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FMMT591TA 未分类

  • 型号: FMMT591TA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款PNP型三极管(BJT)设计紧凑,具有1A的最大集电极电流IC,适用于多种电子线路中作为开关或放大元件。它能承受高达60V的集电极-发射极电压VCEO,适用于需要较高耐压的应用环境。该三极管提供介于100到300之间的HFE值,表明其具有良好的电流增益性能。同时,150MHz的特征频率FT意味着它适合用于高频操作场景,如消费电子产品中的调制解调电路或无线通讯装置内的信号处理部分。
    此款PNP型三极管(BJT)设计紧凑,具有1A的最大集电极电流IC,适用于多种电子线路中作为开关或放大元件。它能承受高达60V的集电极-发射极电压VCEO,适用于需要较高耐压的应用环境。该三极管提供介于100到300之间的HFE值,表明其具有良好的电流增益性能。同时,150MHz的特征频率FT意味着它适合用于高频操作场景,如消费电子产品中的调制解调电路或无线通讯装置内的信号处理部分。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.3787
  • 9000+ ¥0.3724
  • 15000+ ¥0.3629
合计:¥1,136.10
标准包装数量:3000

FMMT718TA 未分类

  • 型号: FMMT718TA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款PNP型三极管(BJT)设计紧凑,集电极最大允许电流IC为1.5A,最高工作电压VCEO可达20V。其电流增益HFE范围广泛,介于300到600之间,确保了在不同负载条件下的稳定性能。此外,该器件拥有高达150MHz的特征频率FT,使其成为高频应用的理想选择。此三极管适用于各类电子设备中的信号调节与高速开关电路,能够在要求快速响应的应用中发挥出色作用。
    这款PNP型三极管(BJT)设计紧凑,集电极最大允许电流IC为1.5A,最高工作电压VCEO可达20V。其电流增益HFE范围广泛,介于300到600之间,确保了在不同负载条件下的稳定性能。此外,该器件拥有高达150MHz的特征频率FT,使其成为高频应用的理想选择。此三极管适用于各类电子设备中的信号调节与高速开关电路,能够在要求快速响应的应用中发挥出色作用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.3971
  • 9000+ ¥0.3905
  • 15000+ ¥0.3805
合计:¥1,191.30
标准包装数量:3000

LM2902DR 未分类

  • 型号: LM2902DR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款运算放大器为四路设计。增益带宽积达1.2MHz,在一定频率范围内性能良好。输入偏置电流为20nA,相对较低。压摆率0.5V/us。适用于各类电子产品的信号处理,可同时对多路信号进行稳定放大与准确传输。
    这款运算放大器为四路设计。增益带宽积达1.2MHz,在一定频率范围内性能良好。输入偏置电流为20nA,相对较低。压摆率0.5V/us。适用于各类电子产品的信号处理,可同时对多路信号进行稳定放大与准确传输。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.379
  • 7500+ ¥0.3726
  • 12500+ ¥0.3632
合计:¥947.50
标准包装数量:2500

AH469SU 未分类

  • 型号: AH469SU
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款微功耗霍尔开关支持2.5V至5.5V的工作电压范围,并具有-0.3V反向保护电压。它在25GS时触发,在-25GS时释放,确保了精确的磁场感应性能。该器件可在-40至85℃的温度范围内稳定工作,适用于各种非接触式位置检测场合,例如家用电器中的门控检测或消费电子产品的开关控制。
    这款微功耗霍尔开关支持2.5V至5.5V的工作电压范围,并具有-0.3V反向保护电压。它在25GS时触发,在-25GS时释放,确保了精确的磁场感应性能。该器件可在-40至85℃的温度范围内稳定工作,适用于各种非接触式位置检测场合,例如家用电器中的门控检测或消费电子产品的开关控制。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.42
  • 9000+ ¥0.413
  • 15000+ ¥0.4025
合计:¥1,260.00
标准包装数量:3000

