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HTL431AQDBZR 未分类

  • 型号: HTL431AQDBZR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款电压基准芯片提供了一个精准且稳定的参考电压源,其输出电流能力为0.1mA,输入电压范围宽广,从0V到18V均可正常工作。该芯片适用于需要精密电压基准的应用场合,如电池供电设备中的电源管理、便携式电子产品的校准电路以及消费电子产品中的信号调理电路等,能够确保系统在不同条件下的稳定性和可靠性。其紧凑的设计和高精度特性使其成为设计中不可或缺的一部分。
    这款电压基准芯片提供了一个精准且稳定的参考电压源,其输出电流能力为0.1mA,输入电压范围宽广,从0V到18V均可正常工作。该芯片适用于需要精密电压基准的应用场合,如电池供电设备中的电源管理、便携式电子产品的校准电路以及消费电子产品中的信号调理电路等,能够确保系统在不同条件下的稳定性和可靠性。其紧凑的设计和高精度特性使其成为设计中不可或缺的一部分。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.204
  • 9000+ ¥0.2006
  • 15000+ ¥0.1955
合计:¥612.00
标准包装数量:3000

HNCP114ASN280T1G 未分类

  • 型号: HNCP114ASN280T1G
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款线性稳压器(LDO)提供了一个高效的低压差解决方案,可在输入电压VI最高达6V的情况下,稳定输出2.8V电压,最大输出电流IO可达300mA,满足了便携式电子设备对于电源管理的需求。该LDO具有极低的静态电流IQ仅为0.07mA,有助于延长电池驱动设备的工作时间。适用于需要精密电压控制的应用,如消费电子中的微处理器供电,或其他敏感电路的电源供给,确保了系统运行的稳定性和可靠性。
    这款线性稳压器(LDO)提供了一个高效的低压差解决方案,可在输入电压VI最高达6V的情况下,稳定输出2.8V电压,最大输出电流IO可达300mA,满足了便携式电子设备对于电源管理的需求。该LDO具有极低的静态电流IQ仅为0.07mA,有助于延长电池驱动设备的工作时间。适用于需要精密电压控制的应用,如消费电子中的微处理器供电,或其他敏感电路的电源供给,确保了系统运行的稳定性和可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.264
  • 9000+ ¥0.2596
  • 15000+ ¥0.253
合计:¥792.00
标准包装数量:3000

HPESD12VL1BSLAZ 未分类

  • 型号: HPESD12VL1BSLAZ
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件属于双向TVS二极管类型,具备8A的IPP(峰值脉冲电流)承受能力,以及12V的VRWM(重复峰值反向电压)。其特征电容仅为6.5pF,适合要求严苛的高速数据接口保护。适用于单线保护的设计,能在不影响数据传输速率的前提下,为电子设备中的关键线路提供可靠的瞬态电压抑制与静电放电保护,确保设备在遭遇突发电压波动时仍能稳定运行。
    这款静电和浪涌保护器件属于双向TVS二极管类型,具备8A的IPP(峰值脉冲电流)承受能力,以及12V的VRWM(重复峰值反向电压)。其特征电容仅为6.5pF,适合要求严苛的高速数据接口保护。适用于单线保护的设计,能在不影响数据传输速率的前提下,为电子设备中的关键线路提供可靠的瞬态电压抑制与静电放电保护,确保设备在遭遇突发电压波动时仍能稳定运行。
  • 库   存:720000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 10000+ ¥0.2536
  • 30000+ ¥0.2493
  • 50000+ ¥0.243
合计:¥2,536.00
标准包装数量:10000

HSS26E352T 未分类

  • 型号: HSS26E352T
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款肖特基二极管具有2安培的最大正向电流(IF),并且能够承受最高60伏特的反向电压(VR)。其正向压降(VF)为0.7伏特,在反向偏置条件下,漏电流(IR)最大为500微安。此元件还设计有瞬间峰值电流(IFSM)承受能力,最高可达50安培。适用于需要高效能与可靠性的电路设计中,如在电源管理、电池充电控制及高速信号传输路径上的保护等方面。
    这款肖特基二极管具有2安培的最大正向电流(IF),并且能够承受最高60伏特的反向电压(VR)。其正向压降(VF)为0.7伏特,在反向偏置条件下,漏电流(IR)最大为500微安。此元件还设计有瞬间峰值电流(IFSM)承受能力,最高可达50安培。适用于需要高效能与可靠性的电路设计中,如在电源管理、电池充电控制及高速信号传输路径上的保护等方面。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.289
  • 9000+ ¥0.2841
  • 15000+ ¥0.2769
合计:¥867.00
标准包装数量:3000

