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AH505SU 未分类

  • 型号: AH505SU
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款双极锁存霍尔开关支持2.7V至30V的工作电压范围,并具备-20V的反向保护电压。磁工作点为135GS,磁释放点为-135GS,确保了精准的磁感应响应。工作温度范围宽广,从-40℃到150℃,适应多种环境条件。适用于传感器、磁性开关检测及非接触式位置感应等应用,提供准确可靠的磁感应控制功能。
    此款双极锁存霍尔开关支持2.7V至30V的工作电压范围,并具备-20V的反向保护电压。磁工作点为135GS,磁释放点为-135GS,确保了精准的磁感应响应。工作温度范围宽广,从-40℃到150℃,适应多种环境条件。适用于传感器、磁性开关检测及非接触式位置感应等应用,提供准确可靠的磁感应控制功能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥1.8
  • 9000+ ¥1.77
  • 15000+ ¥1.725
合计:¥5,400.00
标准包装数量:3000

IDK10G120C5 未分类

  • 型号: IDK10G120C5
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅二极管设计有10安培的正向电流(IF/A),并能承受高达1200伏特的反向电压(VR/V),适用于需要坚固电气性能的应用场景。其正向电压降(VF/V)为1.4伏特,有效降低了能量损失。在反向偏置条件下,漏电流(IR/uA)限制在100微安,体现了出色的绝缘特性。此外,此元件支持最高90安培的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A),能够在复杂的工作环境中提供可靠的过流保护。这些技术规格使其成为构建高性能电力转换系统及其他对效率与稳定性有要求的解决方案的理想选择。
    这款碳化硅二极管设计有10安培的正向电流(IF/A),并能承受高达1200伏特的反向电压(VR/V),适用于需要坚固电气性能的应用场景。其正向电压降(VF/V)为1.4伏特,有效降低了能量损失。在反向偏置条件下,漏电流(IR/uA)限制在100微安,体现了出色的绝缘特性。此外,此元件支持最高90安培的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A),能够在复杂的工作环境中提供可靠的过流保护。这些技术规格使其成为构建高性能电力转换系统及其他对效率与稳定性有要求的解决方案的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 800+ ¥10.1832
  • 2400+ ¥10.0135
  • 4000+ ¥9.7589
合计:¥8,146.56
标准包装数量:800

SCS210KG 未分类

  • 型号: SCS210KG
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流(IF/A),并且能够在高达1200伏特的反向电压(VR/V)下工作。其正向电压降(VF/V)仅为1.35伏特,在同类产品中表现出较低的能量损耗特性。该二极管的反向漏电流(IR/uA)为250微安,在较高温度下也能保持稳定的性能。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)最大可达71安培,适用于需要高可靠性和快速开关特性的应用环境中,如高频转换电路或通用电源设计中,能够提供卓越的效率与可靠性。
    这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流(IF/A),并且能够在高达1200伏特的反向电压(VR/V)下工作。其正向电压降(VF/V)仅为1.35伏特,在同类产品中表现出较低的能量损耗特性。该二极管的反向漏电流(IR/uA)为250微安,在较高温度下也能保持稳定的性能。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)最大可达71安培,适用于需要高可靠性和快速开关特性的应用环境中,如高频转换电路或通用电源设计中,能够提供卓越的效率与可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥6.6666
  • 150+ ¥6.5555
  • 250+ ¥6.3888
合计:¥666.66
标准包装数量:50

C3D02120E 未分类

  • 型号: C3D02120E
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅二极管,电流为2A,电压1200V,压降1.4V。反向电流仅8uA,浪涌电流24A。适用于各类电子产品,能在高电压环境下高效工作。低压降可减少功耗,高浪涌电流确保电路在瞬间大电流时稳定运行。
    这款碳化硅二极管,电流为2A,电压1200V,压降1.4V。反向电流仅8uA,浪涌电流24A。适用于各类电子产品,能在高电压环境下高效工作。低压降可减少功耗,高浪涌电流确保电路在瞬间大电流时稳定运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥7.8
  • 7500+ ¥7.67
  • 12500+ ¥7.475
合计:¥19,500.00
标准包装数量:2500