AP4A025M 未分类

  • 型号: AP4A025M
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款N沟道增强型场效应管(MOSFET)具有出色的电气性能,最大漏极电流ID可达12A,最高漏源电压VDSS为40V,导通电阻RDON低至16mΩ,在VGS为20V时表现尤为突出。该MOSFET适用于多种电路设计,如电源管理、信号切换及频率转换等场合,能够提供高效能与高可靠性的解决方案。其紧凑的设计和卓越的热稳定性使其成为精密电子设备的理想选择。
    此款N沟道增强型场效应管(MOSFET)具有出色的电气性能,最大漏极电流ID可达12A,最高漏源电压VDSS为40V,导通电阻RDON低至16mΩ,在VGS为20V时表现尤为突出。该MOSFET适用于多种电路设计,如电源管理、信号切换及频率转换等场合,能够提供高效能与高可靠性的解决方案。其紧凑的设计和卓越的热稳定性使其成为精密电子设备的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.4369
  • 9000+ ¥0.4296
  • 15000+ ¥0.4187
合计:¥1,310.70
标准包装数量:3000

AH402FUA 未分类

  • 型号: AH402FUA
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款双极锁存霍尔开关支持3.0V至60V的工作电压范围,并具备-0.3V的反向保护电压。磁工作点为25GS,磁释放点为-25GS,确保了精准的磁感应响应。工作温度范围宽广,从-40℃到150℃,适应多种环境条件。适用于传感器、磁性开关检测及非接触式位置感应等应用,提供准确可靠的磁感应控制功能。
    此款双极锁存霍尔开关支持3.0V至60V的工作电压范围,并具备-0.3V的反向保护电压。磁工作点为25GS,磁释放点为-25GS,确保了精准的磁感应响应。工作温度范围宽广,从-40℃到150℃,适应多种环境条件。适用于传感器、磁性开关检测及非接触式位置感应等应用,提供准确可靠的磁感应控制功能。
  • 库   存:300000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1000+ ¥0.426
  • 3000+ ¥0.4189
  • 5000+ ¥0.4083
合计:¥426.00
标准包装数量:1000

HD6954 未分类

  • 型号: HD6954
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N型场效应管具有30A的电流承载能力,60V的电压耐受性,内阻典型值为22mΩ,适用于射频和通信领域,例如射频放大器、混频器等。其20V的栅源电压使得它在低功耗设计中表现出色。
    这款N型场效应管具有30A的电流承载能力,60V的电压耐受性,内阻典型值为22mΩ,适用于射频和通信领域,例如射频放大器、混频器等。其20V的栅源电压使得它在低功耗设计中表现出色。
  • 库   存:300000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 2500+ ¥0.495
  • 7500+ ¥0.4868
  • 12500+ ¥0.4744
合计:¥1,237.50
标准包装数量:2500

PESDLC2FD3V3BH 未分类

  • 型号: PESDLC2FD3V3BH
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,有一个通道。工作电压3.3V,可承受4A电流。结电容典型值为0.3pF,对电路干扰极小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,有一个通道。工作电压3.3V,可承受4A电流。结电容典型值为0.3pF,对电路干扰极小。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,保障设备稳定运行,提升设备安全性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10000+ ¥0.1188
  • 30000+ ¥0.1168
  • 50000+ ¥0.1139
合计:¥1,188.00
标准包装数量:10000