HKRC860U 未分类

  • 型号: HKRC860U
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款数字晶体管采用NPN+NPN双晶体管配置,具有50V的集射极击穿电压(Vceo),支持最大100mA的集电极电流(Ic),以及150mW的功率耗散(Pd)。适用于构建紧凑型电子电路,在消费电子产品、家用电器等领域中作为开关或放大元件使用。其稳定的电气性能和高效的能量转换能力使其成为实现电路设计需求的理想选择。
    这款数字晶体管采用NPN+NPN双晶体管配置,具有50V的集射极击穿电压(Vceo),支持最大100mA的集电极电流(Ic),以及150mW的功率耗散(Pd)。适用于构建紧凑型电子电路,在消费电子产品、家用电器等领域中作为开关或放大元件使用。其稳定的电气性能和高效的能量转换能力使其成为实现电路设计需求的理想选择。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.2584
  • 9000+ ¥0.2541
  • 15000+ ¥0.2476
合计:¥775.20
标准包装数量:3000

ESD12CA 未分类

  • 型号: ESD12CA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)专为电路提供瞬态电压抑制,具有22A的峰值脉冲电流承载能力(IPP),能够在遭遇高能量冲击时保护敏感电子组件。其最大反向工作电压(VRWM)设定在12V,适用于需要稳定低电压保护的应用场景。该元件配备80pF的结电容(CJ),虽然相对较高,但依然能在不影响信号完整性的情况下提供必要的保护,并保持较快的响应速度。作为单向(TYPE:Uni单向)双通道(LINE:2通道)设计,它特别适合用于需要方向性保护的数据或信号线路中,确保单一方向的电流流动安全无虞。适用于多种消费类电子产品中,以防止静电放电和瞬变过电压对设备造成损害。
    此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)专为电路提供瞬态电压抑制,具有22A的峰值脉冲电流承载能力(IPP),能够在遭遇高能量冲击时保护敏感电子组件。其最大反向工作电压(VRWM)设定在12V,适用于需要稳定低电压保护的应用场景。该元件配备80pF的结电容(CJ),虽然相对较高,但依然能在不影响信号完整性的情况下提供必要的保护,并保持较快的响应速度。作为单向(TYPE:Uni单向)双通道(LINE:2通道)设计,它特别适合用于需要方向性保护的数据或信号线路中,确保单一方向的电流流动安全无虞。适用于多种消费类电子产品中,以防止静电放电和瞬变过电压对设备造成损害。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.2244
  • 9000+ ¥0.2207
  • 15000+ ¥0.2151
合计:¥673.20
标准包装数量:3000

HABS21013 未分类

  • 型号: HABS21013
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 该整流桥支持高达1000V的电压和2A的电流,具有1000mV(即1.0V)的正向压降。其设计适用于需要高效且稳定电源转换的应用环境,能够有效地将交流电转换为直流电,同时保持较低的能量损失。此产品非常适合于家用电器、办公设备以及各种消费电子产品中,作为实现电力转换的关键部件使用。
    该整流桥支持高达1000V的电压和2A的电流,具有1000mV(即1.0V)的正向压降。其设计适用于需要高效且稳定电源转换的应用环境,能够有效地将交流电转换为直流电,同时保持较低的能量损失。此产品非常适合于家用电器、办公设备以及各种消费电子产品中,作为实现电力转换的关键部件使用。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.228
  • 15000+ ¥0.2242
  • 25000+ ¥0.2185
合计:¥1,140.00
标准包装数量:5000

MC33063ADR 未分类

  • 型号: MC33063ADR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款DC-DC电源芯片兼具升压和降压功能类型。输入电压范围为3V至40V,较宽的输入范围使其适用性增强。输出类型可调,输出电压在1.25V至40V之间,可满足不同电子产品对电源的多样化需求。适用于各类电子产品的电源管理。
    这款DC-DC电源芯片兼具升压和降压功能类型。输入电压范围为3V至40V,较宽的输入范围使其适用性增强。输出类型可调,输出电压在1.25V至40V之间,可满足不同电子产品对电源的多样化需求。适用于各类电子产品的电源管理。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.72
  • 9000+ ¥0.708
  • 15000+ ¥0.69
合计:¥2,160.00
标准包装数量:3000

