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IPW50R190CEFKSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPW50R190CEFKSA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-247
  • 描述: 127W(Tc) 20V 3.5V@ 510µA 47.2nC@ 10 V 1个N沟道 500V 190mΩ@ 6.2A,13V 18.5A 1.137nF@100V TO-247 通孔安装
    127W(Tc) 20V 3.5V@ 510µA 47.2nC@ 10 V 1个N沟道 500V 190mΩ@ 6.2A,13V 18.5A 1.137nF@100V TO-247 通孔安装
  • 库   存:15
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    1-3工作日
    内地交货(含增值税)
    2-4工作日
  • 1+ $0.4 ¥3.34
合计:¥3.34
标准包装数量:1

BSC110N15NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC110N15NS5
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 125KW 20V 4.6V 28nC@ 10V 2个N沟道 150V 11mΩ@ 10V 76A 2.08nF@ 75V TDSON(EP) 贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    125KW 20V 4.6V 28nC@ 10V 2个N沟道 150V 11mΩ@ 10V 76A 2.08nF@ 75V TDSON(EP) 贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:2248
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.8974
  • 10+ ¥8.445
  • 50+ ¥7.7852
  • 100+ ¥6.997
  • 500+ ¥6.4469
  • 1000+ ¥6.2282
合计:¥8.90
标准包装数量:5000

IPT015N10N5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPT015N10N5
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:HSOF-8,TO-3P-3L
  • 描述: 375KW 20V 3.8V 169nC@ 10V 100V 1.5mΩ@ 10V 300A 12nF@ 50V HSOF-8,TO-3P-3L 支架安装,贴片安装 9.9mm*10.38m*2.3mm
    375KW 20V 3.8V 169nC@ 10V 100V 1.5mΩ@ 10V 300A 12nF@ 50V HSOF-8,TO-3P-3L 支架安装,贴片安装 9.9mm*10.38m*2.3mm
  • 库   存:122
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥14.3175
  • 10+ ¥13.089
  • 50+ ¥11.5979
  • 100+ ¥10.5621
  • 500+ ¥9.8836
  • 1000+ ¥9.7826
合计:¥14.32
标准包装数量:2000

IRLML6302TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML6302TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-23,TO-92
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 780 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 780 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:847
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.368
  • 10+ ¥0.362
  • 100+ ¥0.3584
  • 500+ ¥0.352
合计:¥0.37
标准包装数量:3000

IHW30N160R5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IHW30N160R5
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 25V 205nC 1.6KV 45mΩ@ 4.5V,4A 60A TO-247-3
    25V 205nC 1.6KV 45mΩ@ 4.5V,4A 60A TO-247-3
  • 库   存:89
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥20.7167
  • 10+ ¥19.1231
  • 50+ ¥16.7973
  • 100+ ¥15.7342
  • 500+ ¥14.7976
合计:¥20.72
标准包装数量:240

IPW60R037CSFD 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPW60R037CSFD
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 245W 30V 4.5V 136nC@ 10V 600V 37mΩ@ 10V,32.6A 54A 5.623nF@ 400V TO-247-3
    245W 30V 4.5V 136nC@ 10V 600V 37mΩ@ 10V,32.6A 54A 5.623nF@ 400V TO-247-3
  • 库   存:62
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥25.4167
  • 10+ ¥23.4615
  • 50+ ¥20.6081
  • 100+ ¥19.3038
  • 500+ ¥18.1548
合计:¥25.42
标准包装数量:30

IPW60R060P7 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPW60R060P7
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247
  • 描述: 164W(Tc) 20V 4V@ 800µA 67nC@ 10 V 1个N沟道 600V 60mΩ@ 15.9A,10V 48A 2.895nF@400V TO-247 通孔安装
    164W(Tc) 20V 4V@ 800µA 67nC@ 10 V 1个N沟道 600V 60mΩ@ 15.9A,10V 48A 2.895nF@400V TO-247 通孔安装
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥17.3333
  • 10+ ¥15.5385
合计:¥17.33
标准包装数量:30

IRLML9301TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML9301TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-23,SOT-23-3
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 3.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 3.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:15644
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.7933
  • 10+ ¥0.703
  • 50+ ¥0.5648
  • 100+ ¥0.5174
  • 500+ ¥0.4514
  • 1000+ ¥0.4308
合计:¥0.79
标准包装数量:3000

