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P4SMA36CA 未分类

  • 型号: P4SMA36CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌危害设计,具备8.2A的电流承载能力和30.8V的工作电压。采用单通道Bi双向保护机制,确保设备稳定运行。适用于多种应用场景,有效维护系统安全。
    本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌危害设计,具备8.2A的电流承载能力和30.8V的工作电压。采用单通道Bi双向保护机制,确保设备稳定运行。适用于多种应用场景,有效维护系统安全。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.3864
  • 15000+ ¥0.38
  • 25000+ ¥0.3703
合计:¥1,932.00
标准包装数量:5000

ES3AF 未分类

  • 型号: ES3AF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款快恢复、高效率二极管设计用于高频开关应用,其最大整流电流IF可达3安培,在反向电压VR为50伏特的情况下,能够提供稳定的性能。正向电压降VF仅为1伏特,在待机模式下能有效降低功耗。该二极管的反向恢复电流IR在室温条件下不超过5微安,表明其具有良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流IFSM最高支持100安培,适用于需要承受短时大电流冲击的应用场合。此款二极管凭借其优异的电气特性,适合用于各种高性能电子设备中,以实现高效的能量转换与管理。
    这款快恢复、高效率二极管设计用于高频开关应用,其最大整流电流IF可达3安培,在反向电压VR为50伏特的情况下,能够提供稳定的性能。正向电压降VF仅为1伏特,在待机模式下能有效降低功耗。该二极管的反向恢复电流IR在室温条件下不超过5微安,表明其具有良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流IFSM最高支持100安培,适用于需要承受短时大电流冲击的应用场合。此款二极管凭借其优异的电气特性,适合用于各种高性能电子设备中,以实现高效的能量转换与管理。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1824
  • 9000+ ¥0.1794
  • 15000+ ¥0.1748
合计:¥547.20
标准包装数量:3000

P4SMA39A 未分类

  • 型号: P4SMA39A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备7.6A的电流承载能力和33.3V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚实的保护屏障。
    本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备7.6A的电流承载能力和33.3V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚实的保护屏障。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.426
  • 15000+ ¥0.4189
  • 25000+ ¥0.4083
合计:¥2,130.00
标准包装数量:5000

P4SMA75CA 未分类

  • 型号: P4SMA75CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌影响而设计,具备4A的电流承载能力和64.1V的工作电压。采用单通道Bi双向结构,确保高效能保护,适用于多种电子系统,为您的设备提供可靠的安全屏障。
    本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌影响而设计,具备4A的电流承载能力和64.1V的工作电压。采用单通道Bi双向结构,确保高效能保护,适用于多种电子系统,为您的设备提供可靠的安全屏障。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.3624
  • 15000+ ¥0.3564
  • 25000+ ¥0.3473
合计:¥1,812.00
标准包装数量:5000

US3DF 未分类

  • 型号: US3DF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款快恢复/高效率二极管具有3安培的最大正向电流(IF),能够承受最高达200伏特的反向电压(VR),确保了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向压降(VF)仅为1伏特,在大电流应用中能有效降低功耗,提升整体效率。同时,其反向漏电流(IR)控制在5微安,表明在反向偏置条件下具有良好的阻断性能。瞬态峰值电流(IFSM)达到100安培,意味着它可以在短时间内处理较大的电流波动,适用于需要快速开关特性的电路设计中,如高频开关电源等场合。
    这款快恢复/高效率二极管具有3安培的最大正向电流(IF),能够承受最高达200伏特的反向电压(VR),确保了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向压降(VF)仅为1伏特,在大电流应用中能有效降低功耗,提升整体效率。同时,其反向漏电流(IR)控制在5微安,表明在反向偏置条件下具有良好的阻断性能。瞬态峰值电流(IFSM)达到100安培,意味着它可以在短时间内处理较大的电流波动,适用于需要快速开关特性的电路设计中,如高频开关电源等场合。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1546
  • 9000+ ¥0.152
  • 15000+ ¥0.1481
合计:¥463.80
标准包装数量:3000

P4SMA150A 未分类

  • 型号: P4SMA150A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备2A的电流承载能力和128V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚实的安全保障。
    本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备2A的电流承载能力和128V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚实的安全保障。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.3576
  • 15000+ ¥0.3516
  • 25000+ ¥0.3427
合计:¥1,788.00
标准包装数量:5000

