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SMBJ250A 未分类

  • 型号: SMBJ250A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备1.5A的电流承载能力和250V的电压耐受性。采用单通道Uni单向结构,确保电路安全稳定。适用于多种电子系统,为您的设备提供可靠的保护。
    本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备1.5A的电流承载能力和250V的电压耐受性。采用单通道Uni单向结构,确保电路安全稳定。适用于多种电子系统,为您的设备提供可靠的保护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1272
  • 9000+ ¥0.1251
  • 15000+ ¥0.1219
合计:¥381.60
标准包装数量:3000

1SMB5917B 未分类

  • 型号: 1SMB5917B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款稳压二极管设计用于精密电压调节与保护电路。其主要参数包括:正向电流IF为0.319A,反向工作电压VR为4.7V,正向电压降VF为1.2V,反向漏电流IR仅为6μA,最大功耗PD可达0.55W。这些特性使得该二极管适用于需要稳定输出电压的场合,如电源稳压、信号电平转换等。其低功耗和高稳定性确保了在各种复杂环境下的可靠运行。
    这款稳压二极管设计用于精密电压调节与保护电路。其主要参数包括:正向电流IF为0.319A,反向工作电压VR为4.7V,正向电压降VF为1.2V,反向漏电流IR仅为6μA,最大功耗PD可达0.55W。这些特性使得该二极管适用于需要稳定输出电压的场合,如电源稳压、信号电平转换等。其低功耗和高稳定性确保了在各种复杂环境下的可靠运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1756
  • 9000+ ¥0.1726
  • 15000+ ¥0.1682
合计:¥526.80
标准包装数量:3000

SMCJ130CA 未分类

  • 型号: SMCJ130CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌影响而设计,具备7.2A的电流承载能力和130V的工作电压。采用单通道Bi双向结构,确保高效能保护。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚实的安全保障。
    本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌影响而设计,具备7.2A的电流承载能力和130V的工作电压。采用单通道Bi双向结构,确保高效能保护。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚实的安全保障。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.4308
  • 9000+ ¥0.4236
  • 15000+ ¥0.4129
合计:¥1,292.40
标准包装数量:3000

P4SMA30CA 未分类

  • 型号: P4SMA30CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备9.9A的电流承载能力和25.6V的工作电压。采用单通道Bi双向类型,确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚实的安全保障。
    本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备9.9A的电流承载能力和25.6V的工作电压。采用单通道Bi双向类型,确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚实的安全保障。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.1212
  • 15000+ ¥0.1192
  • 25000+ ¥0.1162
合计:¥606.00
标准包装数量:5000

RS3MCG 未分类

  • 型号: RS3MCG
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款快恢复/高效率二极管具有3A的额定电流(IF)及1000V的反向电压(VR),适用于需要高压及中等电流处理能力的电路设计。其正向电压降(VF)仅为1.3V,在确保性能的同时,降低了能量损耗,提升了转换效率。二极管的反向漏电流(IR)控制在5??A,表明其在反向偏置条件下具有良好的阻断特性。瞬态峰值电流(IFSM)可达90A,适合用于高频开关电源及其他需要快速开关特性的应用中,能够有效减少开关损耗,提高系统的整体效率。
    此款快恢复/高效率二极管具有3A的额定电流(IF)及1000V的反向电压(VR),适用于需要高压及中等电流处理能力的电路设计。其正向电压降(VF)仅为1.3V,在确保性能的同时,降低了能量损耗,提升了转换效率。二极管的反向漏电流(IR)控制在5??A,表明其在反向偏置条件下具有良好的阻断特性。瞬态峰值电流(IFSM)可达90A,适合用于高频开关电源及其他需要快速开关特性的应用中,能够有效减少开关损耗,提高系统的整体效率。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.2794
  • 9000+ ¥0.2747
  • 15000+ ¥0.2677
合计:¥838.20
标准包装数量:3000

ES3CBG 未分类

  • 型号: ES3CBG
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款快恢复/高效率二极管具有3安培的最大正向电流(IF),并在反向电压(VR)达到150伏特时仍能保持稳定性能。其正向电压降(VF)仅为1伏特,在确保高效导通的同时,也有效降低了能量损耗。在反向偏置条件下,漏电流(IR)控制在微安级别(5??A),显示了良好的阻断特性。瞬态状态下的最大正向电流(IFSM)可达90安培,适用于需要快速开关特性的场合,如高频开关电源中整流或保护电路等。该二极管凭借其出色的电气特性,能够显著提升电子设备的工作效率与可靠性。
    这款快恢复/高效率二极管具有3安培的最大正向电流(IF),并在反向电压(VR)达到150伏特时仍能保持稳定性能。其正向电压降(VF)仅为1伏特,在确保高效导通的同时,也有效降低了能量损耗。在反向偏置条件下,漏电流(IR)控制在微安级别(5??A),显示了良好的阻断特性。瞬态状态下的最大正向电流(IFSM)可达90安培,适用于需要快速开关特性的场合,如高频开关电源中整流或保护电路等。该二极管凭借其出色的电气特性,能够显著提升电子设备的工作效率与可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1819
  • 9000+ ¥0.1789
  • 15000+ ¥0.1743
合计:¥545.70
标准包装数量:3000

