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IPD50N10S3L-16 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD50N10S3L-16
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-252
  • 描述: 100W 20V 2.4V 49nC@ 10V 1个N沟道 100V 15mΩ@ 10V 70A 3.215nF@ 25V TO-252 贴片安装 6.5mm(长度)*622cm(宽度)
    100W 20V 2.4V 49nC@ 10V 1个N沟道 100V 15mΩ@ 10V 70A 3.215nF@ 25V TO-252 贴片安装 6.5mm(长度)*622cm(宽度)
  • 库   存:1656
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.485
  • 10+ ¥2.904
  • 100+ ¥2.42
  • 500+ ¥2.2
  • 1000+ ¥2
合计:¥3.49
标准包装数量:2500

BSC027N04LSG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC027N04LSG
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SON
  • 描述: 2.5W(Ta),83W(Tc) 20V 2V@ 49µA 85nC@ 10V 1个N沟道 40V 2.7mΩ@ 50A,10V 24A,100A 6.8nF@20V SON 贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    2.5W(Ta),83W(Tc) 20V 2V@ 49µA 85nC@ 10V 1个N沟道 40V 2.7mΩ@ 50A,10V 24A,100A 6.8nF@20V SON 贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:1974
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.4288
  • 10+ ¥2.3162
  • 50+ ¥2.2808
  • 100+ ¥2.2583
  • 500+ ¥2.2368
  • 1000+ ¥2.1971
合计:¥2.43
标准包装数量:5000

SPP11N80C3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPP11N80C3
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C3系列, Vds=800 V, 11 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C3系列, Vds=800 V, 11 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:70
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥12.1951
  • 10+ ¥11.6279
  • 50+ ¥11.236
合计:¥12.20
标准包装数量:50

IRF6775MTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF6775MTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:DIRECT-FET
  • 描述: Infineon N沟道MOS管 HEXFET系列, Vds=150 V, 28 A, DirectFET ISOMETRIC封装, 表面贴装
    Infineon N沟道MOS管 HEXFET系列, Vds=150 V, 28 A, DirectFET ISOMETRIC封装, 表面贴装
  • 库   存:2
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥35.0496
  • 10+ ¥30.0425
  • 30+ ¥26.2872
  • 100+ ¥22.1366
  • 500+ ¥21.0298
合计:¥35.05
标准包装数量:1

IRLR2905ZTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR2905ZTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 60 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 60 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:7
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.317
合计:¥0.32
标准包装数量:2000

BSC340N08NS3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC340N08NS3G
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:SON
  • 描述: 2.5KW 20V 6.8nC@ 10V 1个N沟道 80V 34mΩ@ 10V 564pF@ 40V SON 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    2.5KW 20V 6.8nC@ 10V 1个N沟道 80V 34mΩ@ 10V 564pF@ 40V SON 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:2748
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.091
  • 10+ ¥1.5424
  • 100+ ¥1.352
  • 500+ ¥1.12
  • 1000+ ¥1
合计:¥2.09
标准包装数量:5000

IPZ40N04S5L7R4ATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPZ40N04S5L7R4ATMA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:--
  • 描述: Infineon N沟道MOSFET管, Vds=16 V, 40 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N沟道MOSFET管, Vds=16 V, 40 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:159
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.6776
  • 10+ ¥3.3433
  • 50+ ¥3.1842
  • 100+ ¥3.0325
合计:¥3.68
标准包装数量:5000

BSC350N20NSFDATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC350N20NSFDATMA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON-8
  • 描述: Infineon N沟道MOS管 OptiMOS™3系列, Vds=200 V, 35 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N沟道MOS管 OptiMOS™3系列, Vds=200 V, 35 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:4577
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥16.268
  • 10+ ¥15.4933
  • 50+ ¥14.3541
  • 100+ ¥13.0144
  • 500+ ¥12.3554
  • 1000+ ¥11.62
合计:¥16.27
标准包装数量:5000

IRF9389TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9389TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2W 20V 2.3V@ 10µA 14nC@ 10V 2N+2P沟道 30V 27mΩ@ 6.8A,10V 6.8A,4.6A 398pF@15V SOIC-8 贴片安装
    2W 20V 2.3V@ 10µA 14nC@ 10V 2N+2P沟道 30V 27mΩ@ 6.8A,10V 6.8A,4.6A 398pF@15V SOIC-8 贴片安装
  • 库   存:909
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.6678
  • 10+ ¥1.5884
  • 50+ ¥1.4716
  • 100+ ¥1.3342
  • 500+ ¥1.2667
  • 1000+ ¥1.1913
合计:¥1.67
标准包装数量:4000

IRLMS6802TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLMS6802TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TSOP-6
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管 HEXFET系列, Vds=20 V, 5.6 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 2引脚
    Infineon P沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管 HEXFET系列, Vds=20 V, 5.6 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 2引脚
  • 库   存:2444
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.5174
  • 10+ ¥1.4452
  • 50+ ¥1.3389
  • 100+ ¥1.2304
  • 500+ ¥1.1824
  • 1000+ ¥1.1103
合计:¥1.52
标准包装数量:3000