XL1509-5.0 未分类

  • 型号: XL1509-5.0
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款DC-DC降压型电源芯片支持宽范围输入电压(4.5V至40V),可稳定提供5.0V输出电压,并能承载高达3A的输出电流。适用于需要高效、紧凑电源解决方案的应用场景,如消费电子产品、手持设备及电池供电装置等。其高效率有助于延长设备工作时间,减少能耗。
    这款DC-DC降压型电源芯片支持宽范围输入电压(4.5V至40V),可稳定提供5.0V输出电压,并能承载高达3A的输出电流。适用于需要高效、紧凑电源解决方案的应用场景,如消费电子产品、手持设备及电池供电装置等。其高效率有助于延长设备工作时间,减少能耗。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.696
  • 9000+ ¥0.6844
  • 15000+ ¥0.667
合计:¥2,088.00
标准包装数量:3000

HSMCJ36AHE3 未分类

  • 型号: HSMCJ36AHE3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款单向静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具有25.9安培的IPP/A峰值脉冲电流处理能力和36伏特的VRWM/V工作电压,适用于单线保护场景。它能在出现瞬态高压或静电放电时,迅速响应并箝位电压,防止潜在损害,适合用于需要稳定电压保护的电子设备中,保障数据传输线路及其他易损接口的安全。
    这款单向静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具有25.9安培的IPP/A峰值脉冲电流处理能力和36伏特的VRWM/V工作电压,适用于单线保护场景。它能在出现瞬态高压或静电放电时,迅速响应并箝位电压,防止潜在损害,适合用于需要稳定电压保护的电子设备中,保障数据传输线路及其他易损接口的安全。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.7159
  • 9000+ ¥0.704
  • 15000+ ¥0.6861
合计:¥2,147.70
标准包装数量:3000

HTPSMB45AVR 未分类

  • 型号: HTPSMB45AVR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为单向类型,其IPP(峰值脉冲电流)达到8.3安培,VRWM(重复性峰值反向电压)为45伏特。适用于单线路上的瞬态电压抑制,可以有效地吸收并消减因电力供应或信号传输过程中产生的突波能量。此元件适合用于家庭电器或个人电子产品的保护电路中,为内部电子组件提供安全屏障,防止因过压而引起的损坏,保障设备的可靠性和使用寿命。
    这款静电和浪涌保护器件为单向类型,其IPP(峰值脉冲电流)达到8.3安培,VRWM(重复性峰值反向电压)为45伏特。适用于单线路上的瞬态电压抑制,可以有效地吸收并消减因电力供应或信号传输过程中产生的突波能量。此元件适合用于家庭电器或个人电子产品的保护电路中,为内部电子组件提供安全屏障,防止因过压而引起的损坏,保障设备的可靠性和使用寿命。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.3146
  • 9000+ ¥0.3094
  • 15000+ ¥0.3015
合计:¥943.80
标准包装数量:3000

HSIRA18BDP 未分类

  • 型号: HSIRA18BDP
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流承载能力和30V的最大漏源电压,其导通电阻仅为6mΩ,有效降低了电力传输过程中的能量损耗。支持高达±20V的栅源电压,保证了广泛的工作条件适应性。适用于各种电源转换、信号放大以及电子开关应用,如笔记本电脑充电器、家用电器控制器等,能够提供高效的电能管理和稳定的性能表现。
    这款N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流承载能力和30V的最大漏源电压,其导通电阻仅为6mΩ,有效降低了电力传输过程中的能量损耗。支持高达±20V的栅源电压,保证了广泛的工作条件适应性。适用于各种电源转换、信号放大以及电子开关应用,如笔记本电脑充电器、家用电器控制器等,能够提供高效的电能管理和稳定的性能表现。
  • 库   存:720000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 5000+ ¥0.7126
  • 15000+ ¥0.7007
  • 25000+ ¥0.6829
合计:¥3,563.00
标准包装数量:5000