SC102N170T8L 未分类

  • 型号: SC102N170T8L
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款碳化硅场效应管(MOSFET)具备N沟道结构,最大工作电流ID/A达到5A,能够承受的最大漏源电压VDSS/V为1700V。导通电阻RDSON/mΩ为1000毫欧,确保了在导通状态下的损耗较低。栅源电压VGS/V的最大绝对值为20V,适用于要求高耐压和高效能的电路设计中,特别是在需要高频开关操作的应用场景下,该MOSFET可以提供优越的性能表现。其材料特性赋予了更好的热稳定性和耐用性,适合用于要求严苛的电力转换系统。
    此款碳化硅场效应管(MOSFET)具备N沟道结构,最大工作电流ID/A达到5A,能够承受的最大漏源电压VDSS/V为1700V。导通电阻RDSON/mΩ为1000毫欧,确保了在导通状态下的损耗较低。栅源电压VGS/V的最大绝对值为20V,适用于要求高耐压和高效能的电路设计中,特别是在需要高频开关操作的应用场景下,该MOSFET可以提供优越的性能表现。其材料特性赋予了更好的热稳定性和耐用性,适合用于要求严苛的电力转换系统。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥11.7482
  • 90+ ¥11.5524
  • 150+ ¥11.2587
合计:¥704.89
标准包装数量:30

C3D12065G 未分类

  • 型号: C3D12065G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅二极管,电流为12A,电压650V,压降1.3V。反向电流50uA,浪涌电流90A。适用于各类电子产品,具有出色的整流性能。低压降可降低功耗,高浪涌电流能应对瞬间大电流冲击,确保电路稳定可靠运行。
    这款碳化硅二极管,电流为12A,电压650V,压降1.3V。反向电流50uA,浪涌电流90A。适用于各类电子产品,具有出色的整流性能。低压降可降低功耗,高浪涌电流能应对瞬间大电流冲击,确保电路稳定可靠运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 800+ ¥10.56
  • 2400+ ¥10.384
  • 4000+ ¥10.12
合计:¥8,448.00
标准包装数量:800

HC1D20065G 未分类

  • 型号: HC1D20065G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:300000
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 800+ ¥18.6
  • 2400+ ¥18.29
  • 4000+ ¥17.825
合计:¥14,880.00
标准包装数量:800

IMZ120R140M1H 未分类

  • 型号: IMZ120R140M1H
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 该款碳化硅场效应管(MOSFET)采用N沟道设计,具备19A的最大导通电流(ID)以及高达1200V的漏源电压(VDSS),适用于要求严苛的高电压应用环境。其导通电阻(RDSON)仅为160毫欧,在大电流通过时能有效降低功耗。栅源电压(VGS)最高可达20V,确保了良好的驱动兼容性和控制精度。此类器件适用于各类精密电子设备中的高效能电力管理模块,如不间断电源系统、太阳能逆变装置中的功率调节与转换环节。
    该款碳化硅场效应管(MOSFET)采用N沟道设计,具备19A的最大导通电流(ID)以及高达1200V的漏源电压(VDSS),适用于要求严苛的高电压应用环境。其导通电阻(RDSON)仅为160毫欧,在大电流通过时能有效降低功耗。栅源电压(VGS)最高可达20V,确保了良好的驱动兼容性和控制精度。此类器件适用于各类精密电子设备中的高效能电力管理模块,如不间断电源系统、太阳能逆变装置中的功率调节与转换环节。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥19.7898
  • 90+ ¥19.46
  • 150+ ¥18.9652
合计:¥1,187.39
标准包装数量:30