P6SMB39A 未分类

  • 型号: P6SMB39A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备11.3A的电流承载能力和33.3V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保电路安全稳定。适用于多种电子系统,为您的设备提供可靠的保护。
    本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备11.3A的电流承载能力和33.3V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保电路安全稳定。适用于多种电子系统,为您的设备提供可靠的保护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1812
  • 9000+ ¥0.1782
  • 15000+ ¥0.1737
合计:¥543.60
标准包装数量:3000

P4SMA11A 未分类

  • 型号: P4SMA11A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备26.3A的电流承载能力和9.4V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保高效能的同时提供稳定的保护。适用于多种电子系统,为您的设备安全运行提供有力保障。
    本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备26.3A的电流承载能力和9.4V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保高效能的同时提供稳定的保护。适用于多种电子系统,为您的设备安全运行提供有力保障。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.1524
  • 15000+ ¥0.1499
  • 25000+ ¥0.1461
合计:¥762.00
标准包装数量:5000

SMCJ210CA 未分类

  • 型号: SMCJ210CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌影响而设计,具备4.4A的电流承载能力和210V的电压耐受性。采用单通道Bi双向配置,确保系统安全稳定运行。适用于多种应用场景,为您的电子设备提供可靠的保护。
    本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌影响而设计,具备4.4A的电流承载能力和210V的电压耐受性。采用单通道Bi双向配置,确保系统安全稳定运行。适用于多种应用场景,为您的电子设备提供可靠的保护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.4716
  • 9000+ ¥0.4637
  • 15000+ ¥0.452
合计:¥1,414.80
标准包装数量:3000

US3JF 未分类

  • 型号: US3JF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款快恢复/高效率二极管具备3A的最大正向电流(IF),可承受高达600V的反向电压(VR),适合应用于需要高耐压特性的电路中。其正向压降(VF)为1.7V,在保证导通的同时减少了能量损耗。反向漏电流(IR)维持在5μA,展示出优异的隔离特性。瞬态峰值电流(IFSM)支持100A,能够应对短时间内的电流激增情况。此款二极管特别适用于要求快速开关响应及稳定性的电路设计,如高性能开关电源转换器等。
    这款快恢复/高效率二极管具备3A的最大正向电流(IF),可承受高达600V的反向电压(VR),适合应用于需要高耐压特性的电路中。其正向压降(VF)为1.7V,在保证导通的同时减少了能量损耗。反向漏电流(IR)维持在5μA,展示出优异的隔离特性。瞬态峰值电流(IFSM)支持100A,能够应对短时间内的电流激增情况。此款二极管特别适用于要求快速开关响应及稳定性的电路设计,如高性能开关电源转换器等。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1484
  • 9000+ ¥0.146
  • 15000+ ¥0.1423
合计:¥445.20
标准包装数量:3000

SS2200B 未分类

  • 型号: SS2200B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 肖特基二极管是一种高效的半导体元件,适用于高频信号处理。本产品具有2A的最大正向电流IF,能够在高达200V的反向电压VR下正常工作。其正向电压VF为0.95V,有效降低了能量损失。反向漏电流IR在室温条件下不超过300微安,显示出良好的阻断特性。此外,该二极管能承受50A的瞬时峰值电流IFSM,增强了在动态环境下的可靠性。凭借其快速的开关特性和低导通电压,这款肖特基二极管特别适合用于高频开关电源、整流电路以及消费电子产品中的保护电路。
    肖特基二极管是一种高效的半导体元件,适用于高频信号处理。本产品具有2A的最大正向电流IF,能够在高达200V的反向电压VR下正常工作。其正向电压VF为0.95V,有效降低了能量损失。反向漏电流IR在室温条件下不超过300微安,显示出良好的阻断特性。此外,该二极管能承受50A的瞬时峰值电流IFSM,增强了在动态环境下的可靠性。凭借其快速的开关特性和低导通电压,这款肖特基二极管特别适合用于高频开关电源、整流电路以及消费电子产品中的保护电路。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.17
  • 9000+ ¥0.1672
  • 15000+ ¥0.163
合计:¥510.00
标准包装数量:3000

