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IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP260NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 50 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 50 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.005
  • 10+ ¥6.8614
  • 30+ ¥6.0038
  • 100+ ¥5.0558
  • 500+ ¥4.803
合计:¥8.01
标准包装数量:25

IRLML6402TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML6402TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,MICRO-3,SOT-23
  • 描述: 1.3W(Ta) 12V 1.2V@ 250µA 12nC@ 5 V 1个P沟道 20V 65mΩ@ 3.7A,4.5V 3.7A 633pF@10V 3000,MICRO-3,SOT-23 贴片安装
    1.3W(Ta) 12V 1.2V@ 250µA 12nC@ 5 V 1个P沟道 20V 65mΩ@ 3.7A,4.5V 3.7A 633pF@10V 3000,MICRO-3,SOT-23 贴片安装
  • 库   存:29709
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5418
  • 10+ ¥0.4379
  • 50+ ¥0.395
  • 100+ ¥0.3574
  • 500+ ¥0.3393
  • 1000+ ¥0.3222
  • 3000+ ¥0.3133
合计:¥0.54
标准包装数量:3000

BSS316NH6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS316NH6327XTSA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:3000
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 2系列, Vds=30 V, 1.4 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 2系列, Vds=30 V, 1.4 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:18303
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4185
  • 10+ ¥0.4059
  • 50+ ¥0.3877
  • 100+ ¥0.3769
  • 500+ ¥0.3691
  • 1000+ ¥0.3361
  • 3000+ ¥0.2627
合计:¥0.42
标准包装数量:3000

IRLML2502TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML2502TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:3000,SOT-23
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 IRLML2502系列, Vds=20 V, 4.2 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 IRLML2502系列, Vds=20 V, 4.2 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:7552
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.6707
  • 10+ ¥0.6395
  • 50+ ¥0.605
  • 100+ ¥0.55
  • 500+ ¥0.5
  • 1000+ ¥0.46
合计:¥0.67
标准包装数量:3000

BSC320N20NS3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC320N20NS3G
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TDSON-8
  • 描述: 125W(Tc) 20V 4V@ 90µA 29nC@ 10V 1个N沟道 200V 32mΩ@ 36A,10V 36A 2.35nF@100V TDSON-8 贴片安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
    125W(Tc) 20V 4V@ 90µA 29nC@ 10V 1个N沟道 200V 32mΩ@ 36A,10V 36A 2.35nF@100V TDSON-8 贴片安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
  • 库   存:4999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.0833
  • 10+ ¥7.6984
  • 50+ ¥7.1324
  • 100+ ¥6.4667
  • 500+ ¥6.1392
  • 1000+ ¥5.7738
合计:¥8.08
标准包装数量:5000

IRF520NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF520NPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 9.7 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 9.7 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1680
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.5698
  • 10+ ¥3.7653
  • 50+ ¥3.0559
  • 100+ ¥2.9317
  • 500+ ¥2.8198
  • 1000+ ¥2.5917
合计:¥4.57
标准包装数量:50

BSS131H6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS131H6327
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT
  • 描述: 360W 20V 1.8V 2.1nC@ 10V 1个N沟道 240V 14Ω@ 10V 110mA 58pF@ 25V SOT 支架安装,贴片安装 2.9mm(长度)*130cm(宽度)
    360W 20V 1.8V 2.1nC@ 10V 1个N沟道 240V 14Ω@ 10V 110mA 58pF@ 25V SOT 支架安装,贴片安装 2.9mm(长度)*130cm(宽度)
  • 库   存:72
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.1667
  • 10+ ¥1.1111
  • 50+ ¥1.0294
  • 100+ ¥0.9459
  • 500+ ¥0.9091
  • 1000+ ¥0.8537
合计:¥1.17
标准包装数量:3000

IRFR7440TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR7440TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-220,TO-220-3,TO-252,TO-252-2,TO-252-3
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 180 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 180 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1244
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.679
  • 10+ ¥1.63
  • 100+ ¥1.583
  • 500+ ¥1.551
  • 1000+ ¥1.506
合计:¥1.68
标准包装数量:2000

IRF640NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF640NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 18 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 18 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:25093
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.9993
  • 10+ ¥1.5809
  • 50+ ¥1.4361
  • 100+ ¥1.2675
  • 500+ ¥1.1488
  • 1000+ ¥1.0893
合计:¥2.00
标准包装数量:50

IRF9952TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9952TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 2.3 A,3.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 2.3 A,3.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:12000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.8188
  • 10+ ¥2.6144
  • 50+ ¥2.4065
  • 100+ ¥2.2447
  • 500+ ¥2.1511
  • 1000+ ¥2.0424
合计:¥2.82
标准包装数量:4000

IRFP4868PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP4868PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=300 V, 70 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=300 V, 70 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:936
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥17.2295
  • 10+ ¥16.4282
  • 50+ ¥15.8744
  • 100+ ¥15.3568
  • 500+ ¥14.8718
合计:¥17.23
标准包装数量:25

IRLML2402TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML2402TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOP-23,SOT-23,SOT-3,SOT-363,TO-92
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 1.2 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 1.2 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:66
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4667
  • 10+ ¥0.4444
  • 50+ ¥0.4118
  • 100+ ¥0.3784
  • 500+ ¥0.3636
  • 1000+ ¥0.3415
合计:¥0.47
标准包装数量:3000