MMDT4401 未分类

  • 型号: MMDT4401
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 该三极管(BJT)型号采用NPN+NPN结构设计,具有出色的电流放大性能,其电流增益(HFE)范围为100至300,能够满足各种电路对信号放大的需求。该元件的最大集电极-发射极电压(VCEO)为40V,确保了在不同工作环境下的稳定表现。同时,它拥有高达250MHz的特征频率(FT),意味着该三极管适用于高频信号处理场合,如无线通信设备、音频放大器等。此外,其集电极最大允许电流(IC/A)为0.6A,适合用于需要精确控制电流的应用中。此三极管凭借其优良的电气特性和可靠性,成为众多电子项目中的理想选择。
    该三极管(BJT)型号采用NPN+NPN结构设计,具有出色的电流放大性能,其电流增益(HFE)范围为100至300,能够满足各种电路对信号放大的需求。该元件的最大集电极-发射极电压(VCEO)为40V,确保了在不同工作环境下的稳定表现。同时,它拥有高达250MHz的特征频率(FT),意味着该三极管适用于高频信号处理场合,如无线通信设备、音频放大器等。此外,其集电极最大允许电流(IC/A)为0.6A,适合用于需要精确控制电流的应用中。此三极管凭借其优良的电气特性和可靠性,成为众多电子项目中的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1349
  • 9000+ ¥0.1326
  • 15000+ ¥0.1293
合计:¥404.70
标准包装数量:3000

PESDAWC363T5VUD 未分类

  • 型号: PESDAWC363T5VUD
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别,具有4A的峰值脉冲电流(IPP)能力,工作电压(VRWM)为5V,能够有效抵御瞬态过压冲击。其结电容(CJ)仅为0.6pF,非常适合对信号质量要求高的场合。该产品支持四线路单向(Uni)保护配置,适用于各类电子装置中,以防止因静电放电或突发性电压波动导致的潜在损害,确保电路稳定可靠运行。
    这款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别,具有4A的峰值脉冲电流(IPP)能力,工作电压(VRWM)为5V,能够有效抵御瞬态过压冲击。其结电容(CJ)仅为0.6pF,非常适合对信号质量要求高的场合。该产品支持四线路单向(Uni)保护配置,适用于各类电子装置中,以防止因静电放电或突发性电压波动导致的潜在损害,确保电路稳定可靠运行。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1282
  • 9000+ ¥0.126
  • 15000+ ¥0.1228
合计:¥384.60
标准包装数量:3000

PJSD15W_R1 未分类

  • 型号: PJSD15W_R1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此静电和浪涌保护器具有9A电流容量与15V电压额定值,采用单向保护设计。其80pF的典型结电容确保了信号的清晰传输。作为一款单通道保护元件,它能够有效抵御瞬态电压和静电放电带来的冲击,适用于各类非工业、非汽车领域中需要精准保护的应用。
    此静电和浪涌保护器具有9A电流容量与15V电压额定值,采用单向保护设计。其80pF的典型结电容确保了信号的清晰传输。作为一款单通道保护元件,它能够有效抵御瞬态电压和静电放电带来的冲击,适用于各类非工业、非汽车领域中需要精准保护的应用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1356
  • 9000+ ¥0.1333
  • 15000+ ¥0.13
合计:¥406.80
标准包装数量:3000

PESDNC23T5VB 未分类

  • 型号: PESDNC23T5VB
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件提供8A的电流处理能力,在5V电压下工作。它拥有90pF的典型结电容,适合于高速信号线的保护应用。采用双向(Bi)设计,确保双向线路得到均衡保护。该器件具备双通道配置,可以同时保护两条线路不受瞬态电压的影响。适用于诸如音频接口、数据传输端口等消费电子产品的接口保护,确保设备在遭遇突发电压波动时的安全性和稳定性。
    这款静电和浪涌保护器件提供8A的电流处理能力,在5V电压下工作。它拥有90pF的典型结电容,适合于高速信号线的保护应用。采用双向(Bi)设计,确保双向线路得到均衡保护。该器件具备双通道配置,可以同时保护两条线路不受瞬态电压的影响。适用于诸如音频接口、数据传输端口等消费电子产品的接口保护,确保设备在遭遇突发电压波动时的安全性和稳定性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1516
  • 9000+ ¥0.149
  • 15000+ ¥0.1452
合计:¥454.80
标准包装数量:3000