SS510BF 未分类

  • 型号: SS510BF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款肖特基二极管具备5A的正向电流(IF/A)承载能力,以及高达100V的反向电压(VR/V)耐受性,适用于各种需要高可靠性的电路设计中。其正向电压降(VF/V)为0.85V,有助于减少工作期间的能量损失。反向漏电流(IR/uA)控制在20微安水平,确保在待机或无信号状态下的能耗较低。此外,该二极管能够承受最高达120A的瞬时峰值电流(IFSM/A),使其成为高频开关应用及需快速响应电流变化场景的理想选择。
    此款肖特基二极管具备5A的正向电流(IF/A)承载能力,以及高达100V的反向电压(VR/V)耐受性,适用于各种需要高可靠性的电路设计中。其正向电压降(VF/V)为0.85V,有助于减少工作期间的能量损失。反向漏电流(IR/uA)控制在20微安水平,确保在待机或无信号状态下的能耗较低。此外,该二极管能够承受最高达120A的瞬时峰值电流(IFSM/A),使其成为高频开关应用及需快速响应电流变化场景的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.1592
  • 15000+ ¥0.1566
  • 25000+ ¥0.1526
合计:¥796.00
标准包装数量:5000

1SMAF4740A 未分类

  • 型号: 1SMAF4740A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款稳压二极管设计精良,其最大整流电流IF为0.095安培,能够在电路中顺畅地处理电流。该元件的反向击穿电压VR为10伏特,适用于需要电压稳定的多种场合。正向电压VF为1.2伏特,有效降低了导通状态下的功耗。反向漏电流IR控制在10微安,保证了在无正向电流时的低能耗表现。额定功率PD为1瓦,适合在各类电子装置中作为电压稳定组件使用,确保电路系统的平稳运行。
    这款稳压二极管设计精良,其最大整流电流IF为0.095安培,能够在电路中顺畅地处理电流。该元件的反向击穿电压VR为10伏特,适用于需要电压稳定的多种场合。正向电压VF为1.2伏特,有效降低了导通状态下的功耗。反向漏电流IR控制在10微安,保证了在无正向电流时的低能耗表现。额定功率PD为1瓦,适合在各类电子装置中作为电压稳定组件使用,确保电路系统的平稳运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1432
  • 9000+ ¥0.1408
  • 15000+ ¥0.1372
合计:¥429.60
标准包装数量:3000

P6SMB9.1CA 未分类

  • 型号: P6SMB9.1CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌影响而设计。具有45.5A的电流承载能力和7.8V的工作电压,单通道Bi双向类型确保高效能保护。适用于多种电子系统,为您的设备提供可靠的安全屏障。
    本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌影响而设计。具有45.5A的电流承载能力和7.8V的工作电压,单通道Bi双向类型确保高效能保护。适用于多种电子系统,为您的设备提供可靠的安全屏障。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1776
  • 9000+ ¥0.1746
  • 15000+ ¥0.1702
合计:¥532.80
标准包装数量:3000

1SMAF4737A 未分类

  • 型号: 1SMAF4737A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款稳压二极管的最大正向电流(IF/A)为0.127安培,适用于需要精确电流控制的电路设计。其反向击穿电压(VR/V)为7.5伏特,能够在电路中提供有效的电压钳位作用。正向电压降(VF/V)为1.2伏特,这表示在正向导通状态下的电压损失较小。反向漏电流(IR/uA)为10微安,显示了在反向偏置状态下良好的绝缘性能。最大允许功耗(PD/W)为1瓦特,限制了其在电路中的最高使用功率。这些特性使其非常适合应用于需要电压稳定的电子设备中。
    这款稳压二极管的最大正向电流(IF/A)为0.127安培,适用于需要精确电流控制的电路设计。其反向击穿电压(VR/V)为7.5伏特,能够在电路中提供有效的电压钳位作用。正向电压降(VF/V)为1.2伏特,这表示在正向导通状态下的电压损失较小。反向漏电流(IR/uA)为10微安,显示了在反向偏置状态下良好的绝缘性能。最大允许功耗(PD/W)为1瓦特,限制了其在电路中的最高使用功率。这些特性使其非常适合应用于需要电压稳定的电子设备中。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1292
  • 9000+ ¥0.1271
  • 15000+ ¥0.1239
合计:¥387.60
标准包装数量:3000