SCS210ANHR 未分类

  • 型号: SCS210ANHR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅二极管设计用于需要高性能和高效率的场合,具备10A的正向平均电流(IF)能力,能够承受高达650V的反向电压(VR),确保了在高压条件下的可靠运行。其正向电压(VF)仅为1.3V,有助于降低系统能耗。该二极管还具有低至50μA的反向漏电流(IR),减少了不必要的能量损失。最大浪涌电流(IFSM)可达80A,增强了对突发大电流情况的处理能力,适合应用于各种电源转换及高效能电子设备中。
    这款碳化硅二极管设计用于需要高性能和高效率的场合,具备10A的正向平均电流(IF)能力,能够承受高达650V的反向电压(VR),确保了在高压条件下的可靠运行。其正向电压(VF)仅为1.3V,有助于降低系统能耗。该二极管还具有低至50μA的反向漏电流(IR),减少了不必要的能量损失。最大浪涌电流(IFSM)可达80A,增强了对突发大电流情况的处理能力,适合应用于各种电源转换及高效能电子设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 800+ ¥11.6239
  • 2400+ ¥11.4302
  • 4000+ ¥11.1396
合计:¥9,299.12
标准包装数量:800

C6D30065H 未分类

  • 型号: C6D30065H
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅二极管拥有30A的正向平均电流(IF)和650V的反向电压(VR),适合高压应用。其正向电压(VF)低至1.3V,有助于降低系统功耗。反向漏电流(IR)为150μA,确保了良好的绝缘性能。此外,该二极管支持高达210A的非重复峰值浪涌电流(IFSM),增强了应对突发情况的能力。凭借优异的热稳定性和快速开关特性,适用于高效能电源转换器及逆变装置中,以实现更加紧凑和可靠的设计。
    这款碳化硅二极管拥有30A的正向平均电流(IF)和650V的反向电压(VR),适合高压应用。其正向电压(VF)低至1.3V,有助于降低系统功耗。反向漏电流(IR)为150μA,确保了良好的绝缘性能。此外,该二极管支持高达210A的非重复峰值浪涌电流(IFSM),增强了应对突发情况的能力。凭借优异的热稳定性和快速开关特性,适用于高效能电源转换器及逆变装置中,以实现更加紧凑和可靠的设计。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥40.4958
  • 90+ ¥39.8209
  • 150+ ¥38.8085
合计:¥2,429.75
标准包装数量:30

AIMW120R080M1XKSA1 未分类

  • 型号: AIMW120R080M1XKSA1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有出色的电气特性,其最大工作电流ID/A为36A,可承受的漏源电压VDSS/V为1200V。导通状态下,其RDSON/mΩ仅为80毫欧,有助于减少能量损耗。栅源电压VGS/V的规格为±20V,使得该组件能够在多种电路配置中实现稳定的性能。由于碳化硅材料固有的优势,这种MOSFET能够在高温和高频条件下工作,适用于高性能电力转换及逆变技术领域,为设计者提供了构建紧凑且高效的电力处理系统的可能性。
    这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有出色的电气特性,其最大工作电流ID/A为36A,可承受的漏源电压VDSS/V为1200V。导通状态下,其RDSON/mΩ仅为80毫欧,有助于减少能量损耗。栅源电压VGS/V的规格为±20V,使得该组件能够在多种电路配置中实现稳定的性能。由于碳化硅材料固有的优势,这种MOSFET能够在高温和高频条件下工作,适用于高性能电力转换及逆变技术领域,为设计者提供了构建紧凑且高效的电力处理系统的可能性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥29.0914
  • 90+ ¥28.6065
  • 150+ ¥27.8792
合计:¥1,745.48
标准包装数量:30