BCV27 未分类

  • 型号: BCV27
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 本款NPN型三极管(BJT)专为要求高性能电流放大的应用设计。其电流增益(HFE)范围广泛,从4000至20000,极大地提高了电路的灵敏度和效率。该三极管的最大集电极-发射极电压(VCEO)为30伏特,能够在多种电压条件下稳定工作。支持的最大集电极电流(IC/A)为0.5安培,适用于中等功率的电路设计。此外,其特征频率(FT)高达220MHz,保证了在高频应用中的优良表现。这些特性使该三极管成为电子设备中实现高效信号放大和开关控制的理想选择。
    本款NPN型三极管(BJT)专为要求高性能电流放大的应用设计。其电流增益(HFE)范围广泛,从4000至20000,极大地提高了电路的灵敏度和效率。该三极管的最大集电极-发射极电压(VCEO)为30伏特,能够在多种电压条件下稳定工作。支持的最大集电极电流(IC/A)为0.5安培,适用于中等功率的电路设计。此外,其特征频率(FT)高达220MHz,保证了在高频应用中的优良表现。这些特性使该三极管成为电子设备中实现高效信号放大和开关控制的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1399
  • 9000+ ¥0.1376
  • 15000+ ¥0.1341
合计:¥419.70
标准包装数量:3000

BCV47 未分类

  • 型号: BCV47
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款NPN型达林顿管拥有60V的最大电压和0.5A的最大电流能力,反向电流仅为0.1μA,确保了在低功耗应用中的高精度和稳定性。适用于信号放大、驱动电路及各种需要高增益和低噪声特性的电子设备中。其出色的电气性能使其成为构建高效、可靠的电子系统的理想选择。
    这款NPN型达林顿管拥有60V的最大电压和0.5A的最大电流能力,反向电流仅为0.1μA,确保了在低功耗应用中的高精度和稳定性。适用于信号放大、驱动电路及各种需要高增益和低噪声特性的电子设备中。其出色的电气性能使其成为构建高效、可靠的电子系统的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1436
  • 9000+ ¥0.1412
  • 15000+ ¥0.1377
合计:¥430.80
标准包装数量:3000

NTR5103N 未分类

  • 型号: NTR5103N
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有0.3A的连续漏极电流(ID)和60V的漏源极击穿电压(VDSS),适合应用于需要较高电压耐受能力的电路中。其导通电阻(RDON)为1000毫欧,虽然相对较高,但在低电流条件下仍能有效运作,减少发热。最大栅源极电压(VGS)达到20V,保证了良好的驱动特性和稳定性。此元件适用于各种便携式电子产品中的电源控制、电池管理和信号调理等场合,是实现高效、可靠电路设计的重要组件。
    这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有0.3A的连续漏极电流(ID)和60V的漏源极击穿电压(VDSS),适合应用于需要较高电压耐受能力的电路中。其导通电阻(RDON)为1000毫欧,虽然相对较高,但在低电流条件下仍能有效运作,减少发热。最大栅源极电压(VGS)达到20V,保证了良好的驱动特性和稳定性。此元件适用于各种便携式电子产品中的电源控制、电池管理和信号调理等场合,是实现高效、可靠电路设计的重要组件。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1327
  • 9000+ ¥0.1305
  • 15000+ ¥0.1272
合计:¥398.10
标准包装数量:3000

PC817A 未分类

  • 型号: PC817A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款晶体管输出光耦采用直流输入电压,内置光电三极管作为输出元件。其正向电压低至1.2V,可在较低电压下实现高效能操作。最大输出电流可达50mA,适用于驱动各类负载。该光耦适用于信号隔离场合,例如在数字电路中作为接口器件,能够有效防止噪声干扰,同时在消费电子产品和通信设备中作为信号转换与隔离的理想选择。
    这款晶体管输出光耦采用直流输入电压,内置光电三极管作为输出元件。其正向电压低至1.2V,可在较低电压下实现高效能操作。最大输出电流可达50mA,适用于驱动各类负载。该光耦适用于信号隔离场合,例如在数字电路中作为接口器件,能够有效防止噪声干扰,同时在消费电子产品和通信设备中作为信号转换与隔离的理想选择。
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:100
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 100+ ¥0.147
  • 300+ ¥0.1446
  • 500+ ¥0.1409
合计:¥14.70
标准包装数量:100

