如电源管理、电池保护电路以及各种便携式电子设备中的信号处理等,能够确保在高频率和大电流条件下稳定运行,同时降低能耗,提高系统效率。
    此款P沟道场效应管(MOSFET)具备出色的电气性能,其最大漏极电流(ID/A)可达50A,最大漏源电压(VDSS/V)为30V,导通电阻(RDON/mR)仅为9.5mΩ,且支持的最大栅源电压(VGS/V)为25V。该元件适用于需要高效能开关操作的应用场合,如电源管理、电池保护电路以及各种便携式电子设备中的信号处理等,能够确保在高频率和大电流条件下稳定运行,同时降低能耗,提高系统效率。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥1.9046
  • 7500+ ¥1.8729
  • 12500+ ¥1.8253
合计:¥4,761.50
标准包装数量:2500

MIC5233-3.0YS 未分类

  • 型号: MIC5233-3.0YS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款线性稳压器(LDO)提供3V的固定输出电压,可接受高达24V的输入电压范围,适用于多种便携式设备的电源管理。它支持最大0.15A的输出电流,适用于需要较低功率的应用场合。该LDO具有极低的静态电流消耗仅为0.002mA,这有助于减少能量损耗,延长电池驱动设备的工作周期。凭借其高精度的电压调节能力和出色的稳定性,这款LDO成为消费电子设计中理想的电源解决方案。
    这款线性稳压器(LDO)提供3V的固定输出电压,可接受高达24V的输入电压范围,适用于多种便携式设备的电源管理。它支持最大0.15A的输出电流,适用于需要较低功率的应用场合。该LDO具有极低的静态电流消耗仅为0.002mA,这有助于减少能量损耗,延长电池驱动设备的工作周期。凭借其高精度的电压调节能力和出色的稳定性,这款LDO成为消费电子设计中理想的电源解决方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥1.92
  • 3000+ ¥1.888
  • 5000+ ¥1.84
合计:¥1,920.00
标准包装数量:1000

AH545SU 未分类

  • 型号: AH545SU
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款单极霍尔开关的工作电压范围为2.7-30V,具备-20V的反向保护功能。磁工作点为60GS,磁释放点为40GS,确保了灵敏可靠的磁感应特性。其宽泛的工作温度区间从-40℃至150℃,适用于多种严苛环境下的应用需求,如精密仪器、智能家居系统以及便携式电子设备等。
    这款单极霍尔开关的工作电压范围为2.7-30V,具备-20V的反向保护功能。磁工作点为60GS,磁释放点为40GS,确保了灵敏可靠的磁感应特性。其宽泛的工作温度区间从-40℃至150℃,适用于多种严苛环境下的应用需求,如精密仪器、智能家居系统以及便携式电子设备等。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥1.8316
  • 9000+ ¥1.801
  • 15000+ ¥1.7552
合计:¥5,494.80
标准包装数量:3000

AP3N6R2MT 未分类

  • 型号: AP3N6R2MT
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有优秀的电气性能,支持最大漏极电流ID为80A,最高漏源电压VDSS达到30V,且导通电阻RDON仅为4.3mΩ,在VGS=20V条件下能够实现高效、低损耗的导通。该元件适合应用于要求高效率和快速响应的电路中,例如电源适配器、电池管理系统及各种电子设备内的开关和调节功能。其卓越的性能和可靠性,使得在设计复杂电路时更加灵活可靠。
    这款N沟道场效应管(MOSFET)具有优秀的电气性能,支持最大漏极电流ID为80A,最高漏源电压VDSS达到30V,且导通电阻RDON仅为4.3mΩ,在VGS=20V条件下能够实现高效、低损耗的导通。该元件适合应用于要求高效率和快速响应的电路中,例如电源适配器、电池管理系统及各种电子设备内的开关和调节功能。其卓越的性能和可靠性,使得在设计复杂电路时更加灵活可靠。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥2.0543
  • 15000+ ¥2.02
  • 25000+ ¥1.9687
合计:¥10,271.50
标准包装数量:5000

HXYG125N06NF 未分类

  • 型号: HXYG125N06NF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管具有125A的电流承载能力,最大60V的工作电压,以及2.4mΩ的典型内阻。其VGS为20V,适用于多种高性能应用。该元器件的设计注重稳定性和效率,适合在要求严苛的环境中可靠工作。
    这款N型场效应管具有125A的电流承载能力,最大60V的工作电压,以及2.4mΩ的典型内阻。其VGS为20V,适用于多种高性能应用。该元器件的设计注重稳定性和效率,适合在要求严苛的环境中可靠工作。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥2.2176
  • 15000+ ¥2.1806
  • 25000+ ¥2.1252
合计:¥11,088.00
标准包装数量:5000