C3D40065D1 未分类

  • 型号: C3D40065D1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅二极管,电流达40A,电压为650V,压降1.3V。反向电流80uA,浪涌电流270A。适用于各类电子产品,具有高效整流性能。低压降可降低功耗,高浪涌电流能应对瞬间大电流冲击,确保电路稳定可靠运行。
    这款碳化硅二极管,电流达40A,电压为650V,压降1.3V。反向电流80uA,浪涌电流270A。适用于各类电子产品,具有高效整流性能。低压降可降低功耗,高浪涌电流能应对瞬间大电流冲击,确保电路稳定可靠运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥48
  • 90+ ¥47.2
  • 150+ ¥46
合计:¥2,880.00
标准包装数量:30

TW083Z65C 未分类

  • 型号: TW083Z65C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款碳化硅场效应管(MOSFET)属于N沟道类型,拥有29安培的连续漏极电流(ID)和650伏特的漏源击穿电压(VDSS),适合于高压环境下的应用。其导通电阻(RDON)低至60毫欧,有助于减少功率损耗,提高能效。栅源电压(VGS)为15伏特,确保了器件的稳定驱动。该MOSFET适用于各种需要高效能、低损耗的电力转换与控制系统,如电源供应器、逆变器等场合。
    此款碳化硅场效应管(MOSFET)属于N沟道类型,拥有29安培的连续漏极电流(ID)和650伏特的漏源击穿电压(VDSS),适合于高压环境下的应用。其导通电阻(RDON)低至60毫欧,有助于减少功率损耗,提高能效。栅源电压(VGS)为15伏特,确保了器件的稳定驱动。该MOSFET适用于各种需要高效能、低损耗的电力转换与控制系统,如电源供应器、逆变器等场合。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥48.595
  • 90+ ¥47.785
  • 150+ ¥46.5702
合计:¥2,915.70
标准包装数量:30

C2M0040120K 未分类

  • 型号: C2M0040120K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管具有78A的电流承载能力、1200V的耐压特性,内阻典型值为40mR。其VGS为18V,属于N型。适用于高效能电子系统,能够提升电源转换效率,降低热管理需求,适用于多种应用场景。
    这款碳化硅场效应管具有78A的电流承载能力、1200V的耐压特性,内阻典型值为40mR。其VGS为18V,属于N型。适用于高效能电子系统,能够提升电源转换效率,降低热管理需求,适用于多种应用场景。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥61.8
  • 90+ ¥60.77
  • 150+ ¥59.225
合计:¥3,708.00
标准包装数量:30

NTHL060N065SC1 未分类

  • 型号: NTHL060N065SC1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有49A的导通电流(ID),适用于处理较大负载的电路中。其漏源电压(VDSS)为650V,适合应用于高压环境中。导通状态下,该MOSFET的导通电阻(RDSON)仅为33毫欧,有助于减少能量损耗,提升系统的整体效率。栅源电压(VGS)范围从-5V至+20V,提供了灵活的驱动选择。该元件可广泛用于高性能电力转换装置,如高效的开关电源、电力调节模块等,以实现稳定的电力传输和转换功能。
    这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有49A的导通电流(ID),适用于处理较大负载的电路中。其漏源电压(VDSS)为650V,适合应用于高压环境中。导通状态下,该MOSFET的导通电阻(RDSON)仅为33毫欧,有助于减少能量损耗,提升系统的整体效率。栅源电压(VGS)范围从-5V至+20V,提供了灵活的驱动选择。该元件可广泛用于高性能电力转换装置,如高效的开关电源、电力调节模块等,以实现稳定的电力传输和转换功能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥26.5273
  • 90+ ¥26.0852
  • 150+ ¥25.422
合计:¥1,591.64
标准包装数量:30

C3M0075120D 未分类

  • 型号: C3M0075120D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管具有32A的电流承载能力,1200V的耐压特性,内阻典型值为75mR。其VGS为15V,属于N型。适用于高效能、高温环境下的应用,如数据中心、可再生能源转换及高精密控制系统。
    这款碳化硅场效应管具有32A的电流承载能力,1200V的耐压特性,内阻典型值为75mR。其VGS为15V,属于N型。适用于高效能、高温环境下的应用,如数据中心、可再生能源转换及高精密控制系统。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥27.36
  • 90+ ¥26.904
  • 150+ ¥26.22
合计:¥1,641.60
标准包装数量:30

