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IRFR5305TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR5305TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247,TO-252,TO-252-2
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 31 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 31 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:15759
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.6906
  • 10+ ¥2.132
  • 50+ ¥1.9153
  • 100+ ¥1.6619
  • 500+ ¥1.5681
  • 1000+ ¥1.5283
  • 2000+ ¥1.5084
合计:¥2.69
标准包装数量:2000

IRLL014NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLL014NTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-223
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 2.8 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 2.8 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:645
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.5
  • 10+ ¥1.35
  • 100+ ¥1.24
  • 500+ ¥1.13
合计:¥1.50
标准包装数量:2500

IPD50P04P4L-11 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD50P04P4L-11
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-252
  • 描述: 58KW 16V 2.2V 45nC@ 10V 1个P沟道 40V 10.6mΩ@ 10V 50A 3nF@ 25V TO-252 贴片安装 6.5mm(长度)*622cm(宽度)
    58KW 16V 2.2V 45nC@ 10V 1个P沟道 40V 10.6mΩ@ 10V 50A 3nF@ 25V TO-252 贴片安装 6.5mm(长度)*622cm(宽度)
  • 库   存:11
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.2556
  • 10+ ¥4.7523
  • 50+ ¥4.4752
  • 100+ ¥4.125
合计:¥5.26
标准包装数量:2500

BSC004NE2LS5ATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC004NE2LS5ATMA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON-8
  • 描述: Infineon N沟道MOS管 OptiMOS系列, Vds=25 V, 479 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N沟道MOS管 OptiMOS系列, Vds=25 V, 479 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:6
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥14.0301
  • 10+ ¥12.0258
  • 30+ ¥10.5226
  • 100+ ¥8.8611
  • 500+ ¥8.418
合计:¥14.03
标准包装数量:1

IRFB4227PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB4227PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:235
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5
  • 10+ ¥4.56
  • 50+ ¥3.95
  • 100+ ¥3.55
合计:¥5.00
标准包装数量:1000

BSC028N06NS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC028N06NS
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 2.5KW 20V 3.3V 37nC@ 10V 1个N沟道 60V 2.8mΩ@ 10V 100A 2.7nF@ 30V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    2.5KW 20V 3.3V 37nC@ 10V 1个N沟道 60V 2.8mΩ@ 10V 100A 2.7nF@ 30V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:17
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.609
  • 10+ ¥2.533
  • 100+ ¥2.459
  • 500+ ¥2.388
  • 1000+ ¥2.318
合计:¥2.61
标准包装数量:5000

IRFR3710ZTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR3710ZTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252,TO-252-2
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 42 A, DPAK封装, 印刷电路板
    Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 42 A, DPAK封装, 印刷电路板
  • 库   存:76
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.8333
  • 10+ ¥5.5556
  • 50+ ¥5.1471
  • 100+ ¥4.6667
  • 500+ ¥4.4304
  • 1000+ ¥4.1667
合计:¥5.83
标准包装数量:2000

IRFB4110PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB4110PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 180 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 180 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1470
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.8045
  • 10+ ¥4.2419
  • 50+ ¥3.478
  • 100+ ¥3.0562
  • 500+ ¥2.9155
  • 1000+ ¥2.8363
合计:¥4.80
标准包装数量:50

IRFB38N20DPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB38N20DPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 44 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 44 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:960
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.9513
  • 10+ ¥9.4775
  • 50+ ¥8.7806
  • 100+ ¥7.9611
  • 500+ ¥7.558
  • 1000+ ¥7.1081
合计:¥9.95
标准包装数量:100

BSC030N08NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC030N08NS5
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 2.5KW 20V 3.8V 61nC@ 10V 80V 3mΩ@ 10V 100A 4.3nF@ 40V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    2.5KW 20V 3.8V 61nC@ 10V 80V 3mΩ@ 10V 100A 4.3nF@ 40V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:9999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.7
  • 10+ ¥5.5833
  • 50+ ¥5.1531
  • 100+ ¥4.7857
  • 500+ ¥4.4667
  • 1000+ ¥4.1875
合计:¥6.70
标准包装数量:5000

IRF7341TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7341TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:QFN
  • 描述: Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
    Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
  • 库   存:1316
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.5667
  • 10+ ¥1.4921
  • 50+ ¥1.3824
  • 100+ ¥1.2703
  • 500+ ¥1.2208
  • 1000+ ¥1.1463
合计:¥1.57
标准包装数量:4000

BSS214NWH6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS214NWH6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-323
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=20 V, 1.5 A, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=20 V, 1.5 A, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1647
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4453
  • 10+ ¥0.4241
  • 50+ ¥0.3929
  • 100+ ¥0.3611
  • 500+ ¥0.347
  • 1000+ ¥0.3259
合计:¥0.45
标准包装数量:3000

IRFR5410TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR5410TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:2000,SOP-8,TO-252,TO-252-2
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 13 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 13 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:8
  • 起订量:8
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.68
合计:¥5.44
标准包装数量:2000

IRF100B201 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF100B201
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 192 A, TO-220封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 192 A, TO-220封装, 通孔安装
  • 库   存:144
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.3333
  • 10+ ¥4.127
  • 50+ ¥3.8235
  • 100+ ¥3.4667
  • 500+ ¥3.2911
  • 1000+ ¥3.0952
合计:¥4.33
标准包装数量:50

IRF7241TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7241TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SO-8
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 6.2 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 6.2 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:3553
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.8864
  • 10+ ¥2.749
  • 50+ ¥2.5469
  • 100+ ¥2.3092
  • 500+ ¥2.1922
  • 1000+ ¥2.0617
合计:¥2.89
标准包装数量:4000

IRF5305PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF5305PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 31 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 31 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:718
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.05
  • 10+ ¥3.5
  • 50+ ¥2.875
  • 100+ ¥2.675
  • 500+ ¥2.575
  • 1000+ ¥2.5
合计:¥4.05
标准包装数量:50

IRLML0030TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML0030TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-23
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 5.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 5.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:629
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.565
  • 10+ ¥0.5381
  • 100+ ¥0.4985
  • 500+ ¥0.4581
  • 1000+ ¥0.4403
  • 3000+ ¥0.4015
  • 6000+ ¥0.3891
合计:¥0.57
标准包装数量:3000

IRLL2705TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLL2705TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-223
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 5.2 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 5.2 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:828
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.7647
  • 10+ ¥1.6901
  • 50+ ¥1.5789
  • 100+ ¥1.4458
  • 500+ ¥1.3793
  • 1000+ ¥1.3043
合计:¥1.76
标准包装数量:2500

IRF7416TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7416TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SO-8
  • 描述: 2.5W(Ta) 20V 1V@ 250µA 92nC@ 10 V 1个P沟道 30V 20mΩ@ 5.6A,10V 10A 1.7nF@25V SO-8 贴片安装
    2.5W(Ta) 20V 1V@ 250µA 92nC@ 10 V 1个P沟道 30V 20mΩ@ 5.6A,10V 10A 1.7nF@25V SO-8 贴片安装
  • 库   存:105
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.3645
  • 10+ ¥2.1532
  • 50+ ¥1.882
  • 100+ ¥1.629
  • 500+ ¥1.5608
  • 1000+ ¥1.5217
合计:¥2.36
标准包装数量:4000

IRFR5505TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR5505TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252,TO-252-2
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 18 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 18 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:665
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.8735
  • 10+ ¥1.7973
  • 50+ ¥1.6838
  • 100+ ¥1.5465
  • 100+ ¥1.5465
合计:¥1.87
标准包装数量:2000
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