SS10200 未分类

  • 型号: SS10200
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 该款肖特基二极管提供10A的连续正向电流(IF)承载能力和200V的反向电压(VR)耐受能力,是一款适用于高频、高压降噪及整流应用的理想选择。其正向电压(VF)为0.92V,在确保低功耗的同时,也能够有效地减少热生成。二极管的反向漏电流(IR)控制在20μA以下,表明其在关闭状态下有良好的隔离效果。瞬态峰值电流(IFSM)可达175A,意味着它可以在短时间内处理较大的电流波动。凭借这些特性,此肖特基二极管适用于要求快速开关及稳定性的电路设计中。
    该款肖特基二极管提供10A的连续正向电流(IF)承载能力和200V的反向电压(VR)耐受能力,是一款适用于高频、高压降噪及整流应用的理想选择。其正向电压(VF)为0.92V,在确保低功耗的同时,也能够有效地减少热生成。二极管的反向漏电流(IR)控制在20μA以下,表明其在关闭状态下有良好的隔离效果。瞬态峰值电流(IFSM)可达175A,意味着它可以在短时间内处理较大的电流波动。凭借这些特性,此肖特基二极管适用于要求快速开关及稳定性的电路设计中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.7728
  • 9000+ ¥0.7599
  • 15000+ ¥0.7406
合计:¥2,318.40
标准包装数量:3000

TPSMB33A-VR 未分类

  • 型号: TPSMB33A-VR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向TVS二极管,具备11.3安培的IPP/A峰值脉冲电流承受能力及33伏特的VRWM/V重复性雪崩电压等级,专为单线电路设计。其单向特性使其在面对正向瞬态电压时能迅速响应,为连接设备提供即时保护,适用于需要高可靠性和快速保护响应的应用场合,如家用电器或个人电子产品中的精密电路防护。
    这款静电和浪涌保护器件为单向TVS二极管,具备11.3安培的IPP/A峰值脉冲电流承受能力及33伏特的VRWM/V重复性雪崩电压等级,专为单线电路设计。其单向特性使其在面对正向瞬态电压时能迅速响应,为连接设备提供即时保护,适用于需要高可靠性和快速保护响应的应用场合,如家用电器或个人电子产品中的精密电路防护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1349
  • 9000+ ¥0.1326
  • 15000+ ¥0.1293
合计:¥404.70
标准包装数量:3000

SS320F 未分类

  • 型号: SS320F
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款肖特基二极管拥有3A的正向电流(IF)承载能力和200V的反向耐压(VR),适用于需要高可靠性及稳定性的电子装置中。其正向电压降(VF)为0.92V,在高效能电源管理和信号整流方面表现优异。二极管的反向漏电流(IR)仅为20微安,在非导通模式下可有效控制能量损耗。此外,它还能够承受80A的瞬间峰值电流(IFSM),增强了在复杂电路条件下的耐用性和稳定性。
    这款肖特基二极管拥有3A的正向电流(IF)承载能力和200V的反向耐压(VR),适用于需要高可靠性及稳定性的电子装置中。其正向电压降(VF)为0.92V,在高效能电源管理和信号整流方面表现优异。二极管的反向漏电流(IR)仅为20微安,在非导通模式下可有效控制能量损耗。此外,它还能够承受80A的瞬间峰值电流(IFSM),增强了在复杂电路条件下的耐用性和稳定性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1487
  • 9000+ ¥0.1462
  • 15000+ ¥0.1425
合计:¥446.10
标准包装数量:3000

P6SMB150CA 未分类

  • 型号: P6SMB150CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌影响而设计,具备2.9A的电流承载能力和128V的工作电压。采用单通道Bi双向类型,确保高效能且可靠的电路保护。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚固的防护屏障。
    本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌影响而设计,具备2.9A的电流承载能力和128V的工作电压。采用单通道Bi双向类型,确保高效能且可靠的电路保护。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚固的防护屏障。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.408
  • 9000+ ¥0.4012
  • 15000+ ¥0.391
合计:¥1,224.00
标准包装数量:3000

