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SI2302DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2302DS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N沟道 耐压:20V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.6A
    N沟道 耐压:20V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.125
  • 300+ ¥0.113
  • 500+ ¥0.111
  • 102000+ ¥0.105
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SI2306 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2306
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 750mW 20V 3V@ 250uA 4.5nC 2个N沟道 30V 65mΩ 4A 305pF SOT-23
    750mW 20V 3V@ 250uA 4.5nC 2个N沟道 30V 65mΩ 4A 305pF SOT-23
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

AO3402A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3402A
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:4A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA
    N沟道 耐压:30V 电流:4A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1375
  • 300+ ¥0.1243
  • 500+ ¥0.1221
  • 93000+ ¥0.1155
合计:¥13.75
标准包装数量:3000

SI2307 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2307
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道 耐压:30V 电流:4.3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A
    P沟道 耐压:30V 电流:4.3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.1375
  • 300+ ¥0.1243
  • 500+ ¥0.1221
  • 93000+ ¥0.1155
合计:¥13.75
标准包装数量:3000

SI2305DS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2305DS-T1-E3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
    P沟道 耐压:20V 电流:5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

DMN4468LSS-13 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMN4468LSS-13
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,8A N沟 30V 8A
    类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,8A N沟 30V 8A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.3125
  • 120+ ¥0.2825
  • 200+ ¥0.2775
  • 42000+ ¥0.2625
合计:¥12.50
标准包装数量:3000

SI2319CDS-T1-BE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2319CDS-T1-BE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-3
  • 描述: P沟道 耐压:40V 电流:4.9A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):4.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V
    P沟道 耐压:40V 电流:4.9A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):4.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V
  • 库   存:300000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 50+ ¥0.2875
  • 150+ ¥0.2599
  • 250+ ¥0.2553
  • 45000+ ¥0.2415
合计:¥14.38
标准包装数量:3000

SI2308DS-T1-GE3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2308DS-T1-GE3
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道 耐压:60V 电流:3A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.66W
    N沟道 耐压:60V 电流:3A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.66W
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.225
  • 300+ ¥0.2034
  • 500+ ¥0.1998
  • 57000+ ¥0.189
合计:¥22.50
标准包装数量:3000

AP9435GM 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AP9435GM
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
    类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.325
  • 120+ ¥0.2938
  • 200+ ¥0.2886
  • 39000+ ¥0.273
合计:¥13.00
标准包装数量:3000

AO4812 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4812
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 8 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,8A
    2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 8 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,8A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

SM4485PRL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM4485PRL
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,11A P沟道,-40V,-11A,16mΩ@-10V
    P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,11A P沟道,-40V,-11A,16mΩ@-10V
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.6
  • 90+ ¥0.5424
  • 150+ ¥0.5328
  • 21000+ ¥0.504
合计:¥18.00
标准包装数量:3000

TSM4953DCS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: TSM4953DCS
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
    类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 36000+ ¥0.294
合计:¥14.00
标准包装数量:3000

HM4409 场效应管(MOSFET)

  • 型号: HM4409
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,15A
    P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,15A
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.475
  • 90+ ¥0.4294
  • 150+ ¥0.4218
  • 27000+ ¥0.399
合计:¥14.25
标准包装数量:3000

SI4430BDY-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI4430BDY-T1-E3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,20A
    N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,20A
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.525
  • 90+ ¥0.4746
  • 150+ ¥0.4662
  • 24000+ ¥0.441
合计:¥15.75
标准包装数量:3000

SI9435BDY 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI9435BDY
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
    类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,5.7A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.325
  • 120+ ¥0.2938
  • 200+ ¥0.2886
  • 39000+ ¥0.273
合计:¥13.00
标准包装数量:3000

8820 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 8820
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道(共漏) 耐压:20V 电流:5A 类型:2个N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 双N沟 20V 5A
    2个N沟道(共漏) 耐压:20V 电流:5A 类型:2个N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 双N沟 20V 5A
  • 库   存:300000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.475
  • 90+ ¥0.4294
  • 150+ ¥0.4218
  • 27000+ ¥0.399
合计:¥14.25
标准包装数量:3000

SI2304BDS-T1-E3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2304BDS-T1-E3
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
    N沟道 耐压:30V 电流:3.6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A
  • 库   存:300000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 100+ ¥0.15
  • 300+ ¥0.1356
  • 500+ ¥0.1332
  • 84000+ ¥0.126
合计:¥15.00
标准包装数量:3000

SI2303 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2303
  • 厂牌:BYSEMI/深圳博越半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 3V 4nC 2个P沟道 30V 330mΩ 1.7A 155pF SOT-23
    3V 4nC 2个P沟道 30V 330mΩ 1.7A 155pF SOT-23
  • 库   存:8700
  • 起订量:100
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 100+ ¥0.1429
  • 1000+ ¥0.125
  • 3000+ ¥0.1027
  • 10000+ ¥0.0956
  • 30000+ ¥0.092
  • 50000+ ¥0.0893
合计:¥14.29
标准包装数量:3000

AO4447A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4447A
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,17A P沟 30V 17A
    P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,17A P沟 30V 17A
  • 库   存:180000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 30+ ¥0.6
  • 90+ ¥0.5424
  • 150+ ¥0.5328
  • 21000+ ¥0.504
合计:¥18.00
标准包装数量:3000

CEM4953 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CEM4953
  • 厂牌:bysemi/深圳博越半导体
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
    类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,6.5A
  • 库   存:180000
  • 起订量:40
  • 增   量:40
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-8工作日
  • 40+ ¥0.35
  • 120+ ¥0.3164
  • 200+ ¥0.3108
  • 200+ ¥0.3108
合计:¥14.00
标准包装数量:3000
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