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AO4406 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4406
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@15A,10V
    类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@15A,10V
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

AO4447AL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4447AL
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,17A P沟 30V 17A
    P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,17A P沟 30V 17A
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.6
  • 90+ ¥0.5424
  • 150+ ¥0.5328
  • 21000+ ¥0.504
合计:¥18.00
标准包装数量:3000

SI4410BDY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4410BDY
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V
    N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.475
  • 90+ ¥0.4294
  • 150+ ¥0.4218
  • 27000+ ¥0.399
合计:¥14.25
标准包装数量:3000

AP4953GM 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AP4953GM
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
    类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

NTS4409NT1G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTS4409NT1G
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 1.5nC@ 4.5V 2个N沟道 25V 13mΩ@ 10V 700mA SOP-8
    1.5nC@ 4.5V 2个N沟道 25V 13mΩ@ 10V 700mA SOP-8
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.475
  • 90+ ¥0.4294
  • 150+ ¥0.4218
  • 27000+ ¥0.399
合计:¥14.25
标准包装数量:3000

SI4447ADY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4447ADY
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,17A P沟 30V 17A
    P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,17A P沟 30V 17A
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.6
  • 90+ ¥0.5424
  • 150+ ¥0.5328
  • 21000+ ¥0.504
合计:¥18.00
标准包装数量:3000

CEM9435A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CEM9435A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
    类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.325
  • 120+ ¥0.2938
  • 200+ ¥0.2886
  • 39000+ ¥0.273
合计:¥13.00
标准包装数量:3000

SI4946CDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4946CDY-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道 耐压:60V 电流:6A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,6A
    2个N沟道 耐压:60V 电流:6A 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.85
  • 60+ ¥0.7684
  • 100+ ¥0.7548
  • 15000+ ¥0.714
合计:¥17.00
标准包装数量:3000

AP4407GM 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AP4407GM
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):13A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,13A
    类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):13A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,13A
  • 库   存:180000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.6875
  • 60+ ¥0.6215
  • 100+ ¥0.6105
  • 21000+ ¥0.5775
合计:¥13.75
标准包装数量:3000

AO4407A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4407A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 39nC@ 10V 2个N沟道 30V 44mΩ@ 10V,18A 12A 2.05nF@ 15V SOP-8
    39nC@ 10V 2个N沟道 30V 44mΩ@ 10V,18A 12A 2.05nF@ 15V SOP-8
  • 库   存:180000
  • 起订量:20
  • 增   量:20
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 20+ ¥0.6875
  • 60+ ¥0.6215
  • 100+ ¥0.6105
  • 21000+ ¥0.5775
合计:¥13.75
标准包装数量:3000

SI2301CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2301CDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 3.3nC@ 10V 2个P沟道 20V 50pF@10V 2.3A SOT-3
    3.3nC@ 10V 2个P沟道 20V 50pF@10V 2.3A SOT-3
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.125
  • 300+ ¥0.113
  • 500+ ¥0.111
  • 102000+ ¥0.105
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

AO3413 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3413
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1.4W 8V 1V 6.1nC 2个P沟道 20V 97mΩ 3A 540pF SOT-23
    1.4W 8V 1V 6.1nC 2个P沟道 20V 97mΩ 3A 540pF SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.1125
  • 600+ ¥0.1017
  • 1000+ ¥0.0999
  • 114000+ ¥0.0945
合计:¥22.50
标准包装数量:3000

AO3414 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3414
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 6nC@ 10V 2个N沟道 20V 550mΩ@ 10V,6A 3A SOT-23
    6nC@ 10V 2个N沟道 20V 550mΩ@ 10V,6A 3A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:200
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 200+ ¥0.1188
  • 600+ ¥0.1074
  • 1000+ ¥0.1055
  • 108000+ ¥0.0998
合计:¥23.76
标准包装数量:3000

SI2307DS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2307DS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:4.3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A
    P沟道 耐压:30V 电流:4.3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

AO3404A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3404A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: 17nC@ 10V 2个N沟道 30V 5.8A SOT-3
    17nC@ 10V 2个N沟道 30V 5.8A SOT-3
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1375
  • 300+ ¥0.1243
  • 500+ ¥0.1221
  • 93000+ ¥0.1155
合计:¥13.75
标准包装数量:3000

SI2303CDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2303CDS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 4nC@ 4.5V 2个P沟道 3.84nF@30V 2.7A SOT-23
    4nC@ 4.5V 2个P沟道 3.84nF@30V 2.7A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2306BDS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2306BDS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:3.5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.5A
    N沟道 耐压:30V 电流:3.5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.5A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

AO3414A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3414A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N沟道 耐压:20V 电流:4.2A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA
    N沟道 耐压:20V 电流:4.2A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1375
  • 300+ ¥0.1243
  • 500+ ¥0.1221
  • 93000+ ¥0.1155
合计:¥13.75
标准包装数量:3000

SI2303CDS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2303CDS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:3.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.1A
    P沟道 耐压:30V 电流:3.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.1A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2305 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2305
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 4.5nC 2个P沟道 20V 1.5Ω@10V,500mA 4.1A SOT-23
    4.5nC 2个P沟道 20V 1.5Ω@10V,500mA 4.1A SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 500+ ¥0.1332
合计:¥15.00
标准包装数量:3000
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