IRF3205STRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF3205STRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:D2PAK
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 110 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 110 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:4904
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.5191
  • 10+ ¥3.2004
  • 50+ ¥3.0484
  • 100+ ¥2.9604
  • 500+ ¥2.73
  • 800+ ¥2.5
合计:¥3.52
标准包装数量:800

IRF2804PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF2804PBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 280 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 280 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4
合计:¥4.00
标准包装数量:50

IRFR9024NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR9024NTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:2000,SOP-8,TO-252
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 11 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 11 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:176
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.1768
  • 10+ ¥1.1241
  • 50+ ¥1.0456
  • 100+ ¥0.965
  • 500+ ¥0.8967
  • 1000+ ¥0.8721
合计:¥1.18
标准包装数量:2000

BSC034N06NS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC034N06NS
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SON
  • 描述: 2.5KW 20V 3.3V 33nC@ 10V 1个N沟道 60V 3.4mΩ@ 10V 100A 2.4nF@ 30V SON 支架安装,贴片安装
    2.5KW 20V 3.3V 33nC@ 10V 1个N沟道 60V 3.4mΩ@ 10V 100A 2.4nF@ 30V SON 支架安装,贴片安装
  • 库   存:486
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.0918
  • 10+ ¥4.8276
  • 50+ ¥4.4444
  • 100+ ¥4
合计:¥5.09
标准包装数量:5000

IRFP4668PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP4668PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 130 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 130 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:4
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.473
  • 10+ ¥10.168
  • 30+ ¥9.872
  • 100+ ¥9.678
  • 500+ ¥9.489
合计:¥10.47
标准包装数量:25

IRFS4127TRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFS4127TRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:D2PAK
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=200 V, 72 A, TO-262封装, 表面贴装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=200 V, 72 A, TO-262封装, 表面贴装
  • 库   存:587
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥18.1881
  • 10+ ¥16.0626
  • 50+ ¥13.935
  • 100+ ¥11.3721
  • 500+ ¥9.7878
  • 1000+ ¥8.6882
合计:¥18.19
标准包装数量:800

BSC010NE2LSATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC010NE2LSATMA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SON
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=25 V, 100 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=25 V, 100 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:6
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.1
  • 10+ ¥8.6571
  • 30+ ¥7.575
  • 100+ ¥6.3789
  • 500+ ¥6.06
合计:¥10.10
标准包装数量:1

BSS169H6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS169H6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-23
  • 描述: Infineon P沟道MOS管, Vds=100 V, 900 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道MOS管, Vds=100 V, 900 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:896
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 10+ ¥0.9
  • 100+ ¥0.7714
  • 300+ ¥0.675
  • 1000+ ¥0.5684
  • 5000+ ¥0.54
合计:¥9.00
标准包装数量:1

BSZ240N12NS3 G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSZ240N12NS3 G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SON
  • 描述: 66W 20V 4V 20nC@ 10V 1个N沟道 120V 24mΩ@ 10V 37A 1.4nF@ 60V SON 贴片安装,黏合安装 3.3mm*3.3mm*1.1mm
    66W 20V 4V 20nC@ 10V 1个N沟道 120V 24mΩ@ 10V 37A 1.4nF@ 60V SON 贴片安装,黏合安装 3.3mm*3.3mm*1.1mm
  • 库   存:5000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.9
  • 10+ ¥6.6
  • 50+ ¥6.1
  • 100+ ¥5.8
  • 500+ ¥5.5
  • 1000+ ¥5.3
合计:¥6.90
标准包装数量:5000

IRFP064NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP064NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 110 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 110 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:15
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.6
  • 10+ ¥4.9179
  • 50+ ¥4.4708
  • 100+ ¥3.9425
  • 500+ ¥3.7548
  • 1000+ ¥3.576
合计:¥5.60
标准包装数量:25

IRFB4020PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB4020PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 18 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 18 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1939
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.4697
  • 10+ ¥5.2092
  • 50+ ¥4.9612
  • 100+ ¥4.7249
  • 500+ ¥4.4999
  • 1000+ ¥4.2857
合计:¥5.47
标准包装数量:50

IRF9317TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9317TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SO-8
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 16 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 16 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:3295
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.9975
  • 10+ ¥3.9663
  • 50+ ¥3.6746
  • 100+ ¥3.3317
  • 500+ ¥3.163
  • 500+ ¥3.163
合计:¥5.00
标准包装数量:4000
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