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SI2301DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2301DS-T1-GE3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:3.6A 类型:P沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.6A
    P沟道 耐压:20V 电流:3.6A 类型:P沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.125
  • 300+ ¥0.113
  • 500+ ¥0.111
  • 102000+ ¥0.105
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SI2306BDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2306BDS-T1-GE3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:3.5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.5A
    N沟道 耐压:30V 电流:3.5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.5A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2319DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2319DS-T1-GE3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 2个P沟道 30V 46mΩ 5.6A SOT-3
    2个P沟道 30V 46mΩ 5.6A SOT-3
  • 库   存:300000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.2875
  • 150+ ¥0.2599
  • 250+ ¥0.2553
  • 45000+ ¥0.2415
合计:¥14.38
标准包装数量:3000

SI2328 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2328
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道 耐压:100V 电流:3A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):3A
    N沟道 耐压:100V 电流:3A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):3A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.2
  • 300+ ¥0.1808
  • 500+ ¥0.1776
  • 63000+ ¥0.168
合计:¥20.00
标准包装数量:3000

BSS123N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS123N
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 360mW 20V 2V 2.5nC 2个N沟道 100V 6Ω 170mA 21.5pF SOT-23
    360mW 20V 2V 2.5nC 2个N沟道 100V 6Ω 170mA 21.5pF SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.0813
  • 600+ ¥0.0735
  • 1000+ ¥0.0722
  • 156000+ ¥0.0683
合计:¥16.26
标准包装数量:3000

AO3409A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3409A
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:2.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.6A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@10V,2.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA P沟 -30V -2.6A
    P沟道 耐压:30V 电流:2.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.6A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@10V,2.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA P沟 -30V -2.6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2308 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2308
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1.25W 3V 10nC 2个N沟道 60V 220mΩ 2A 240pF SOT-23
    1.25W 3V 10nC 2个N沟道 60V 220mΩ 2A 240pF SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.225
  • 300+ ¥0.2034
  • 500+ ¥0.1998
  • 57000+ ¥0.189
合计:¥22.50
标准包装数量:3000

SI2323 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2323
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.25W;2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,4.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA P沟道,-20V,-6A,30mΩ@-4.5V
    P沟道 耐压:20V 电流:6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.25W;2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,4.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA P沟道,-20V,-6A,30mΩ@-4.5V
  • 库   存:300000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.3125
  • 120+ ¥0.2825
  • 200+ ¥0.2775
  • 42000+ ¥0.2625
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SI9435DY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI9435DY
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
    类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.325
  • 120+ ¥0.2938
  • 200+ ¥0.2886
  • 39000+ ¥0.273
合计:¥13.00
标准包装数量:3000

SI2306DS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2306DS-T1-E3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:3.5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.5A
    N沟道 耐压:30V 电流:3.5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.5A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

BSS84Q-7-F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS84Q-7-F
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道 耐压:50V 电流:130mA 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):130mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V
    P沟道 耐压:50V 电流:130mA 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):130mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.0875
  • 600+ ¥0.0791
  • 1000+ ¥0.0777
  • 144000+ ¥0.0735
合计:¥17.50
标准包装数量:3000

SI2307BDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2307BDS-T1-GE3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:4.3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A
    P沟道 耐压:30V 电流:4.3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2307BDS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2307BDS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 12nC@ 4V 2个P沟道 30V 3.2A SOT-3
    12nC@ 4V 2个P沟道 30V 3.2A SOT-3
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

BSS123 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS123
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1.4nC 2个N沟道 100V 200mA SOT-23
    1.4nC 2个N沟道 100V 200mA SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.0813
  • 600+ ¥0.0735
  • 1000+ ¥0.0722
  • 156000+ ¥0.0683
合计:¥16.26
标准包装数量:3000

SI2323DDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2323DDS-T1-GE3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 13.6nC@ 8V 2个P沟道 20V 2.335Ω@10V,8A 4.1A SOT-3
    13.6nC@ 8V 2个P沟道 20V 2.335Ω@10V,8A 4.1A SOT-3
  • 库   存:300000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.3125
  • 120+ ¥0.2825
  • 200+ ¥0.2775
  • 42000+ ¥0.2625
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SI2318CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2318CDS-T1-GE3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 2.9nC 2个N沟道 40V 5.6A SOT-23
    2.9nC 2个N沟道 40V 5.6A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.25
  • 150+ ¥0.226
  • 250+ ¥0.222
  • 51000+ ¥0.21
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SI2319DS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2319DS-T1-E3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 12nC@ 4V 2个P沟道 40V 30mΩ 3A SOT-3
    12nC@ 4V 2个P沟道 40V 30mΩ 3A SOT-3
  • 库   存:300000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.2875
  • 150+ ¥0.2599
  • 250+ ¥0.2553
  • 45000+ ¥0.2415
合计:¥14.38
标准包装数量:3000

AO3415A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3415A
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 11nC@ 4.5V 2个P沟道 20V 25mΩ@ 10V,46A 4A SOT-3
    11nC@ 4.5V 2个P沟道 20V 25mΩ@ 10V,46A 4A SOT-3
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1813
  • 300+ ¥0.1639
  • 500+ ¥0.161
  • 69000+ ¥0.1523
合计:¥18.13
标准包装数量:3000

AO4406A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4406A
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 13A 2个N沟道 20V 12mΩ 12A SOP-8
    13A 2个N沟道 20V 12mΩ 12A SOP-8
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

AO3400A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3400A
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 12nC@ 10V 2个N沟道 30V 200mΩ@ 10V,5.7A 5.8A SOT-3
    12nC@ 10V 2个N沟道 30V 200mΩ@ 10V,5.7A 5.8A SOT-3
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1375
  • 300+ ¥0.1243
  • 500+ ¥0.1221
  • 500+ ¥0.1221
合计:¥13.75
标准包装数量:3000
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