1SMA4740A 未分类

  • 型号: 1SMA4740A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款稳压二极管具有稳定的电气性能,其正向电流IF为0.095A,反向工作电压VR可达10V,正向导通电压VF为1.5V,反向漏电流IR仅为10uA,最大耗散功率PD为0.5W。该二极管适用于各种电路中的电压稳定环节,能够有效确保电路中特定部分的电压保持恒定,对于需要精确控制电压的应用场景尤为适用。其小巧的设计和优良的热稳定性,使得它在多种精密电子设备中发挥着重要作用。
    这款稳压二极管具有稳定的电气性能,其正向电流IF为0.095A,反向工作电压VR可达10V,正向导通电压VF为1.5V,反向漏电流IR仅为10uA,最大耗散功率PD为0.5W。该二极管适用于各种电路中的电压稳定环节,能够有效确保电路中特定部分的电压保持恒定,对于需要精确控制电压的应用场景尤为适用。其小巧的设计和优良的热稳定性,使得它在多种精密电子设备中发挥着重要作用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.1418
  • 6000+ ¥0.1395
  • 10000+ ¥0.1359
合计:¥283.60
标准包装数量:2000

S5BBF 未分类

  • 型号: S5BBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款通用二极管具有5A的正向电流(IF),能够承受最高达100V的反向电压(VR),确保了其在多种电路中的可靠性。其正向电压降(VF)仅为1.1V,在保证性能的同时减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流(IR)在室温下不超过5微安,表明其具有良好的阻断特性。瞬态的最大正向电流(IFSM)可达150A,适用于需要瞬间处理大电流的应用场合。此元件适用于包括但不限于信号整流、保护电路等多类电子设计中,以其稳定的电气特性提供坚实保障。
    这款通用二极管具有5A的正向电流(IF),能够承受最高达100V的反向电压(VR),确保了其在多种电路中的可靠性。其正向电压降(VF)仅为1.1V,在保证性能的同时减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流(IR)在室温下不超过5微安,表明其具有良好的阻断特性。瞬态的最大正向电流(IFSM)可达150A,适用于需要瞬间处理大电流的应用场合。此元件适用于包括但不限于信号整流、保护电路等多类电子设计中,以其稳定的电气特性提供坚实保障。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.167
  • 15000+ ¥0.1643
  • 25000+ ¥0.1601
合计:¥835.00
标准包装数量:5000

SS56BF 未分类

  • 型号: SS56BF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款肖特基二极管具有5A的最大正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR),适合用于高电流密度和中等电压要求的电路设计。其正向电压降(VF)为0.7V,有助于减少能量损耗。在测试条件下,反向漏电流(IR)保持在100微安以下,确保了良好的绝缘性能。瞬态正向浪涌电流(IFSM)高达120A,表明它可以在短时间内承受较大的电流波动。此元件适用于各种消费电子产品中的高频开关电源、直流转换器以及其他需要快速开关特性和低功耗的应用。
    这款肖特基二极管具有5A的最大正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR),适合用于高电流密度和中等电压要求的电路设计。其正向电压降(VF)为0.7V,有助于减少能量损耗。在测试条件下,反向漏电流(IR)保持在100微安以下,确保了良好的绝缘性能。瞬态正向浪涌电流(IFSM)高达120A,表明它可以在短时间内承受较大的电流波动。此元件适用于各种消费电子产品中的高频开关电源、直流转换器以及其他需要快速开关特性和低功耗的应用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.1344
  • 15000+ ¥0.1322
  • 25000+ ¥0.1288
合计:¥672.00
标准包装数量:5000

SMCJ28A 未分类

  • 型号: SMCJ28A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备33.1A的电流承载能力和28V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚实的安全保障。
    本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备33.1A的电流承载能力和28V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚实的安全保障。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.2784
  • 9000+ ¥0.2738
  • 15000+ ¥0.2668
合计:¥835.20
标准包装数量:3000

P6SMB110A 未分类

  • 型号: P6SMB110A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备4A的电流承载能力和94V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚固的保护屏障。
    本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备4A的电流承载能力和94V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚固的保护屏障。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.3612
  • 9000+ ¥0.3552
  • 15000+ ¥0.3462
合计:¥1,083.60
标准包装数量:3000