HKMB3D5N40SA 未分类

  • 型号: HKMB3D5N40SA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道场效应晶体管(MOSFET)具备5A的连续漏极电流能力,支持高达40V的漏源电压。其低至30mΩ的导通电阻有助于减少功率损耗和发热。栅源电压范围为20V,保证了良好的驱动兼容性。适用于要求高效能、紧凑设计的各种电子电路中,如电源管理、负载开关及信号控制等场景,能够满足对空间和效率有较高要求的应用场合。
    这款N沟道场效应晶体管(MOSFET)具备5A的连续漏极电流能力,支持高达40V的漏源电压。其低至30mΩ的导通电阻有助于减少功率损耗和发热。栅源电压范围为20V,保证了良好的驱动兼容性。适用于要求高效能、紧凑设计的各种电子电路中,如电源管理、负载开关及信号控制等场景,能够满足对空间和效率有较高要求的应用场合。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.6101
  • 9000+ ¥0.5999
  • 15000+ ¥0.5847
合计:¥1,830.30
标准包装数量:3000

HBSD235CH6327 未分类

  • 型号: HBSD235CH6327
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 该款场效应管(MOSFET)属于N沟道类型,具有0.8A的最大漏极电流(ID),可在高达20V的漏源电压(VDSS)环境下正常运作。其导通状态下的漏源电阻(RDSON)低至0.32Ω(320毫欧),适用于要求效率与精度的应用场景。在栅源电压(VGS)不超过±12V的情况下,此MOSFET可以作为电子开关或放大器,在各种消费电子产品中实现精准的电流控制及电源管理功能。其特性使得它非常适合用于电池供电设备及对尺寸和能耗有严格要求的小型装置中。
    该款场效应管(MOSFET)属于N沟道类型,具有0.8A的最大漏极电流(ID),可在高达20V的漏源电压(VDSS)环境下正常运作。其导通状态下的漏源电阻(RDSON)低至0.32Ω(320毫欧),适用于要求效率与精度的应用场景。在栅源电压(VGS)不超过±12V的情况下,此MOSFET可以作为电子开关或放大器,在各种消费电子产品中实现精准的电流控制及电源管理功能。其特性使得它非常适合用于电池供电设备及对尺寸和能耗有严格要求的小型装置中。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.6149
  • 9000+ ¥0.6046
  • 15000+ ¥0.5893
合计:¥1,844.70
标准包装数量:3000

HSUD20N1066L 未分类

  • 型号: HSUD20N1066L
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有20A的最大工作电流(ID),能够承受高达100V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻(RDSON)为80毫欧,适合在栅源电压(VGS)不超过20V的应用环境中工作。凭借这些特性,此MOSFET适用于多种电子设备中的电源路径控制,如家用电器内部的电源管理系统、电池供电装置的负载开关,以及通信设备中的电压转换电路,能够有效提升系统的整体效率并减少能量损失。
    这款N沟道场效应管(MOSFET)具有20A的最大工作电流(ID),能够承受高达100V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻(RDSON)为80毫欧,适合在栅源电压(VGS)不超过20V的应用环境中工作。凭借这些特性,此MOSFET适用于多种电子设备中的电源路径控制,如家用电器内部的电源管理系统、电池供电装置的负载开关,以及通信设备中的电压转换电路,能够有效提升系统的整体效率并减少能量损失。
  • 库   存:720000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 2500+ ¥0.6247
  • 7500+ ¥0.6143
  • 12500+ ¥0.5987
合计:¥1,561.75
标准包装数量:2500

CESD323LC8VB-M 未分类

  • 型号: CESD323LC8VB-M
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款静电和浪涌保护器件,设计用于精密电子设备的保护,具备18A的峰值脉冲电流承载能力IPP,确保在遭遇瞬时高电流冲击时仍能稳定工作。其反向工作电压VRWM为8V,适用于需维持信号完整性的低电压应用场景。该器件拥有极低的1皮法拉(pF)电容CJ,对信号的干扰降至最低,特别适合高速数据线或敏感电路的保护。作为单通道双向TYPE:Bi保护元件,它能够有效抵御正负双向的瞬态过电压,保障连接设备的安全。
    此款静电和浪涌保护器件,设计用于精密电子设备的保护,具备18A的峰值脉冲电流承载能力IPP,确保在遭遇瞬时高电流冲击时仍能稳定工作。其反向工作电压VRWM为8V,适用于需维持信号完整性的低电压应用场景。该器件拥有极低的1皮法拉(pF)电容CJ,对信号的干扰降至最低,特别适合高速数据线或敏感电路的保护。作为单通道双向TYPE:Bi保护元件,它能够有效抵御正负双向的瞬态过电压,保障连接设备的安全。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.3084
  • 9000+ ¥0.3033
  • 15000+ ¥0.2956
合计:¥925.20
标准包装数量:3000

