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ZMM10 未分类

  • 型号: ZMM10
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款稳压二极管具有稳定的电压调节特性,其最大稳定电压(VR)为10V,正向电压降(VF)仅为1V,在确保电路稳定的同时,提供了较高的能效。该二极管的反向电流(IR)低至0.1微安,表明其在反向偏置状态下具有良好的阻断性能。此外,它能够处理的最大功率耗散(PD)为0.5瓦,适用于多种电子设备中的电压保护与调节,如消费电子产品中的电源管理模块或手持设备的小型电路设计中,有助于提升整体系统的可靠性。
    这款稳压二极管具有稳定的电压调节特性,其最大稳定电压(VR)为10V,正向电压降(VF)仅为1V,在确保电路稳定的同时,提供了较高的能效。该二极管的反向电流(IR)低至0.1微安,表明其在反向偏置状态下具有良好的阻断性能。此外,它能够处理的最大功率耗散(PD)为0.5瓦,适用于多种电子设备中的电压保护与调节,如消费电子产品中的电源管理模块或手持设备的小型电路设计中,有助于提升整体系统的可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.0448
  • 7500+ ¥0.044
  • 12500+ ¥0.0429
合计:¥112.00
标准包装数量:2500

DL5241B 未分类

  • 型号: DL5241B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款稳压二极管拥有IF为0.041安培的正向电流和VR为11伏特的反向击穿电压,能够为电路提供稳定的电压支持。其VF为1.1伏特,确保了较低的正向压降;IR仅为2微安的反向漏电流,体现出优秀的阻断性能。最大耗散功率PD达到0.5瓦特,适用于对空间和效能有较高要求的电子设备中,如家用电器、办公设备内的电源管理和保护电路,有助于提升产品的整体性能和可靠性。
    这款稳压二极管拥有IF为0.041安培的正向电流和VR为11伏特的反向击穿电压,能够为电路提供稳定的电压支持。其VF为1.1伏特,确保了较低的正向压降;IR仅为2微安的反向漏电流,体现出优秀的阻断性能。最大耗散功率PD达到0.5瓦特,适用于对空间和效能有较高要求的电子设备中,如家用电器、办公设备内的电源管理和保护电路,有助于提升产品的整体性能和可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.0401
  • 7500+ ¥0.0394
  • 12500+ ¥0.0384
合计:¥100.25
标准包装数量:2500

BC857BW 未分类

  • 型号: BC857BW
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款PNP型三极管具有稳定的电流放大特性,其电流增益(HFE)范围在220至475之间,能够提供出色的信号放大效果。该三极管的最大集电极-发射极电压(VCEO)可达45伏特,适用于多种电路设计中,确保了在不同工作条件下的可靠性。同时,它拥有高达100MHz的特征频率(FT),这意味着它在高频应用中同样表现出色,适合用于音频处理、信号调制与解调等场景。此外,其集电极最大允许电流(IC/A)为0.1安培,满足了低功耗设备的需求。这款三极管凭借其优良的电气性能和稳定性,是众多电子项目中的理想选择。
    这款PNP型三极管具有稳定的电流放大特性,其电流增益(HFE)范围在220至475之间,能够提供出色的信号放大效果。该三极管的最大集电极-发射极电压(VCEO)可达45伏特,适用于多种电路设计中,确保了在不同工作条件下的可靠性。同时,它拥有高达100MHz的特征频率(FT),这意味着它在高频应用中同样表现出色,适合用于音频处理、信号调制与解调等场景。此外,其集电极最大允许电流(IC/A)为0.1安培,满足了低功耗设备的需求。这款三极管凭借其优良的电气性能和稳定性,是众多电子项目中的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0682
  • 9000+ ¥0.067
  • 15000+ ¥0.0653
合计:¥204.60
标准包装数量:3000