TW140N120C,S1F 未分类

  • 型号: TW140N120C,S1F
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备17A的最大漏极电流(ID),并且能够承受高达1200V的漏源电压(VDSS),适合应用于需要高电压稳定性的电路设计中。其导通电阻(RDSON)为160毫欧,有助于减少能量损失。该器件的栅源电压(VGS)工作范围是-4V至+18V,提供了灵活的操作区间。凭借其出色的电气性能,此碳化硅MOSFET是实现高效电源转换及精密控制的理想选择,在多种电子设备中均能发挥关键作用。
    这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备17A的最大漏极电流(ID),并且能够承受高达1200V的漏源电压(VDSS),适合应用于需要高电压稳定性的电路设计中。其导通电阻(RDSON)为160毫欧,有助于减少能量损失。该器件的栅源电压(VGS)工作范围是-4V至+18V,提供了灵活的操作区间。凭借其出色的电气性能,此碳化硅MOSFET是实现高效电源转换及精密控制的理想选择,在多种电子设备中均能发挥关键作用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥24.6752
  • 90+ ¥24.264
  • 150+ ¥23.6471
合计:¥1,480.51
标准包装数量:30

IMW120R045M1XKSA1 未分类

  • 型号: IMW120R045M1XKSA1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 该碳化硅场效应管(MOSFET)是一款N沟道器件,具有出色的电气性能。其最大漏极电流ID为55A,能够承受高达1200V的漏源电压VDSS,确保了在高压应用中的可靠表现。低至40mΩ的导通电阻RDON有助于减少功率损耗,提高系统效率。此外,这款MOSFET的工作栅源电压VGS范围是18V,适用于需要高效能和高稳定性的电子设计场合。它结合了快速开关速度与坚固耐用的特点,非常适合于对性能有严格要求的领域。
    该碳化硅场效应管(MOSFET)是一款N沟道器件,具有出色的电气性能。其最大漏极电流ID为55A,能够承受高达1200V的漏源电压VDSS,确保了在高压应用中的可靠表现。低至40mΩ的导通电阻RDON有助于减少功率损耗,提高系统效率。此外,这款MOSFET的工作栅源电压VGS范围是18V,适用于需要高效能和高稳定性的电子设计场合。它结合了快速开关速度与坚固耐用的特点,非常适合于对性能有严格要求的领域。
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥56.574
  • 90+ ¥55.6311
  • 150+ ¥54.2168
合计:¥3,394.44
标准包装数量:30

HC1D16065H 未分类

  • 型号: HC1D16065H
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:300000
  • 起订量:60
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 30+ ¥19.8
  • 90+ ¥19.47
  • 150+ ¥18.975
合计:¥1,188.00
标准包装数量:30

SCT3160KLGC11 未分类

  • 型号: SCT3160KLGC11
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款碳化硅场效应管(MOSFET)属于N沟道类型,其最大工作电流ID为18A,可承受的最大漏源电压VDSS为1200V。导通电阻RDSON低至160毫欧,适用于需要高效能转换的应用中,能够在高达20V的栅源电压VGS下正常工作。这些特性使得该元件成为高频率开关电源设计中的理想选择,能够帮助实现更紧凑、高效的电路设计。
    这款碳化硅场效应管(MOSFET)属于N沟道类型,其最大工作电流ID为18A,可承受的最大漏源电压VDSS为1200V。导通电阻RDSON低至160毫欧,适用于需要高效能转换的应用中,能够在高达20V的栅源电压VGS下正常工作。这些特性使得该元件成为高频率开关电源设计中的理想选择,能够帮助实现更紧凑、高效的电路设计。
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