AH506SU 未分类

  • 型号: AH506SU
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款单极霍尔开关支持宽泛的工作电压范围(2.7V 至 30V),并具备-20V的反向保护电压。磁工作点为190GS,磁释放点为170GS,确保了高精度的磁感应响应。工作温度范围广泛,从-40℃至150℃,适用于各种苛刻环境下的应用。该霍尔开关适用于非工业及非汽车领域的多个场景,如消费电子产品、智能穿戴设备及自动化办公设备等。
    这款单极霍尔开关支持宽泛的工作电压范围(2.7V 至 30V),并具备-20V的反向保护电压。磁工作点为190GS,磁释放点为170GS,确保了高精度的磁感应响应。工作温度范围广泛,从-40℃至150℃,适用于各种苛刻环境下的应用。该霍尔开关适用于非工业及非汽车领域的多个场景,如消费电子产品、智能穿戴设备及自动化办公设备等。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥1.7053
  • 9000+ ¥1.6769
  • 15000+ ¥1.6343
合计:¥5,115.90
标准包装数量:3000

AH510SU 未分类

  • 型号: AH510SU
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款单极霍尔开关支持2.7V至30V的工作电压,具备-20V反向保护电压。磁工作点为120GS,磁释放点为70GS,确保了精确的磁感应切换。它可在-40℃至150℃的温度范围内稳定工作。适用于各类非工业及非汽车领域的磁感应应用,例如门锁检测、液位监控等场合。
    此款单极霍尔开关支持2.7V至30V的工作电压,具备-20V反向保护电压。磁工作点为120GS,磁释放点为70GS,确保了精确的磁感应切换。它可在-40℃至150℃的温度范围内稳定工作。适用于各类非工业及非汽车领域的磁感应应用,例如门锁检测、液位监控等场合。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥1.7053
  • 9000+ ¥1.6769
  • 15000+ ¥1.6343
合计:¥5,115.90
标准包装数量:3000

AH543UA 未分类

  • 型号: AH543UA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款单极霍尔开关的工作电压范围为2.7V至30V,提供-20V反向保护电压。磁工作点为75GS,磁释放点为95GS,确保了稳定的磁感应切换性能。其工作温度范围宽广,覆盖-40℃至150℃,适用于各种苛刻环境。适合用于家用电器中的位置检测、消费电子产品的速度监测等非工业及非汽车领域的应用。
    此款单极霍尔开关的工作电压范围为2.7V至30V,提供-20V反向保护电压。磁工作点为75GS,磁释放点为95GS,确保了稳定的磁感应切换性能。其工作温度范围宽广,覆盖-40℃至150℃,适用于各种苛刻环境。适合用于家用电器中的位置检测、消费电子产品的速度监测等非工业及非汽车领域的应用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥1.8316
  • 3000+ ¥1.801
  • 5000+ ¥1.7552
合计:¥1,831.60
标准包装数量:1000

AH504UA 未分类

  • 型号: AH504UA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款双极锁存霍尔开关支持2.7V至30V的工作电压范围,并具备-20V的反向保护电压。磁工作点为80GS,磁释放点为-80GS,确保了精准的磁感应响应。工作温度范围宽广,从-40℃到150℃,适应多种环境条件。适用于传感器、磁性开关检测及非接触式位置感应等应用,提供准确可靠的磁感应控制功能。
    此款双极锁存霍尔开关支持2.7V至30V的工作电压范围,并具备-20V的反向保护电压。磁工作点为80GS,磁释放点为-80GS,确保了精准的磁感应响应。工作温度范围宽广,从-40℃到150℃,适应多种环境条件。适用于传感器、磁性开关检测及非接触式位置感应等应用,提供准确可靠的磁感应控制功能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥1.7053
  • 3000+ ¥1.6769
  • 5000+ ¥1.6343
合计:¥1,705.30
标准包装数量:1000