RLZTE-1116B 未分类

  • 型号: RLZTE-1116B
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 该款稳压二极管的核心参数包括:额定稳压值(VR)为16V,正向电压降(VF)为1V,反向漏电流(IR)低至0.1微安,在工作条件下最大可承受的功耗(PD)为0.5瓦。这些特性使得它非常适合用于需要电压稳定的各种电子装置中,例如在消费类电子产品中作为电压基准或是在敏感电路中作为过压保护元件,以保障设备的正常运作及延长使用寿命。在任何需要精确电压控制的应用中,此二极管都能发挥关键作用。
    该款稳压二极管的核心参数包括:额定稳压值(VR)为16V,正向电压降(VF)为1V,反向漏电流(IR)低至0.1微安,在工作条件下最大可承受的功耗(PD)为0.5瓦。这些特性使得它非常适合用于需要电压稳定的各种电子装置中,例如在消费类电子产品中作为电压基准或是在敏感电路中作为过压保护元件,以保障设备的正常运作及延长使用寿命。在任何需要精确电压控制的应用中,此二极管都能发挥关键作用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.049
  • 7500+ ¥0.0481
  • 12500+ ¥0.0469
合计:¥122.50
标准包装数量:2500

LLDB3 未分类

  • 型号: LLDB3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款触发二极管具有稳定的32V击穿电压和200μA的击穿电流特性,可在电路中提供精确的触发点。其最大功耗为0.35W,适用于各种需要过电压保护或精密触发功能的场合。无论是用于家用电器中的电压检测,还是在通信设备中作为电压参考点,该二极管都能够确保电路的安全性和可靠性。
    这款触发二极管具有稳定的32V击穿电压和200μA的击穿电流特性,可在电路中提供精确的触发点。其最大功耗为0.35W,适用于各种需要过电压保护或精密触发功能的场合。无论是用于家用电器中的电压检测,还是在通信设备中作为电压参考点,该二极管都能够确保电路的安全性和可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.047
  • 7500+ ¥0.0463
  • 12500+ ¥0.0451
合计:¥117.50
标准包装数量:2500

FDLL4148 未分类

  • 型号: FDLL4148
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款开关二极管具有良好的电气特性,其正向电流(IF/A)额定值为0.2安培,适用于低电流应用。反向电压(VR/V)最高可达100伏特,适用于广泛的电压范围。该二极管的正向电压(VF/V)为1伏特,有效降低了导通时的能耗。反向漏电流(IR/uA)控制在5微安,体现了出色的绝缘性能。瞬态正向电流(IFSM/A)峰值可达0.5安培,适合于需要快速开关的应用,例如在消费电子产品中的信号检测与保护功能。
    这款开关二极管具有良好的电气特性,其正向电流(IF/A)额定值为0.2安培,适用于低电流应用。反向电压(VR/V)最高可达100伏特,适用于广泛的电压范围。该二极管的正向电压(VF/V)为1伏特,有效降低了导通时的能耗。反向漏电流(IR/uA)控制在5微安,体现了出色的绝缘性能。瞬态正向电流(IFSM/A)峰值可达0.5安培,适合于需要快速开关的应用,例如在消费电子产品中的信号检测与保护功能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.0528
  • 7500+ ¥0.0519
  • 12500+ ¥0.0506
合计:¥132.00
标准包装数量:2500

2SB624 未分类

  • 型号: 2SB624
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款三极管(BJT)采用PNP结构,其集电极-发射极击穿电压(VCEO)可达25V,适用于多种电路设计中的信号放大与开关控制。该型号的最大集电极电流(IC)为0.7A,能够满足大多数常规应用的需求。拥有100至400的电流增益(HFE),确保了其在小信号放大及功率驱动方面的高效性能。同时,高达160MHz的特征频率(FT)使其在高频电路中亦能保持良好的工作状态,适应于无线通讯、音频处理等领域的精密要求。本产品凭借其稳定的性能和广泛的适用性,成为电子设计者理想的选择。
    此款三极管(BJT)采用PNP结构,其集电极-发射极击穿电压(VCEO)可达25V,适用于多种电路设计中的信号放大与开关控制。该型号的最大集电极电流(IC)为0.7A,能够满足大多数常规应用的需求。拥有100至400的电流增益(HFE),确保了其在小信号放大及功率驱动方面的高效性能。同时,高达160MHz的特征频率(FT)使其在高频电路中亦能保持良好的工作状态,适应于无线通讯、音频处理等领域的精密要求。本产品凭借其稳定的性能和广泛的适用性,成为电子设计者理想的选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0574
  • 9000+ ¥0.0564
  • 15000+ ¥0.055
合计:¥172.20
标准包装数量:3000

