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IRFZ48NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFZ48NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 64 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 64 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:544
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.3333
  • 10+ ¥3.1746
  • 50+ ¥2.9412
  • 100+ ¥2.6667
  • 500+ ¥2.5316
  • 1000+ ¥2.381
合计:¥3.33
标准包装数量:1000

IRF7410TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7410TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2.5W(Ta) 8V 900mV@ 250µA 91nC@ 4.5 V 1个P沟道 12V 7mΩ@ 16A,4.5V 16A 8.676nF@10V SOIC-8 贴片安装
    2.5W(Ta) 8V 900mV@ 250µA 91nC@ 4.5 V 1个P沟道 12V 7mΩ@ 16A,4.5V 16A 8.676nF@10V SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:370
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.0055
  • 10+ ¥3.8147
  • 50+ ¥3.5342
  • 100+ ¥3.2044
合计:¥4.01
标准包装数量:4000

IRF530NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF530NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 17 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 17 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:5928
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.096
  • 10+ ¥2.836
  • 50+ ¥2.5947
  • 100+ ¥2.4144
  • 500+ ¥2.2268
  • 1000+ ¥2.1009
合计:¥3.10
标准包装数量:50

IRFR5505TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR5505TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252,TO-252-2
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 18 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 18 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:629
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.8735
  • 10+ ¥1.7973
  • 50+ ¥1.6838
  • 100+ ¥1.5465
  • 500+ ¥1.4778
合计:¥1.87
标准包装数量:2000

IRF3710PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF3710PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 57 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 57 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:6312
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.1951
  • 10+ ¥2.093
  • 50+ ¥2.0225
  • 100+ ¥1.9565
  • 500+ ¥1.8947
合计:¥2.20
标准包装数量:50

IRF7854TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7854TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=80 V, 10 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=80 V, 10 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:1550
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.5243
  • 10+ ¥5.4345
  • 50+ ¥4.8528
  • 100+ ¥4.2096
  • 500+ ¥3.9161
  • 1000+ ¥3.783
合计:¥6.52
标准包装数量:4000

BSS214NWH6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS214NWH6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-323
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=20 V, 1.5 A, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=20 V, 1.5 A, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:805
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4429
  • 10+ ¥0.4218
  • 50+ ¥0.3908
  • 100+ ¥0.3591
  • 500+ ¥0.3451
  • 1000+ ¥0.3241
合计:¥0.44
标准包装数量:3000

BSS169H6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS169H6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-23
  • 描述: Infineon P沟道MOS管, Vds=100 V, 900 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道MOS管, Vds=100 V, 900 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:25947
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.7998
  • 10+ ¥0.7547
  • 50+ ¥0.6895
  • 100+ ¥0.625
  • 500+ ¥0.5969
  • 1000+ ¥0.5372
  • 3000+ ¥0.5128
合计:¥0.80
标准包装数量:3000

IRF100B201 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF100B201
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 192 A, TO-220封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 192 A, TO-220封装, 通孔安装
  • 库   存:3
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.6502
  • 10+ ¥3.4848
  • 50+ ¥3.2394
  • 100+ ¥2.9487
合计:¥3.65
标准包装数量:50

IRLL014NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLL014NTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-223
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 2.8 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 2.8 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:464
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.378
  • 10+ ¥1.314
  • 50+ ¥1.2697
  • 100+ ¥1.2283
  • 500+ ¥1.1895
合计:¥1.38
标准包装数量:2500

IRFR3710ZTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR3710ZTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252,TO-252-2
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 42 A, DPAK封装, 印刷电路板
    Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 42 A, DPAK封装, 印刷电路板
  • 库   存:41
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.8333
  • 10+ ¥5.5556
  • 50+ ¥5.1471
  • 100+ ¥4.6667
  • 500+ ¥4.4304
  • 1000+ ¥4.1667
合计:¥5.83
标准包装数量:2000

IRLML6401TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML6401TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-23
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=12 V, 4.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=12 V, 4.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:11456
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5319
  • 10+ ¥0.4653
  • 50+ ¥0.4168
  • 100+ ¥0.377
  • 500+ ¥0.3491
  • 1000+ ¥0.3213
  • 3000+ ¥0.3081
  • 6000+ ¥0.2998
合计:¥0.53
标准包装数量:3000

IRFZ34NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFZ34NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 29 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 29 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:434
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.8833
  • 10+ ¥1.7937
  • 50+ ¥1.6618
  • 100+ ¥1.5067
  • 500+ ¥1.4304
  • 1000+ ¥1.3452
合计:¥1.88
标准包装数量:50

IRFR9024NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR9024NTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:2000,SOP-8,TO-252
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 11 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 11 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:13
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥1.3
  • 100+ ¥1.1143
  • 300+ ¥0.975
  • 1000+ ¥0.8211
  • 5000+ ¥0.78
合计:¥13.00
标准包装数量:2000

IRF5305PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF5305PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 31 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 31 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:703
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.05
  • 10+ ¥3.5
  • 50+ ¥2.875
  • 100+ ¥2.675
  • 500+ ¥2.575
  • 1000+ ¥2.5
合计:¥4.05
标准包装数量:50

IRL540NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL540NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 36 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 36 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:517
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.8974
  • 10+ ¥4.528
  • 50+ ¥4.1514
  • 100+ ¥3.8056
  • 500+ ¥3.6327
合计:¥4.90
标准包装数量:1000

IRFB7440PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB7440PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 120 A, TO-220封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 120 A, TO-220封装, 通孔安装
  • 库   存:1182
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.3339
  • 10+ ¥2.6764
  • 50+ ¥2.5
  • 100+ ¥2.2894
  • 500+ ¥2.1842
  • 1000+ ¥2.0652
合计:¥3.33
标准包装数量:50

BSS308PE H6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS308PE H6327
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 500mW 20V 2V 5nC@ 10V 1个P沟道 30V 80mΩ@ 10V 2A 376pF@ 15V SOT-23-3 贴片安装 2.9mm*1.3mm*1.1mm
    500mW 20V 2V 5nC@ 10V 1个P沟道 30V 80mΩ@ 10V 2A 376pF@ 15V SOT-23-3 贴片安装 2.9mm*1.3mm*1.1mm
  • 库   存:1919
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.8429
  • 10+ ¥0.8082
  • 50+ ¥0.7564
  • 100+ ¥0.7024
  • 500+ ¥0.6782
  • 1000+ ¥0.6413
合计:¥0.84
标准包装数量:3000

BSC057N08NS3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC057N08NS3G
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TDSON-8
  • 描述: 2.5W 20V 42nC@ 10V 1个N沟道 80V 5.7mΩ@ 10V 2.9nF@ 40V TDSON-8 贴片安装,黏合安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
    2.5W 20V 42nC@ 10V 1个N沟道 80V 5.7mΩ@ 10V 2.9nF@ 40V TDSON-8 贴片安装,黏合安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
  • 库   存:122
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.59
  • 10+ ¥2.88
  • 50+ ¥2.4
  • 100+ ¥2
合计:¥3.59
标准包装数量:5000

IRFR4510TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR4510TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 63 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 63 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:806
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.5941
  • 10+ ¥4.1186
  • 50+ ¥3.8866
  • 100+ ¥3.6304
  • 100+ ¥3.6304
合计:¥4.59
标准包装数量:2000
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