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SI2301CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2301CDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 3.3nC@ 10V 2个P沟道 20V 50pF@10V 2.3A SOT-3
    3.3nC@ 10V 2个P沟道 20V 50pF@10V 2.3A SOT-3
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.125
  • 300+ ¥0.113
  • 500+ ¥0.111
  • 102000+ ¥0.105
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

AO3413 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3413
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1.4W 8V 1V 6.1nC 2个P沟道 20V 97mΩ 3A 540pF SOT-23
    1.4W 8V 1V 6.1nC 2个P沟道 20V 97mΩ 3A 540pF SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.1125
  • 600+ ¥0.1017
  • 1000+ ¥0.0999
  • 114000+ ¥0.0945
合计:¥22.50
标准包装数量:3000

AO3414 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3414
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 6nC@ 10V 2个N沟道 20V 550mΩ@ 10V,6A 3A SOT-23
    6nC@ 10V 2个N沟道 20V 550mΩ@ 10V,6A 3A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.1188
  • 600+ ¥0.1074
  • 1000+ ¥0.1055
  • 108000+ ¥0.0998
合计:¥23.76
标准包装数量:3000

BSS123-7-F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS123-7-F
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 2个N沟道 100V 110mΩ 170mA SOT-23
    2个N沟道 100V 110mΩ 170mA SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.0813
  • 600+ ¥0.0735
  • 1000+ ¥0.0722
  • 156000+ ¥0.0683
合计:¥16.26
标准包装数量:3000

BSS84TA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS84TA
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道 耐压:50V 电流:130mA 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):130mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V
    P沟道 耐压:50V 电流:130mA 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):130mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.0875
  • 600+ ¥0.0791
  • 1000+ ¥0.0777
  • 144000+ ¥0.0735
合计:¥17.50
标准包装数量:3000

SI2301A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2301A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 650V 2.2Ω@ 10V 4A SOT-3 贴片安装
    650V 2.2Ω@ 10V 4A SOT-3 贴片安装
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.1
  • 600+ ¥0.0904
  • 1000+ ¥0.0888
  • 126000+ ¥0.084
合计:¥20.00
标准包装数量:3000

SI2302A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2302A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N沟道 耐压:20V 电流:3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A
    N沟道 耐压:20V 电流:3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.1
  • 600+ ¥0.0904
  • 1000+ ¥0.0888
  • 126000+ ¥0.084
合计:¥20.00
标准包装数量:3000

AP4407GM 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AP4407GM
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):13A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,13A
    类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):13A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,13A
  • 库   存:180000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.6875
  • 60+ ¥0.6215
  • 100+ ¥0.6105
  • 21000+ ¥0.5775
合计:¥13.75
标准包装数量:3000

AO4407A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4407A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 39nC@ 10V 2个N沟道 30V 44mΩ@ 10V,18A 12A 2.05nF@ 15V SOP-8
    39nC@ 10V 2个N沟道 30V 44mΩ@ 10V,18A 12A 2.05nF@ 15V SOP-8
  • 库   存:180000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.6875
  • 60+ ¥0.6215
  • 100+ ¥0.6105
  • 21000+ ¥0.5775
合计:¥13.75
标准包装数量:3000

SI2312BDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2312BDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 12nC@ 4V 2个N沟道 20V 15mΩ@ 10V 5A SOT-23
    12nC@ 4V 2个N沟道 20V 15mΩ@ 10V 5A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1875
  • 300+ ¥0.1695
  • 500+ ¥0.1665
  • 69000+ ¥0.1575
合计:¥18.75
标准包装数量:3000

APM9926AKC-TRL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: APM9926AKC-TRL
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,6A
    2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,6A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.3125
  • 120+ ¥0.2825
  • 200+ ¥0.2775
  • 42000+ ¥0.2625
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SI2308BDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2308BDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 12nC@ 4V 2个N沟道 60V 400mΩ@ 10V,3.8A 2.3A SOT-23
    12nC@ 4V 2个N沟道 60V 400mΩ@ 10V,3.8A 2.3A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.225
  • 300+ ¥0.2034
  • 500+ ¥0.1998
  • 57000+ ¥0.189
合计:¥22.50
标准包装数量:3000

SI2318DS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2318DS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 750mW 20V 3V 15nC@ 10 V 2个N沟道 40V 45mΩ@ 3.9A,10V 3.9A 540pF SOT-23
    750mW 20V 3V 15nC@ 10 V 2个N沟道 40V 45mΩ@ 3.9A,10V 3.9A 540pF SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.25
  • 150+ ¥0.226
  • 250+ ¥0.222
  • 51000+ ¥0.21
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SI2323CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2323CDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 25nC@ 4.5V 2个P沟道 6A SOT-3
    25nC@ 4.5V 2个P沟道 6A SOT-3
  • 库   存:300000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.3125
  • 120+ ¥0.2825
  • 200+ ¥0.2775
  • 42000+ ¥0.2625
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SI2312CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2312CDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 8.8nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 75mΩ@ 3.8A,4.5V 6A SOT-23
    8.8nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 75mΩ@ 3.8A,4.5V 6A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1875
  • 300+ ¥0.1695
  • 500+ ¥0.1665
  • 69000+ ¥0.1575
合计:¥18.75
标准包装数量:3000

SI4953ADY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4953ADY-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
    类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

SI2365EDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2365EDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 12nC@ 4V 2个P沟道 20V 4A SOT-3
    12nC@ 4V 2个P沟道 20V 4A SOT-3
  • 库   存:300000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

AO4406 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4406
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@15A,10V
    类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@15A,10V
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

AO4447AL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4447AL
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,17A P沟 30V 17A
    P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,17A P沟 30V 17A
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.6
  • 90+ ¥0.5424
  • 150+ ¥0.5328
  • 21000+ ¥0.504
合计:¥18.00
标准包装数量:3000

SI4410BDY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4410BDY
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.475
  • 90+ ¥0.4294
  • 150+ ¥0.4218
  • 150+ ¥0.4218
合计:¥14.25
标准包装数量:3000
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