IPB107N20N3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB107N20N3G
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=200 V, 88 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=200 V, 88 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1214
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥14.0351
  • 10+ ¥11.7647
  • 50+ ¥11.1096
  • 100+ ¥10.5932
  • 500+ ¥10
合计:¥14.04
标准包装数量:1000

BSS84PH6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS84PH6327
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT
  • 描述: 360W 20V 2V 1nC@ 10V 1个P沟道 60V 8Ω@ 10V 170mA 15pF@ 25V SOT 支架安装,贴片安装,通孔安装 2.9mm(长度)*130cm(宽度)
    360W 20V 2V 1nC@ 10V 1个P沟道 60V 8Ω@ 10V 170mA 15pF@ 25V SOT 支架安装,贴片安装,通孔安装 2.9mm(长度)*130cm(宽度)
  • 库   存:19
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.4252
  • 10+ ¥0.3924
  • 50+ ¥0.3535
  • 100+ ¥0.2933
  • 500+ ¥0.2848
  • 1000+ ¥0.2616
合计:¥0.43
标准包装数量:3000

IRF5803TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF5803TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,DIP-16,SOP-8,SOT-23,TSOP-6
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 3.4 A, TSOP-6封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 3.4 A, TSOP-6封装, 通孔安装
  • 库   存:30
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.1316
  • 10+ ¥1.0288
  • 30+ ¥0.953
  • 100+ ¥0.882
  • 500+ ¥0.84
  • 1000+ ¥0.8
合计:¥1.13
标准包装数量:416

IRF3808PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF3808PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=75 V, 140 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=75 V, 140 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:989
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.5
  • 10+ ¥6.24
  • 100+ ¥6.136
  • 500+ ¥4.56
合计:¥6.50
标准包装数量:1000

BSS131H6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS131H6327
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT
  • 描述: 360W 20V 1.8V 2.1nC@ 10V 1个N沟道 240V 14Ω@ 10V 110mA 58pF@ 25V SOT 支架安装,贴片安装 2.9mm(长度)*130cm(宽度)
    360W 20V 1.8V 2.1nC@ 10V 1个N沟道 240V 14Ω@ 10V 110mA 58pF@ 25V SOT 支架安装,贴片安装 2.9mm(长度)*130cm(宽度)
  • 库   存:72
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.1667
  • 10+ ¥1.1111
  • 50+ ¥1.0294
  • 100+ ¥0.9459
  • 500+ ¥0.9091
  • 1000+ ¥0.8537
合计:¥1.17
标准包装数量:3000

BSL215CH6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSL215CH6327XTSA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TSOP-6
  • 描述: Infineon N/P沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=20 V, 1.5 A, TSOP-6封装, 表面贴装, 6引脚
    Infineon N/P沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=20 V, 1.5 A, TSOP-6封装, 表面贴装, 6引脚
  • 库   存:119
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.6678
  • 10+ ¥1.5884
  • 50+ ¥1.4716
  • 100+ ¥1.3523
  • 500+ ¥1.2996
  • 1000+ ¥1.2203
合计:¥1.67
标准包装数量:3000

IRLML0060TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML0060TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-223,SOT-23,SOT-23-3
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 2.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 2.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:2396
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.6801
  • 10+ ¥0.6182
  • 50+ ¥0.5621
  • 100+ ¥0.5354
  • 500+ ¥0.5099
  • 1000+ ¥0.4856
  • 3000+ ¥0.4625
合计:¥0.68
标准包装数量:3000

IRLML2502TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML2502TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-23
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 IRLML2502系列, Vds=20 V, 4.2 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 IRLML2502系列, Vds=20 V, 4.2 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:7578
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.6707
  • 10+ ¥0.6395
  • 50+ ¥0.605
  • 100+ ¥0.55
  • 500+ ¥0.5
  • 1000+ ¥0.46
合计:¥0.67
标准包装数量:3000

2N7002DWH6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N7002DWH6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-363
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=60 V, 300 mA, SOT-363封装, 表面贴装, 6引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=60 V, 300 mA, SOT-363封装, 表面贴装, 6引脚
  • 库   存:1613
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.6757
  • 10+ ¥0.5583
  • 50+ ¥0.4523
  • 100+ ¥0.4153
  • 500+ ¥0.3935
  • 1000+ ¥0.3755
合计:¥0.68
标准包装数量:3000

BSS806NEH6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS806NEH6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-23
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 2系列, Vds=20 V, 2.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 2系列, Vds=20 V, 2.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:5455
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5501
  • 10+ ¥0.5064
  • 50+ ¥0.4631
  • 100+ ¥0.4335
  • 500+ ¥0.4048
  • 500+ ¥0.4048
合计:¥0.55
标准包装数量:3000
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