BSZ240N12NS3 G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSZ240N12NS3 G
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:SON
  • 描述: 66W 20V 4V 20nC@ 10V 1个N沟道 120V 24mΩ@ 10V 37A 1.4nF@ 60V SON 贴片安装,黏合安装 3.3mm*3.3mm*1.1mm
    66W 20V 4V 20nC@ 10V 1个N沟道 120V 24mΩ@ 10V 37A 1.4nF@ 60V SON 贴片安装,黏合安装 3.3mm*3.3mm*1.1mm
  • 库   存:5000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.9
  • 10+ ¥6.6
  • 50+ ¥6.1
  • 100+ ¥5.8
  • 500+ ¥5.5
  • 1000+ ¥5.3
合计:¥6.90
标准包装数量:5000

BSC021N08NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC021N08NS5
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TSON-8-EP
  • 描述: 20V 3.8V 117nC 2个N沟道 80V 55mΩ@ 10V,13.5A 100A 8.6nF TSON-8-EP
    20V 3.8V 117nC 2个N沟道 80V 55mΩ@ 10V,13.5A 100A 8.6nF TSON-8-EP
  • 库   存:499
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.8333
  • 10+ ¥10.3175
  • 50+ ¥9.5588
  • 100+ ¥8.9667
  • 500+ ¥8.5578
  • 1000+ ¥8.3181
合计:¥10.83
标准包装数量:5000

IPW50R190CEFKSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPW50R190CEFKSA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-247
  • 描述: 127W(Tc) 20V 3.5V@ 510µA 47.2nC@ 10 V 1个N沟道 500V 190mΩ@ 6.2A,13V 18.5A 1.137nF@100V TO-247 通孔安装
    127W(Tc) 20V 3.5V@ 510µA 47.2nC@ 10 V 1个N沟道 500V 190mΩ@ 6.2A,13V 18.5A 1.137nF@100V TO-247 通孔安装
  • 库   存:15
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    1-3工作日
    内地交货(含增值税)
    2-4工作日
  • 1+ $0.4 ¥3.34
合计:¥3.34
标准包装数量:1

BSC047N08NS3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC047N08NS3G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SON
  • 描述: 2.5KW 20V 3.5V 52nC@ 10V 1个N沟道 80V 4.7mΩ@ 10V 100A 3.6nF@ 40V SON 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    2.5KW 20V 3.5V 52nC@ 10V 1个N沟道 80V 4.7mΩ@ 10V 100A 3.6nF@ 40V SON 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:3987
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.195
  • 10+ ¥6.252
  • 100+ ¥5.241
  • 1000+ ¥4.787
合计:¥7.20
标准包装数量:5000

IPW65R110CFDA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPW65R110CFDA
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247
  • 描述: 277.8KW 20V 4.5V 118nC@ 10V 1个N沟道 650V 110mΩ@ 10V 31.2A 3.24nF@ 100V TO-247 导线安装,通孔安装 15.9mm*503cm*25.27mm
    277.8KW 20V 4.5V 118nC@ 10V 1个N沟道 650V 110mΩ@ 10V 31.2A 3.24nF@ 100V TO-247 导线安装,通孔安装 15.9mm*503cm*25.27mm
  • 库   存:29
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥31.1236
  • 10+ ¥26.6774
  • 30+ ¥23.3427
  • 100+ ¥19.657
  • 500+ ¥18.6742
合计:¥31.12
标准包装数量:30

IHW30N160R5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IHW30N160R5
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 25V 205nC 1.6KV 45mΩ@ 4.5V,4A 60A TO-247-3
    25V 205nC 1.6KV 45mΩ@ 4.5V,4A 60A TO-247-3
  • 库   存:89
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥20.7167
  • 10+ ¥19.1231
  • 50+ ¥16.7973
  • 100+ ¥15.7342
  • 500+ ¥14.7976
合计:¥20.72
标准包装数量:240

IRFL024NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFL024NTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-223
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 2.8 A, SOT-223封装, 表面贴装, 4引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 2.8 A, SOT-223封装, 表面贴装, 4引脚
  • 库   存:2125
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.1385
  • 10+ ¥2.0297
  • 50+ ¥1.8712
  • 100+ ¥1.6867
  • 500+ ¥1.5967
  • 1000+ ¥1.4969
合计:¥2.14
标准包装数量:2500

IPB017N10N5LF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB017N10N5LF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-263
  • 描述: 313KW 20V 4.1V 195nC@ 10V 1个N沟道 100V 1.7mΩ@ 10V 256A 650pF@ 50V TO-263 贴片安装 10mm*925cm*4.4mm
    313KW 20V 4.1V 195nC@ 10V 1个N沟道 100V 1.7mΩ@ 10V 256A 650pF@ 50V TO-263 贴片安装 10mm*925cm*4.4mm
  • 库   存:163
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥30
  • 10+ ¥27.6923
  • 50+ ¥24.3243
  • 100+ ¥22.7848
  • 100+ ¥22.7848
合计:¥30.00
标准包装数量:1000
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