BCX56,115 未分类

  • 型号: BCX56,115
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款NPN型三极管具有1A的集电极最大电流(IC)承载能力,以及最高80V的集电极-发射极击穿电压(VCEO)。其电流增益(HFE)范围在100至250之间,适合需要稳定电流放大的应用。该三极管还拥有130MHz的特征频率(FT),这使得它能够在高频电路中发挥良好性能,适用于诸如音频处理或无线通信设备中的信号放大等场合。综合其各项参数,此款三极管是设计高频响应电路的理想选择。
    这款NPN型三极管具有1A的集电极最大电流(IC)承载能力,以及最高80V的集电极-发射极击穿电压(VCEO)。其电流增益(HFE)范围在100至250之间,适合需要稳定电流放大的应用。该三极管还拥有130MHz的特征频率(FT),这使得它能够在高频电路中发挥良好性能,适用于诸如音频处理或无线通信设备中的信号放大等场合。综合其各项参数,此款三极管是设计高频响应电路的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥0.1859
  • 3000+ ¥0.1828
  • 5000+ ¥0.1781
合计:¥185.90
标准包装数量:1000

RT9013-12GB 未分类

  • 型号: RT9013-12GB
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款线性稳压器(LDO)提供了一个稳定的输出电压1.2V,能够在输入电压高达7V的情况下保持输出电压的精确度。该器件的最大输出电流为0.5A,能够满足各种便携式电子设备对于电源稳定性的需求。其静态电流消耗仅为0.075mA,有助于延长电池驱动设备的工作时间。此LDO适用于需要高效能电源管理的场合,如消费电子产品中的微控制器供电或传感器模块的电源供应,确保了系统运行的可靠性和效率。
    这款线性稳压器(LDO)提供了一个稳定的输出电压1.2V,能够在输入电压高达7V的情况下保持输出电压的精确度。该器件的最大输出电流为0.5A,能够满足各种便携式电子设备对于电源稳定性的需求。其静态电流消耗仅为0.075mA,有助于延长电池驱动设备的工作时间。此LDO适用于需要高效能电源管理的场合,如消费电子产品中的微控制器供电或传感器模块的电源供应,确保了系统运行的可靠性和效率。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1896
  • 9000+ ¥0.1864
  • 15000+ ¥0.1817
合计:¥568.80
标准包装数量:3000

AP2309GN 未分类

  • 型号: AP2309GN
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款P沟道MOSFET具备4.2A的连续漏极电流(ID)与30V的漏源极耐压(VDSS),确保了其在高功率密度应用中的稳定性能。该元件的导通电阻(RDON)仅为48mΩ,在12V栅源电压(VGS)下工作时,能有效减少热损耗,提高效率。适用于电源管理、电池保护及开关控制等电路设计,是实现高效、紧凑解决方案的理想选择。
    此款P沟道MOSFET具备4.2A的连续漏极电流(ID)与30V的漏源极耐压(VDSS),确保了其在高功率密度应用中的稳定性能。该元件的导通电阻(RDON)仅为48mΩ,在12V栅源电压(VGS)下工作时,能有效减少热损耗,提高效率。适用于电源管理、电池保护及开关控制等电路设计,是实现高效、紧凑解决方案的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.2042
  • 9000+ ¥0.2008
  • 15000+ ¥0.1957
合计:¥612.60
标准包装数量:3000

UCD32C03L01 未分类

  • 型号: UCD32C03L01
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,有一个通道。工作电压3.3V,可承受17A电流。结电容典型值为1pF,对电路影响极小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,有一个通道。工作电压3.3V,可承受17A电流。结电容典型值为1pF,对电路影响极小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.2016
  • 9000+ ¥0.1982
  • 15000+ ¥0.1932
合计:¥604.80
标准包装数量:3000

