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BSC014N06NS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC014N06NS
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 2.5KW 20V 3.3V 89nC@ 10V 1个N沟道 60V 1.45mΩ@ 10V 100A 6.5nF@ 30V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5mm(长度)*600cm(宽度)
    2.5KW 20V 3.3V 89nC@ 10V 1个N沟道 60V 1.45mΩ@ 10V 100A 6.5nF@ 30V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5mm(长度)*600cm(宽度)
  • 库   存:781
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.6317
  • 10+ ¥5.5326
  • 30+ ¥5.1876
  • 100+ ¥4.6852
  • 500+ ¥4.5263
  • 1000+ ¥4.4397
合计:¥5.63
标准包装数量:5000

BSC011N03LS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC011N03LS
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 2.5KW 20V 2V 72nC 1个N沟道 30V 1.1mΩ@ 10V 100A 4.7nF@ 15V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    2.5KW 20V 2V 72nC 1个N沟道 30V 1.1mΩ@ 10V 100A 4.7nF@ 15V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:11406
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.221
  • 10+ ¥3.823
  • 100+ ¥2.6375
  • 500+ ¥2.3289
  • 1000+ ¥2.2181
  • 5000+ ¥2.1349
合计:¥4.22
标准包装数量:5000

IRF7319TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7319TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 4.9 A,6.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 4.9 A,6.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:3080
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.5704
  • 10+ ¥3.3721
  • 50+ ¥3.0863
  • 100+ ¥2.759
  • 500+ ¥2.6013
  • 1000+ ¥2.4279
合计:¥3.57
标准包装数量:4000

IRFB3306PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB3306PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 160 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 160 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:448
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥2.635
  • 100+ ¥2.558
  • 300+ ¥2.483
  • 1000+ ¥2.434
  • 5000+ ¥2.363
合计:¥26.35
标准包装数量:1000

IRFR5305TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR5305TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247,TO-252,TO-252-2
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 31 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 31 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1362
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.6906
  • 10+ ¥2.132
  • 50+ ¥1.9153
  • 100+ ¥1.6619
  • 500+ ¥1.5681
  • 1000+ ¥1.5283
  • 2000+ ¥1.5084
合计:¥2.69
标准包装数量:2000

IRF7341TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7341TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:QFN
  • 描述: Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
    Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
  • 库   存:905
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.5667
  • 10+ ¥1.4921
  • 50+ ¥1.3824
  • 100+ ¥1.2703
  • 500+ ¥1.2208
  • 1000+ ¥1.1463
合计:¥1.57
标准包装数量:4000

IPB042N10N3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB042N10N3G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-263
  • 描述: 214KW 20V 88nC@ 10V 1个N沟道 100V 7.4mΩ@ 6V,4.2mΩ@ 10V 6.32nF@ 50V TO-263 支架安装,贴片安装 10mm*925cm*4.5mm
    214KW 20V 88nC@ 10V 1个N沟道 100V 7.4mΩ@ 6V,4.2mΩ@ 10V 6.32nF@ 50V TO-263 支架安装,贴片安装 10mm*925cm*4.5mm
  • 库   存:1864
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.9291
  • 10+ ¥4.345
  • 50+ ¥3.871
  • 100+ ¥3.7221
  • 500+ ¥3.5772
  • 1000+ ¥3.4737
合计:¥4.93
标准包装数量:1000

BSC072N08NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC072N08NS5
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON-8
  • 描述: 69W 20V 3.8V 29nC@ 10V 80V 7.2mΩ@ 10V,37A 74A 2.1nF@ 40V TDSON-8
    69W 20V 3.8V 29nC@ 10V 80V 7.2mΩ@ 10V,37A 74A 2.1nF@ 40V TDSON-8
  • 库   存:1751
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.078
  • 10+ ¥4.6512
  • 50+ ¥4.4944
  • 100+ ¥3.9478
  • 500+ ¥3.5753
  • 1000+ ¥3.3897
合计:¥5.08
标准包装数量:5000