AP60SC600DIT 未分类

  • 型号: AP60SC600DIT
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有出色的电气性能,其最大漏极电流ID可达16A,耐压值VDSS高达650V,导通电阻RDON仅为450mΩ,在栅源电压VGS为30V时表现尤为突出。适用于各种高效率电源转换、开关电源及逆变器等电路中,能够有效降低能耗,提高系统稳定性与可靠性。该MOSFET凭借其优良的热特性和紧凑的封装设计,成为现代电子产品设计中的理想选择。
    这款N沟道场效应管(MOSFET)具有出色的电气性能,其最大漏极电流ID可达16A,耐压值VDSS高达650V,导通电阻RDON仅为450mΩ,在栅源电压VGS为30V时表现尤为突出。适用于各种高效率电源转换、开关电源及逆变器等电路中,能够有效降低能耗,提高系统稳定性与可靠性。该MOSFET凭借其优良的热特性和紧凑的封装设计,成为现代电子产品设计中的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.7606
  • 150+ ¥2.7146
  • 250+ ¥2.6456
合计:¥276.06
标准包装数量:50

AH504SU 未分类

  • 型号: AH504SU
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款双极锁存霍尔开关支持2.7V至30V的工作电压范围,并具备-20V的反向保护电压。磁工作点为80GS,磁释放点为-80GS,确保了精准的磁感应响应。工作温度范围宽广,从-40℃到150℃,适应多种环境条件。适用于传感器、磁性开关检测及非接触式位置感应等应用,提供准确可靠的磁感应控制功能。
    此款双极锁存霍尔开关支持2.7V至30V的工作电压范围,并具备-20V的反向保护电压。磁工作点为80GS,磁释放点为-80GS,确保了精准的磁感应响应。工作温度范围宽广,从-40℃到150℃,适应多种环境条件。适用于传感器、磁性开关检测及非接触式位置感应等应用,提供准确可靠的磁感应控制功能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥1.7053
  • 9000+ ¥1.6769
  • 15000+ ¥1.6343
合计:¥5,115.90
标准包装数量:3000

AP65AN1K2IN 未分类

  • 型号: AP65AN1K2IN
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款N沟道场效应管(MOSFET)拥有10安培的最大连续漏极电流和650伏特的漏源极断态电压,确保在高压环境下稳定运行。其导通电阻为860毫欧,适用于要求高效能与低损耗的电路设计。支持最大30伏特的栅源电压,增强了其在复杂电路配置中的适用性。这款MOSFET特别适合用于电源管理、信号放大及各类电子设备中的开关控制应用。
    此款N沟道场效应管(MOSFET)拥有10安培的最大连续漏极电流和650伏特的漏源极断态电压,确保在高压环境下稳定运行。其导通电阻为860毫欧,适用于要求高效能与低损耗的电路设计。支持最大30伏特的栅源电压,增强了其在复杂电路配置中的适用性。这款MOSFET特别适合用于电源管理、信号放大及各类电子设备中的开关控制应用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.517
  • 150+ ¥2.4751
  • 250+ ¥2.4121
合计:¥251.70
标准包装数量:50

SI4153 未分类

  • 型号: SI4153
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备0.8安培的最大连续漏极电流和20伏的最大漏源电压。其导通电阻为100毫欧,在8伏的栅源电压下工作稳定,适合用于要求低功耗和高效率的电路设计。该MOSFET适用于多种应用场景,包括但不限于电源转换、电池管理以及各类电子设备中的信号处理与保护电路,能够提供可靠的性能表现。
    这款N沟道场效应管(MOSFET)具备0.8安培的最大连续漏极电流和20伏的最大漏源电压。其导通电阻为100毫欧,在8伏的栅源电压下工作稳定,适合用于要求低功耗和高效率的电路设计。该MOSFET适用于多种应用场景,包括但不限于电源转换、电池管理以及各类电子设备中的信号处理与保护电路,能够提供可靠的性能表现。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥2.0478
  • 9000+ ¥2.0137
  • 15000+ ¥1.9625
合计:¥6,143.40
标准包装数量:3000

BSC066N06NSATMA1 未分类

  • 型号: BSC066N06NSATMA1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有80A的最大持续电流(ID/A),能够承受最高60V的漏源电压(VDSS/V)。导通电阻仅为5.3毫欧(RDSON/mΩ),保证了在大电流条件下仍能保持较低的功耗。栅源电压(VGS/V)的绝对值可达±25V,为驱动提供了宽泛的电压范围。该MOSFET适用于需要高效能和高可靠性的工作环境,如电源管理、便携式设备中的开关应用以及电池供电电路等。其性能特点使其成为设计中实现电流控制与转换的理想选择。
    这款N沟道场效应管(MOSFET)具有80A的最大持续电流(ID/A),能够承受最高60V的漏源电压(VDSS/V)。导通电阻仅为5.3毫欧(RDSON/mΩ),保证了在大电流条件下仍能保持较低的功耗。栅源电压(VGS/V)的绝对值可达±25V,为驱动提供了宽泛的电压范围。该MOSFET适用于需要高效能和高可靠性的工作环境,如电源管理、便携式设备中的开关应用以及电池供电电路等。其性能特点使其成为设计中实现电流控制与转换的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥2.2254
  • 15000+ ¥2.1883
  • 25000+ ¥2.1327
合计:¥11,127.00
标准包装数量:5000