S5JBF 未分类

  • 型号: S5JBF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款通用二极管设计用于多种电子设备中,其最大整流电流IF/A可达5安培,最高反向电压VR/V为600伏特,确保了在高压环境下的可靠性。正向电压降VF/V仅为1.1伏,在保证性能的同时减少了能量损耗。其反向漏电流IR/uA在室温条件下不超过5微安,体现了出色的绝缘性能。瞬态的最大电流IFSM/A可以达到150安培,适用于需要短时间承受大电流的应用场合。该二极管凭借这些特性,在消费电子产品、通信设备等领域有着广泛的应用潜力。
    这款通用二极管设计用于多种电子设备中,其最大整流电流IF/A可达5安培,最高反向电压VR/V为600伏特,确保了在高压环境下的可靠性。正向电压降VF/V仅为1.1伏,在保证性能的同时减少了能量损耗。其反向漏电流IR/uA在室温条件下不超过5微安,体现了出色的绝缘性能。瞬态的最大电流IFSM/A可以达到150安培,适用于需要短时间承受大电流的应用场合。该二极管凭借这些特性,在消费电子产品、通信设备等领域有着广泛的应用潜力。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.1662
  • 15000+ ¥0.1634
  • 25000+ ¥0.1593
合计:¥831.00
标准包装数量:5000

SMCJ26CA 未分类

  • 型号: SMCJ26CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌影响而设计。具有35.7A的电流承载能力,26V的工作电压,以及单通道Bi双向保护类型。适用于多种电子设备的精细保护,确保系统稳定运行,减少意外损坏的风险。
    本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌影响而设计。具有35.7A的电流承载能力,26V的工作电压,以及单通道Bi双向保护类型。适用于多种电子设备的精细保护,确保系统稳定运行,减少意外损坏的风险。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.3072
  • 9000+ ¥0.3021
  • 15000+ ¥0.2944
合计:¥921.60
标准包装数量:3000

ES5CCG 未分类

  • 型号: ES5CCG
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款快恢复/高效率二极管具有5A的平均正向电流(IF),能够承受最高达150V的反向电压(VR),确保了其在高压环境下的可靠性。该二极管在正向电流下的电压降(VF)仅为1V,有助于减少能量损耗,提高整体系统效率。在无外加偏压条件下,其反向漏电流(IR)不超过5微安,显示出了良好的阻断性能。瞬态状态下的峰值电流(IFSM)可达120A,表明它可以在短时间内处理较大的电流波动。这些特性使其适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能转换的应用中。
    这款快恢复/高效率二极管具有5A的平均正向电流(IF),能够承受最高达150V的反向电压(VR),确保了其在高压环境下的可靠性。该二极管在正向电流下的电压降(VF)仅为1V,有助于减少能量损耗,提高整体系统效率。在无外加偏压条件下,其反向漏电流(IR)不超过5微安,显示出了良好的阻断性能。瞬态状态下的峰值电流(IFSM)可达120A,表明它可以在短时间内处理较大的电流波动。这些特性使其适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能转换的应用中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.3074
  • 9000+ ¥0.3023
  • 15000+ ¥0.2946
合计:¥922.20
标准包装数量:3000

SS5150B 未分类

  • 型号: SS5150B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 肖特基二极管是一款低电压降、高速切换的理想选择,其特征参数包括正向电流IF最高可达5A,反向击穿电压VR最大为150V,正向电压降VF仅为0.95V,在反向电压下漏电流IR不超过100微安,瞬态正向浪涌电流IFSM可承受高达150A。此款二极管适用于需要高效能与快速响应的应用中,例如在电源转换电路中的整流作用或是保护敏感电子设备免受瞬时电压波动的影响。其低正向压降特性使其能够在多种电压敏感的设计中实现更高效的能量转换。
    肖特基二极管是一款低电压降、高速切换的理想选择,其特征参数包括正向电流IF最高可达5A,反向击穿电压VR最大为150V,正向电压降VF仅为0.95V,在反向电压下漏电流IR不超过100微安,瞬态正向浪涌电流IFSM可承受高达150A。此款二极管适用于需要高效能与快速响应的应用中,例如在电源转换电路中的整流作用或是保护敏感电子设备免受瞬时电压波动的影响。其低正向压降特性使其能够在多种电压敏感的设计中实现更高效的能量转换。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.288
  • 9000+ ¥0.2832
  • 15000+ ¥0.276
合计:¥864.00
标准包装数量:3000

SMCJ120A 未分类

  • 型号: SMCJ120A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备7.8A的电流承载能力和120V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保电路安全稳定。适用于多种电子系统,为您的设备提供可靠的保护,延长使用寿命。
    本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备7.8A的电流承载能力和120V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保电路安全稳定。适用于多种电子系统,为您的设备提供可靠的保护,延长使用寿命。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.2616
  • 9000+ ¥0.2572
  • 9000+ ¥0.2572
合计:¥784.80
标准包装数量:3000
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