GG0402055R042P 未分类

  • 型号: GG0402055R042P
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压5V,可承受2.5A电流。结电容典型值为2.5pF,对电路干扰较小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道设计。工作电压5V,可承受2.5A电流。结电容典型值为2.5pF,对电路干扰较小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10000+ ¥0.2088
  • 30000+ ¥0.2053
  • 50000+ ¥0.2001
合计:¥2,088.00
标准包装数量:10000

ME2323D 未分类

  • 型号: ME2323D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这是一款P沟道场效应管(MOSFET),拥有4.2A的最大连续漏极电流和20V的漏源极耐压,适用于多种电子电路中的开关控制。该MOSFET在12V的栅源电压下工作时,导通电阻仅为48mΩ,有助于降低功耗,提升整体电路效率。其优异的性能使其成为电源管理、信号路径控制等应用中的理想选择,能够满足对电路性能有较高要求的设计需求。
    这是一款P沟道场效应管(MOSFET),拥有4.2A的最大连续漏极电流和20V的漏源极耐压,适用于多种电子电路中的开关控制。该MOSFET在12V的栅源电压下工作时,导通电阻仅为48mΩ,有助于降低功耗,提升整体电路效率。其优异的性能使其成为电源管理、信号路径控制等应用中的理想选择,能够满足对电路性能有较高要求的设计需求。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.2035
  • 9000+ ¥0.2001
  • 15000+ ¥0.195
合计:¥610.50
标准包装数量:3000

PSD12-LF-T7 未分类

  • 型号: PSD12-LF-T7
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件提供12A的电流承载能力及12V的工作电压,适用于需要单向保护的应用场景。其典型结电容为110pF,确保了良好的高频性能。该单通道设计适合于保护敏感电子设备免受瞬态电压尖峰的影响,如在消费电子产品中的数据线接口或通信端口。
    这款静电和浪涌保护器件提供12A的电流承载能力及12V的工作电压,适用于需要单向保护的应用场景。其典型结电容为110pF,确保了良好的高频性能。该单通道设计适合于保护敏感电子设备免受瞬态电压尖峰的影响,如在消费电子产品中的数据线接口或通信端口。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.192
  • 9000+ ¥0.1888
  • 15000+ ¥0.184
合计:¥576.00
标准包装数量:3000

SZSD05T1G 未分类

  • 型号: SZSD05T1G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件提供20A的电流承载能力与5V的工作电压,适用于需要单向保护的应用。其典型结电容为250pF,确保了良好的高频性能。具备单一通道设计,该元件能够在不干扰信号完整性的情况下,为敏感电子设备提供必要的防护。
    这款静电和浪涌保护器件提供20A的电流承载能力与5V的工作电压,适用于需要单向保护的应用。其典型结电容为250pF,确保了良好的高频性能。具备单一通道设计,该元件能够在不干扰信号完整性的情况下,为敏感电子设备提供必要的防护。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.186
  • 9000+ ¥0.1829
  • 15000+ ¥0.1783
合计:¥558.00
标准包装数量:3000

ZMY5.1G 未分类

  • 型号: ZMY5.1G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款稳压二极管具有稳定的电气特性,适用于多种电路设计。其正向电流IF为0.2A,反向工作电压VR达到5.1V,保证了在该电压下器件能够稳定工作;正向电压VF仅为1.2V,表明低电压降特性,有助于减少能量损失。反向漏电流IR控制在10μA以下,确保了良好的隔离性能。此外,最大功耗PD限制为1W,适合应用于要求效率与可靠性的场合。这些参数共同确保了它在消费电子及日常应用中的高效表现。
    这款稳压二极管具有稳定的电气特性,适用于多种电路设计。其正向电流IF为0.2A,反向工作电压VR达到5.1V,保证了在该电压下器件能够稳定工作;正向电压VF仅为1.2V,表明低电压降特性,有助于减少能量损失。反向漏电流IR控制在10μA以下,确保了良好的隔离性能。此外,最大功耗PD限制为1W,适合应用于要求效率与可靠性的场合。这些参数共同确保了它在消费电子及日常应用中的高效表现。
  • 库   存:300000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5000+ ¥0.1907
  • 15000+ ¥0.1875
  • 25000+ ¥0.1827
合计:¥953.50
标准包装数量:5000