HMSMBJ6.5A 未分类

  • 型号: HMSMBJ6.5A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 该静电和浪涌保护器件为单向TVS/ESD保护二极管,具有53.6安培的IPP/A峰值脉冲电流和6.5伏特的VRWM/V工作电压。适用于单线路上的瞬态电压抑制,能够有效防止因静电放电或突波电压引起的损害。其紧凑的设计使其成为便携式电子设备中敏感电路的理想选择,能够在不影响系统性能的情况下提供可靠的保护。
    该静电和浪涌保护器件为单向TVS/ESD保护二极管,具有53.6安培的IPP/A峰值脉冲电流和6.5伏特的VRWM/V工作电压。适用于单线路上的瞬态电压抑制,能够有效防止因静电放电或突波电压引起的损害。其紧凑的设计使其成为便携式电子设备中敏感电路的理想选择,能够在不影响系统性能的情况下提供可靠的保护。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.6564
  • 9000+ ¥0.6455
  • 15000+ ¥0.6291
合计:¥1,969.20
标准包装数量:3000

HUSBLC64SC6Y 未分类

  • 型号: HUSBLC64SC6Y
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备4安培的IPP峰值脉冲电流承受能力及5伏特的VRWM最大重复工作电压。其0.5皮法的结电容(CJ)确保了对高速数据线的兼容性,减少了对信号完整性的影响。此装置支持四线(LINE:4)保护,并采用单向(Uni)设计,使其成为敏感电子设备接口的理想选择,能够在不影响性能的前提下提供有效的瞬态电压抑制。
    这款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备4安培的IPP峰值脉冲电流承受能力及5伏特的VRWM最大重复工作电压。其0.5皮法的结电容(CJ)确保了对高速数据线的兼容性,减少了对信号完整性的影响。此装置支持四线(LINE:4)保护,并采用单向(Uni)设计,使其成为敏感电子设备接口的理想选择,能够在不影响性能的前提下提供有效的瞬态电压抑制。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.6328
  • 9000+ ¥0.6222
  • 15000+ ¥0.6064
合计:¥1,898.40
标准包装数量:3000

HSD103AWSE308 未分类

  • 型号: HSD103AWSE308
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款肖特基二极管的正向电流(IF)为0.35安培,反向电压(VR)可达40伏特,正向电压降(VF)为0.6伏特。其反向漏电流(IR)控制在5微安以下,瞬时峰值电流(IFSM)为2安培。这些特性使其非常适合应用于需要高效能和低损耗的电子设备中,比如作为保护元件或在便携式设备的电源电路中提供稳定性能。
    这款肖特基二极管的正向电流(IF)为0.35安培,反向电压(VR)可达40伏特,正向电压降(VF)为0.6伏特。其反向漏电流(IR)控制在5微安以下,瞬时峰值电流(IFSM)为2安培。这些特性使其非常适合应用于需要高效能和低损耗的电子设备中,比如作为保护元件或在便携式设备的电源电路中提供稳定性能。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.3152
  • 9000+ ¥0.31
  • 15000+ ¥0.3021
合计:¥945.60
标准包装数量:3000

HSI2308DS 未分类

  • 型号: HSI2308DS
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道MOSFET支持3A的连续漏极电流,能够承受最高达60V的漏源电压。其导通电阻为72毫欧姆,保证了良好的电流传输效率。栅源电压范围为20V,适用于多种电子设备中的开关控制、电源管理和保护电路等应用场合。该MOSFET以其紧凑的设计和可靠的性能,成为消费电子产品及日常家用电器设计中的优选元件。
    这款N沟道MOSFET支持3A的连续漏极电流,能够承受最高达60V的漏源电压。其导通电阻为72毫欧姆,保证了良好的电流传输效率。栅源电压范围为20V,适用于多种电子设备中的开关控制、电源管理和保护电路等应用场合。该MOSFET以其紧凑的设计和可靠的性能,成为消费电子产品及日常家用电器设计中的优选元件。
  • 库   存:720000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 3000+ ¥0.6377
  • 9000+ ¥0.6271
  • 9000+ ¥0.6271
合计:¥1,913.10
标准包装数量:3000
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