DESD3V3X1BCSF-7 未分类

  • 型号: DESD3V3X1BCSF-7
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道。工作电压3.3V,可承受4A电流,结电容典型值为0.55pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备的安全性和可靠性。
    这款静电和浪涌保护器件为双向类型,单通道。工作电压3.3V,可承受4A电流,结电容典型值为0.55pF。适用于多种电子产品,能有效双向防护静电和浪涌干扰,确保设备稳定运行,提升设备的安全性和可靠性。
  • 库   存:300000
  • 起订量:15000
  • 增   量:15000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 15000+ ¥0.2772
  • 45000+ ¥0.2726
  • 75000+ ¥0.2657
合计:¥4,158.00
标准包装数量:15000

ESD1CAN 未分类

  • 型号: ESD1CAN
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 此款静电和浪涌保护器为双向设计(TYPE: 双向Bi),适用于多种电子设备中以防止因静电放电(ESD)或瞬态电压尖峰(TVS)导致的损坏。该保护器具有8安培的峰值脉冲电流处理能力(IPP/A: 8),并在正常工作电压下可承受最高24伏特(VRWM/V: 24)而不影响电路性能。其电容值为16皮法拉(CJ/pF: 16),在不影响数据传输信号完整性的情况下提供了可靠的保护。此元件设计用于双线配置(LINE: 2),能够有效地保障您的设备免受外部电气干扰的影响。
    此款静电和浪涌保护器为双向设计(TYPE: 双向Bi),适用于多种电子设备中以防止因静电放电(ESD)或瞬态电压尖峰(TVS)导致的损坏。该保护器具有8安培的峰值脉冲电流处理能力(IPP/A: 8),并在正常工作电压下可承受最高24伏特(VRWM/V: 24)而不影响电路性能。其电容值为16皮法拉(CJ/pF: 16),在不影响数据传输信号完整性的情况下提供了可靠的保护。此元件设计用于双线配置(LINE: 2),能够有效地保障您的设备免受外部电气干扰的影响。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.1301
  • 9000+ ¥0.1279
  • 15000+ ¥0.1247
合计:¥390.30
标准包装数量:3000

HSS39ET 未分类

  • 型号: HSS39ET
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款线性磁传感器采用灵活的工作电压范围(3-12V),可适应多种电源环境。其静态输出电压典型值为供电电压的50%,确保了稳定的基准点。具有1.2mV/Gauss的灵敏度,能够精确检测磁场变化;25KHz的输出带宽支持快速响应需求。该传感器可在极端温度条件下(-40至150℃)保持可靠运行,适用于包括但不限于智能家居、消费电子等领域的广泛应用。
    这款线性磁传感器采用灵活的工作电压范围(3-12V),可适应多种电源环境。其静态输出电压典型值为供电电压的50%,确保了稳定的基准点。具有1.2mV/Gauss的灵敏度,能够精确检测磁场变化;25KHz的输出带宽支持快速响应需求。该传感器可在极端温度条件下(-40至150℃)保持可靠运行,适用于包括但不限于智能家居、消费电子等领域的广泛应用。
  • 库   存:300000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.624
  • 9000+ ¥0.6136
  • 15000+ ¥0.598
合计:¥1,872.00
标准包装数量:3000

HXY20P06D 未分类

  • 型号: HXY20P06D
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:--
  • 描述: 这款场效应管具有20A的电流承载能力,60V的耐压范围,内阻典型值为64mΩ,适用于射频和通信领域,例如射频放大器。
    这款场效应管具有20A的电流承载能力,60V的耐压范围,内阻典型值为64mΩ,适用于射频和通信领域,例如射频放大器。
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