1SMB5925B 未分类

  • 型号: 1SMB5925B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款稳压二极管具有以下特性:最大正向电流(IF)为0.15安培,反向击穿电压(VR)为10伏特,正向电压降(VF)为1.2伏特,在室温条件下反向漏电流(IR)不超过5微安,功率耗散能力(PD)达到0.55瓦。此元件适用于多种电路设计中的电压稳定作用,能够在保证效率的同时提供可靠的过载保护,适用于消费电子产品中对电源稳定性有要求的应用场景。
    这款稳压二极管具有以下特性:最大正向电流(IF)为0.15安培,反向击穿电压(VR)为10伏特,正向电压降(VF)为1.2伏特,在室温条件下反向漏电流(IR)不超过5微安,功率耗散能力(PD)达到0.55瓦。此元件适用于多种电路设计中的电压稳定作用,能够在保证效率的同时提供可靠的过载保护,适用于消费电子产品中对电源稳定性有要求的应用场景。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1532
  • 9000+ ¥0.1507
  • 15000+ ¥0.1469
合计:¥459.60
标准包装数量:3000

SZ1SMA6.0AT3G 未分类

  • 型号: SZ1SMA6.0AT3G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 该静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备38.8 IPP/A的峰值脉冲电流承受能力和6 VRWM/V的最大重复工作电压。作为一款单向保护装置,其设计目的是为单一线路提供防护,能够有效阻止单方向上的瞬态电压冲击。适用于需要精密保护的应用场合,如消费电子产品中的接口线路防护,确保数据传输的安全性,并延长连接器及其他电子组件的使用寿命。
    该静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备38.8 IPP/A的峰值脉冲电流承受能力和6 VRWM/V的最大重复工作电压。作为一款单向保护装置,其设计目的是为单一线路提供防护,能够有效阻止单方向上的瞬态电压冲击。适用于需要精密保护的应用场合,如消费电子产品中的接口线路防护,确保数据传输的安全性,并延长连接器及其他电子组件的使用寿命。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2000
  • 增   量:2000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2000+ ¥0.6935
  • 6000+ ¥0.6819
  • 10000+ ¥0.6646
合计:¥1,387.00
标准包装数量:2000

ES3ABF 未分类

  • 型号: ES3ABF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款快恢复/高效率二极管具有3A的正向电流(IF)和50V的反向电压(VR),适用于多种需要高效能转换的应用。其正向电压降(VF)仅为1V,在确保导通性能的同时减少了功耗。该二极管的反向恢复电流(IR)为5微安,表明其具有良好的阻断性能;瞬态正向浪涌电流(IFSM)可达100A,适合于处理短时电流峰值的情况。此元件适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要快速切换状态的电路设计中,能够提升系统的整体效率与可靠性。
    这款快恢复/高效率二极管具有3A的正向电流(IF)和50V的反向电压(VR),适用于多种需要高效能转换的应用。其正向电压降(VF)仅为1V,在确保导通性能的同时减少了功耗。该二极管的反向恢复电流(IR)为5微安,表明其具有良好的阻断性能;瞬态正向浪涌电流(IFSM)可达100A,适合于处理短时电流峰值的情况。此元件适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要快速切换状态的电路设计中,能够提升系统的整体效率与可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.1685
  • 15000+ ¥0.1657
  • 25000+ ¥0.1615
合计:¥842.50
标准包装数量:5000

SMAJ210A 未分类

  • 型号: SMAJ210A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备1.2A的电流承载能力和210V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统,为您的设备提供高效的保护方案。
    本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计,具备1.2A的电流承载能力和210V的工作电压。采用单通道Uni单向结构,确保稳定可靠的性能。适用于多种电子系统,为您的设备提供高效的保护方案。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.1308
  • 15000+ ¥0.1286
  • 25000+ ¥0.1254
合计:¥654.00
标准包装数量:5000

P4SMA400CA 未分类

  • 型号: P4SMA400CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌危害设计,具备0.75A的电流承载能力和342V的电压耐受性。采用单通道Bi双向结构,确保高效能保护。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚实的安全保障。
    本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌危害设计,具备0.75A的电流承载能力和342V的电压耐受性。采用单通道Bi双向结构,确保高效能保护。适用于多种电子系统,为您的设备提供坚实的安全保障。
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