IRFB5615PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB5615PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=150 V, 35 A, TO-220AB封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=150 V, 35 A, TO-220AB封装, 通孔安装
  • 库   存:187
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.6145
  • 10+ ¥4.2363
  • 50+ ¥3.7446
  • 100+ ¥3.4002
  • 500+ ¥3.2301
  • 1000+ ¥3.0401
合计:¥4.61
标准包装数量:50

IRFR4620TRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR4620TRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 24 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 24 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:5999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.3333
  • 10+ ¥4.127
  • 50+ ¥3.8235
  • 100+ ¥3.4667
  • 500+ ¥3.2911
  • 1000+ ¥3.0952
合计:¥4.33
标准包装数量:3000

IRFB38N20DPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB38N20DPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 44 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 44 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:960
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.8975
  • 10+ ¥9.4262
  • 50+ ¥8.7331
  • 100+ ¥7.918
  • 500+ ¥7.5171
  • 1000+ ¥7.0696
合计:¥9.90
标准包装数量:100

IRL40SC228 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL40SC228
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:D2PAK
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 557 A, D2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 557 A, D2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:435
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.6667
  • 10+ ¥7.5587
  • 50+ ¥7.4118
  • 100+ ¥7.1333
  • 500+ ¥7.0013
  • 1000+ ¥6.911
合计:¥9.67
标准包装数量:800

BSC093N15NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC093N15NS5
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 139KW 20V 4.6V 33nC@ 10V 2个N沟道 150V 9.3mΩ@ 10V 87A 2.43nF@ 75V TDSON(EP) 贴片安装
    139KW 20V 4.6V 33nC@ 10V 2个N沟道 150V 9.3mΩ@ 10V 87A 2.43nF@ 75V TDSON(EP) 贴片安装
  • 库   存:615
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.284
  • 10+ ¥5.7
  • 50+ ¥5
  • 100+ ¥4.5
  • 500+ ¥4
合计:¥6.28
标准包装数量:5000

IRF2807ZPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF2807ZPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=75 V, 75 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=75 V, 75 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:150
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.584
  • 10+ ¥3.48
  • 100+ ¥3.378
合计:¥3.58
标准包装数量:50

IRFB4110PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB4110PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 180 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 180 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:330
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.4878
  • 10+ ¥4.2326
  • 50+ ¥3.5618
  • 100+ ¥3.0691
  • 500+ ¥2.9174
  • 1000+ ¥2.831
合计:¥5.49
标准包装数量:50

IRF7309TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7309TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 3 A,4 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 3 A,4 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:1155
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.3787
  • 10+ ¥2.2654
  • 50+ ¥2.0988
  • 100+ ¥1.9029
  • 500+ ¥1.8066
  • 1000+ ¥1.6991
合计:¥2.38
标准包装数量:4000

IRFP4227PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP4227PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:89
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.4186
  • 10+ ¥9.6469
  • 50+ ¥9.1875
  • 100+ ¥8.75
合计:¥10.42
标准包装数量:25

IRF7854TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7854TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=80 V, 10 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=80 V, 10 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:1550
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.5243
  • 10+ ¥5.4345
  • 50+ ¥4.8528
  • 100+ ¥4.2096
  • 500+ ¥3.9161
  • 1000+ ¥3.783
合计:¥6.52
标准包装数量:4000

BSS169H6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS169H6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-23
  • 描述: Infineon P沟道MOS管, Vds=100 V, 900 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道MOS管, Vds=100 V, 900 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:25947
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.7998
  • 10+ ¥0.7547
  • 50+ ¥0.6895
  • 100+ ¥0.625
  • 500+ ¥0.5969
  • 1000+ ¥0.5372
  • 3000+ ¥0.5128
合计:¥0.80
标准包装数量:3000

IRF100B201 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF100B201
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 192 A, TO-220封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 192 A, TO-220封装, 通孔安装
  • 库   存:3
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.6502
  • 10+ ¥3.4848
  • 50+ ¥3.2394
  • 50+ ¥3.2394
合计:¥3.65
标准包装数量:50
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