BZT52-C20X 未分类

  • 型号: BZT52-C20X
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 该款稳压二极管具有20V的额定稳定电压(VR),可在电路中提供可靠的电压稳定作用。其最大正向电流(IF)为0.1A,适合用在需要限制电流的小型电子设备或精密仪器中。同时,该二极管的正向电压降(VF)仅为0.9V,有助于减少能量损耗。其功率耗散能力(PD)达到0.5W,能够在各种需要稳定电压源的场合中保持性能稳定,如在消费电子产品中的电源管理模块或信号线路的电压保护等方面发挥重要作用。
    该款稳压二极管具有20V的额定稳定电压(VR),可在电路中提供可靠的电压稳定作用。其最大正向电流(IF)为0.1A,适合用在需要限制电流的小型电子设备或精密仪器中。同时,该二极管的正向电压降(VF)仅为0.9V,有助于减少能量损耗。其功率耗散能力(PD)达到0.5W,能够在各种需要稳定电压源的场合中保持性能稳定,如在消费电子产品中的电源管理模块或信号线路的电压保护等方面发挥重要作用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1925
  • 9000+ ¥0.1893
  • 15000+ ¥0.1845
合计:¥577.50
标准包装数量:3000

SPD9105W-2/TR 未分类

  • 型号: SPD9105W-2/TR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向型,单个通道。工作电压5V,可承载4A电流。结电容仅1pF,对电路干扰小。适用于多种电子产品,能双向抵御静电和浪涌冲击,保障设备稳定运行,提升设备的可靠性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向型,单个通道。工作电压5V,可承载4A电流。结电容仅1pF,对电路干扰小。适用于多种电子产品,能双向抵御静电和浪涌冲击,保障设备稳定运行,提升设备的可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.192
  • 9000+ ¥0.1888
  • 15000+ ¥0.184
合计:¥576.00
标准包装数量:3000

SSM3K335R,LF 未分类

  • 型号: SSM3K335R,LF
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有5.8A的连续电流能力,能够承受最高30V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻(RDSON)为28毫欧,在导通状态下可以有效地降低功耗,减少能量损失。栅源电压(VGS)的最大值为12V,适合用于各种需要精确控制电流的场合。该MOSFET适用于消费电子领域,例如在适配器和充电器中的开关应用,或是作为电子设备内部的信号级驱动元件。
    这款N沟道场效应管(MOSFET)具有5.8A的连续电流能力,能够承受最高30V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻(RDSON)为28毫欧,在导通状态下可以有效地降低功耗,减少能量损失。栅源电压(VGS)的最大值为12V,适合用于各种需要精确控制电流的场合。该MOSFET适用于消费电子领域,例如在适配器和充电器中的开关应用,或是作为电子设备内部的信号级驱动元件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
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    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1994
  • 9000+ ¥0.1961
  • 15000+ ¥0.1911
合计:¥598.20
标准包装数量:3000

AP2P052N 未分类

  • 型号: AP2P052N
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款P沟道场效应管(MOSFET)拥有5A的连续漏极电流(ID/A)和20V的漏源击穿电压(VDSS/V),适合应用于各种精密控制和调节系统。其导通电阻为35mΩ(RDON/mR),有助于减少热耗散,提高整体效率。最大栅源电压为12V(VGS/V),保证了器件在不同工作条件下的稳定性和可靠性。该MOSFET特别适用于需要高效能和低功耗特性的电路设计,如电源管理、信号切换及保护电路等。
    此款P沟道场效应管(MOSFET)拥有5A的连续漏极电流(ID/A)和20V的漏源击穿电压(VDSS/V),适合应用于各种精密控制和调节系统。其导通电阻为35mΩ(RDON/mR),有助于减少热耗散,提高整体效率。最大栅源电压为12V(VGS/V),保证了器件在不同工作条件下的稳定性和可靠性。该MOSFET特别适用于需要高效能和低功耗特性的电路设计,如电源管理、信号切换及保护电路等。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.2024
  • 9000+ ¥0.1991
  • 9000+ ¥0.1991
合计:¥607.20
标准包装数量:3000
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