AP60AN1K3IT 未分类

  • 型号: AP60AN1K3IT
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款N沟道场效应管(MOSFET)具备10A的最大连续漏极电流(ID)和650V的漏源击穿电压(VDSS),确保了其在高电压环境下的稳定性能。该器件拥有860mΩ的导通电阻(RDS(on)),在低功耗设计中表现出色,有助于提高整体效率。其栅源电压(VGS)范围为±30V,提供了宽泛的工作条件,适用于多种电路设计。此MOSFET适用于电源转换、电机控制等需要高效能开关的应用场景。
    此款N沟道场效应管(MOSFET)具备10A的最大连续漏极电流(ID)和650V的漏源击穿电压(VDSS),确保了其在高电压环境下的稳定性能。该器件拥有860mΩ的导通电阻(RDS(on)),在低功耗设计中表现出色,有助于提高整体效率。其栅源电压(VGS)范围为±30V,提供了宽泛的工作条件,适用于多种电路设计。此MOSFET适用于电源转换、电机控制等需要高效能开关的应用场景。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.7008
  • 150+ ¥1.6724
  • 250+ ¥1.6299
合计:¥170.08
标准包装数量:50

AH711-T 未分类

  • 型号: AH711-T
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此双通道输出器件支持宽泛的工作电压范围3.8V至30V,并具备-40V的反向保护能力。其磁工作点设定于75GS,而磁释放点为-75GS,确保了稳定的磁感应性能。该器件能在极端温度环境下运作,从-40℃至150℃,适用于多种苛刻的应用场景。
    此双通道输出器件支持宽泛的工作电压范围3.8V至30V,并具备-40V的反向保护能力。其磁工作点设定于75GS,而磁释放点为-75GS,确保了稳定的磁感应性能。该器件能在极端温度环境下运作,从-40℃至150℃,适用于多种苛刻的应用场景。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥3.6
  • 3000+ ¥3.54
  • 5000+ ¥3.45
合计:¥3,600.00
标准包装数量:1000

AP65SL600AIN 未分类

  • 型号: AP65SL600AIN
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款N沟道场效应管(MOSFET)拥有16A的最大连续漏极电流和650V的漏源极击穿电压,适用于要求高电压操作的电路设计。其导通电阻为450mΩ,在大电流下仍能保持良好的热稳定性。该器件支持30V的栅源电压范围,增强了其在复杂电路中的适应性。无论是用于电源管理还是信号调节,这款MOSFET均能提供高效且稳定的性能表现。
    此款N沟道场效应管(MOSFET)拥有16A的最大连续漏极电流和650V的漏源极击穿电压,适用于要求高电压操作的电路设计。其导通电阻为450mΩ,在大电流下仍能保持良好的热稳定性。该器件支持30V的栅源电压范围,增强了其在复杂电路中的适应性。无论是用于电源管理还是信号调节,这款MOSFET均能提供高效且稳定的性能表现。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.7529
  • 150+ ¥2.707
  • 250+ ¥2.6382
合计:¥275.29
标准包装数量:50

AP60SL600AIN 未分类

  • 型号: AP60SL600AIN
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款N沟道场效应管(MOSFET)拥有16A的最大连续漏极电流(ID)和650V的漏源极断态电压(VDSS),在30V的栅源极电压(VGS)条件下,其导通电阻(RDON)仅为450毫欧。这种高性能MOSFET适用于多种电子设备,如高效能开关电源、逆变器和电池管理系统中的信号处理与转换。其低导通电阻特性有助于降低功耗,提高系统的整体效率,同时保证了在各种应用场景下的可靠性和稳定性。
    此款N沟道场效应管(MOSFET)拥有16A的最大连续漏极电流(ID)和650V的漏源极断态电压(VDSS),在30V的栅源极电压(VGS)条件下,其导通电阻(RDON)仅为450毫欧。这种高性能MOSFET适用于多种电子设备,如高效能开关电源、逆变器和电池管理系统中的信号处理与转换。其低导通电阻特性有助于降低功耗,提高系统的整体效率,同时保证了在各种应用场景下的可靠性和稳定性。
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